14MeV中子穿过组合材料后反射中子效应的实验测量

为了校核碳核对反射中子效应的理论计算结果,用俘获探测器测定了14MeV中子穿过三种不同形式的组合材料后的反射中子效应。实验测量结果误差小于10％。实验结果与理论(蒙特卡罗方法)计算值在实验误差范围内相符合。     

14 MeV中子穿过组合材料引发238U绝对裂变率的测量

为检验计算方法与参数，用小型平板铀裂变室测量了铁球壳表面沿赤道方向不同位置14 MeV中子穿透实验模型后引起的。^238U绝对裂变反应率，并与MCNP/4A和ENDF/B-V库数据计算结果相比较。实验总误差为6．1％。     

14MeV中子吸收剂量测量

本文叙述了用双探测器技术测定(n,r)混合场中子和光子剂量分量的方法。在窄束~(60)Coγ辐射场中对电离室进行了γ刻度并给出结果。计算了组织等效电离室的k_T值。用铅减弱法测定了碳电离室、铝电离室和GM-2计数管的k_U值。在T(d,n)~He中子场中实验测定了各项修正因子,最后给出了自由空气中生物组织的中子和光子比释动能分量的测量结果以及总不确定度。     

裂变堆中子转换成14MeV中子的研究进展

评述了裂变反应堆中子转换为１４ＭｅＶ中子的研究进展，讨论了核反应及转换器的结构。     

14 MeV中子在组合材料上高阈能活化反应率的测量和计算

用六种阈能探测器Fe、Al、C2F4、Nb、Zr和Cu测量了D-T聚变中子在柱状组合材料上的高阈能活化反应率,讨论了实验结果。用MCNP/4B程序计算了实验装置上的活化反应率,并与实验结果进行比较。结果表明,除F活化反应率符合较好外,其余相差10％-30％。     

14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究

在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。     

钒球14 MeV中子的泄漏能谱测量

建立了厚度为 1 0 5cm的金属钒球基准实验装置。钒的纯度为 99 9%。用NE 2 1 3谱仪测量了d T中子的 0 75～ 1 5MeV泄漏中子能谱 ,能量大于 0 75MeV的中子的穿透率为 0 84± 0 0 3 ,中子能谱实验误差为 5 %～ 7%。用MCNP/ 4AMonte Carlo程序和FENDL 2库核数据进行了模拟计算 ,并与实验结果进行了比较     

K-600中子发生器的中子天空反射测量

以 K-600中子发生器为对象,测量了中子在大气中散射的衰减规律,以评价中子发生器对周围环境的辐射影响。实验测得中子在大气中的衰减长度为396m。     

水泥材料的反射中子实验研究

采用铀核裂变法和活化法实验研究D-T聚变中子在水泥材料上的反射中子.在铁球壳外表面水平赤道方向上,用小型浓缩铀和贫化铀裂变电离室结合俘获探测器测量了反射中子引起的235U(包镉)和238U裂变反应率,实验不确定度分别为6.1%-7.3%和6.4%-7.4%.用5种高阈能活化箔测量了反射中子引起的活化反应率,实验不确定度为7.2%-8.0%.比较了252Cf自发裂变中子在水泥材料上反射中子引起的235U(包镉)裂变反应率测量结果.讨论和分析了实验结果.     

14 MeV中子注量率测量技术比对研究

对伴随α粒子法测量DT中子源中子注量系统的稳定性及重复性进行了检验。通过铁活化法与伴随粒子法得到的中子注量相比较,完成了预备实验。用4πβ(PC)-γ符合标准装置测量活化后的铝箔的方法与伴随粒子法监测的中子注量率比对,两者偏差小于伴随粒子法的扩展不确定度,其中伴随粒子法标准不确定度为1.6%,铝活化法标准不确定度为1.8%。     

14MeV中子活化分析农作物种子

利用14MeV中子活化分析农作物种子、采用三种不同的探测系统对小麦、黄豆中的N、P、K元素进行了分析。我们采用了通常的相对比较法,待测元素含量由式W_x=(φ_x·A_x/φ_s·A_s)·W_s计算,式中φ_x和φ_s分别为辐照过程中样品和标样所接受的中子通量;A_s和A_x分别为标样和样品中待测元素特征峰面积。针对0.511峰具有较复杂来源的特点,采用符合-多定标解衰变曲线的方法,以排除干扰。N、P、K经活化均产生0.511MeVγ射线。     

14MeV中子在大体积贫化铀球装置中平均裂变数的实验测量

在大体积贫化铀装置中,测量了一个14MeV中子与~(238)U作用产生的平均裂变数——p_f~(238U)(R_∞~贫)_(14)=0.897±0.036。测量了14MeV中子通量分布和贫化铀球中~(235)U同位素的平均裂变数。在系列球中完成了p_f~(238U)(R~贫)值的测量。对于φ600球,p_f~(238U)(R_(300)~贫)=0.823±0.041。贫化铀装置的密度ρ=18.8g/cm~3,总重2.8t。     

14MeV中子在大体积贫化铀球装置中平均裂变数的实验测量

在大体积贫化铀装置中,测量了一个14MeV中子与~(238)U作用产生的平均裂变数——p_f~(238U)(R_∞~贫)=0.897±0.036,测量了14MeV中子通量分布和贫化铀球中~(235)U同位素的平均裂变数。在系列球中完成了p_f~(238U)(R~贫)值的测量。对于φ600球,p_f~(238U)(R_(300)~贫)=0.823±0.041。贫化铀装置的密度ρ=18.8g/cm~3,总重2.8t。     

14MeV中子穿透铁圆柱的活化反应率测量

用几种阈能活化探测器测量了14MeV中子穿过不同厚度铁圆柱体的绝对活化反应率径向分布。利用MCNP4A／5程序和FENDL-2、ENDF／B-Ⅵ数据库对实验进行了模拟计算,并将计算结果与实验进行了比较。实验不确定度为6.1-7.1％。     

含水二氧化硅介质14 MeV中子慢化长度与中子迁移长度模拟计算

基于MCNP程序模拟计算了不同孔隙度二氧化硅介质地层14 Me V中子慢化长度与中子迁移长度。首先,模拟计算了241Am-Be中子源条件下不同孔隙度Si O2介质地层的中子通量空间分布,并利用源距均方值公式计算得到了对应的中子慢化长度LS和中子迁移长度LM。与文献结果对比:中子特征长度LS与LM结果相对误差均值分别为1.20%与-2.60%;该结果验证了源距均方值公式计算中子特征长度的有效性和可行性。同样地,计算得到了不同孔隙度Si O2介质地层14 Me V中子的中子特征长度LS和LM;计算结果表明:14 Me V中子的中子特征长度同样随地层孔隙度的增加而降低;其中水的14Me V中子特征长度为LS=12.73 cm、LM=13.00 cm,Si O2的14 Me V中子特征长度为LS=30.08 cm、LM=34.31 cm;中子慢化长度LS结果与文献结果的相对偏差≤±3.1%。     

不同材料中子反射与屏蔽效应研究

利用Monte Carlo粒子输运计算程序Super MC对厚度1-5 cm的多种材料进行中子反射和屏蔽性能分析计算。这些材料包括金属材料铍、铅、铜、含硼钢以及~(238)U和非金属材料聚乙烯、氢化锂、混凝土,中子能段选取10~(-5) e V-20 MeV。结果显示,中子反射能力和屏蔽性能都会随着材料厚度而增加,但增加的幅度逐渐减小。铍和聚乙烯在中子反射和屏蔽方面性能优越,而常用来屏蔽γ射线的铅在这两方面性能都是8种材料中最差的。~(238)U只在材料厚度很小时性能卓著,随着材料厚度增加,其性能便远不如大部分材料。考虑到聚乙烯的力学性能较差,在屏蔽材料的选择上有很大的限制,所以在8种材料中,铍的综合性能相对较好。     

14MeV中子活化分析灵敏度的测定

我们利用600kV中子发生器,自制快速跑兔系统和高纯锗探测器(体积为75cm~3),对三个样品中的15种元素的14MeV中子活化分析灵敏度进行了测定。在本实验中灵敏度计算公式为:     

14MeV中子反应截面的综合评价

文章叙述了14MeV中子反应截面综合评价的基本思想及数学处理方法。对~(56)Fe(n,p)~(56)Mn,~(27)Al(n,α)~(24)Na,~(63)Cu(n,2n)~(62)Cu,~(27)Al(n,p)~(27)Mg和~(41)K(n,p)~(41)Ar等五种反应截面进行综合评价,得到了较满意的结果。评价值分别为109.7,114.2,533.5,71.8和48.0mb,误差(1σ)分别为0.88%,1.1%,1.5%,2.6%和3.2%。     

一些矿石的14MeV中子活化分析

[民主德国《同位素实践》1986年第7期第239页报道]埃及开罗大学及亚历山大大学的A.M.埃尔-卡蒂伯等三位科学工作者,在题目如上的论文中,介绍了用中活化分析方法研究某些样品,其中包括铁硅合金、锡石、铬铁矿、方铅矿和黄铁矿等所得的结果,并将它们与常规方法做了比较。他们用菲利浦公司的     

铍中氟的14 MeV中子活化分析

利用14MeV中子与氟的核反应~(19)F(n,p)~(19)O,测定金属铍中的杂质氟的含量,在中子产额为2×10~(10)n/s,样品重量平均4g,探测限0.1mg,铍中氟含量1000～5000ppm时,多次测量的平均值标准偏差为±2～4%,活化分析的结果与化学分析结果相差约5～15%。