低温烧结高磁导率高直流叠加NiCuZn铁氧体材料

以NiCuZn材料为基础,改进传统的制粉工艺,制备出超细铁氧体粉料。添加V_2O_5,MoO_3,Bi_2O_3等组合助熔剂,实现了材料的低温烧结和高磁导率。在此基础上采用流延工艺制备出生磁膜带,在900℃烧结,研究了不同添加剂在烧结过程中的析出物状况,找到了既能实现材料高磁导率、又在烧结后没有析出物的组合添加剂。通过离子取代和晶粒细化获得了低损耗,并使材料满足了抗直流叠加的要求。分析了掺杂对材料损耗、直流叠加特性的作用机理。研究工作为开发此类高频、低功耗、高直流叠加材料提供参考。     

单一掺杂对NiCuZn铁氧体的改性作用

作为重要的软磁铁氧体材料,随着NiCuZn铁氧体应用的不断发展,对其性能也提出了更高的要求,掺杂是改良和提高软磁铁氧体性能的重要手段.本文归纳了单一掺杂在改良和提高NiCuZn铁氧体的主要性能方面的作用,如起始磁导率μi、品质因数Q、截止频率fr、居里温度Tc以及密度ρ等,并简单介绍了穆斯堡尔谱在研究NiCuZn铁氧体...     

TN230B高磁导率NiCuZn铁氧体材料的开发

介绍了一种高磁导率(μi=2300)、高Bs、高居里温度NiCuZn铁氧体TN230B材料的制备方法及生产过程.研究表明,引入适量的CuO可大大改善材料的电磁性能;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺可获得优良的材料性能.     

应用于近场通信的高磁导率NiCuZn铁氧体材料

针对近场通信(NFC)应用,通过改变材料中的Bi2O3含量和二磨后粉体活性,开发了一种高性能的Ni Cu Zn铁氧体材料。使用流延法制备长宽为125×125mm、厚度为100μm的铁氧体薄片。观察、测试了铁氧体材料的微观形貌、磁导率频谱以及铁氧体薄片的可读写距离。结果表明,铁氧体薄片的使用性能与铁氧体材料在13.56MHz时磁导率实部μ'、虚部μ"的值有关。通过改变材料中Bi2O3含量以及二磨后粉体活性,可获得致密度高、晶粒细小均匀,低频下μ'较高、μ"较低的铁氧体材料。在13.56MHz时磁导率实部μ'高于150,虚部μ"低于5。插入该铁氧体薄片后RFID天线紧贴金属的情况下可读写距离可以恢复到原始读写距离的80%。     

双复纤维长径比对其吸波性能的影响

采用电加热和化学气相沉淀(CVD)法合成双复纤维材料,研究了双复纤维含量一定的条件下长径比对吸波性能的影响.结果表明,双复纤维长径比的增大导致复磁导率和复介电常数都有所增大,其中复介电常数的实部显著增大,而且双复纤维长径比为15∶1左右时,吸波效果较好,吸收峰为-19.1dB,11.2～1 8GHz范围反射率低于-5d...     

Sol-Gel法NiCuZn铁氧体的磁导率、烧结特性及晶粒生长

用溶胶-凝胶法制备了Ni1-a-xZnxCuaFe2O4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)铁氧体超细粉。研究了材料的烧结特性,给出了烧结样品的起始磁导率μi、表观密度d、收缩率η、比饱和磁化强度σs等随烧结温度的变化。由烧结样品形貌分析SEM照片讨论了起始磁导率与晶粒尺寸等显微结构因素的关系,以及细晶粒和异常晶粒的生长过程。获得了在880±20℃烧结温度下μi>1000的良好性能。     

添加Bi_2O_3与玻璃对NiCuZn铁氧体磁导率及其温度特性的影响

采用传统陶瓷工艺制备了NiCuZn铁氧体材料,研究了添加Bi2O3、玻璃对NiCuZn铁氧体材料的磁导率及其温度稳定性和居里温度的影响。研究表明,单独添加Bi2O3时,随着Bi2O3添加量的增加,磁导率先升后降,磁导率的温度系数αμ呈负值且绝对值增大,居里温度TC几乎不变;复合添加等量Bi2O3和玻璃时,磁导率下降,随温度的变化不明显,居里温度TC随添加量增大而先升后降,但添加后的TC均高于不添加的。适量添加Bi2O3、玻璃可以改善材料的温度稳定性。     

低温烧结NiCuZn铁氧体的软磁特性

用溶胶-凝胶法制备了NiCuZn铁氧体.给出了Ni0.75-xZnxCu0.25Fe2O4的磁导率频谱曲线及μi、fr、Ms、Hc、TC随Zn含量x的变化.获得了在860~875℃的烧结温度下(100kHz下)起始磁导率μi = 610~300、比损耗因子tanδ/μi=(1.1~4.6)×10-6,和在880℃下烧结μi > 1000的良好性能.     

NiCuZn铁氧体材料的应用与开发

近年来NiCuZn铁氧体材料在电子和通信领域的应用越来越广泛,对材料性能也提出了更高的要求.针对应用和市场需求,近年来我们对不同类型的NiCuZn铁氧体材料开展了系统研究.主要采用氧化物法研制了高磁导率NiCuZn铁氧体(NCN-H系列)、高Q值NiCuZn抗EMI材料(NCN-Q系列),采用Sol-Gel法制备了高磁导率纳米NiCuZn铁氧体材料.部分材料性能达到甚至超过了国外同类材料水平.本文概括介绍了所研制的这几类材料的性能.     

Co2+取代与Li+掺杂对NiCuZn铁氧体磁性能和直流叠加特性的影响

采用固相反应法制备了低温烧结NiCuZn铁氧体,研究了Co2+取代与Li+掺杂对NiCuZn铁氧体材料的饱和磁感应强度、剩磁、矫顽力、起始磁导率以及在直流偏置场下增量磁导率的影响.研究表明,适量的Co2+取代与Li1+掺杂会通过影响铁氧体材料的磁晶各向异性常数在一定程度上影响材料的磁导率.随着直流偏置场的增大,材料的磁...     

氧化物法NiCuZn铁氧体的低温烧结特性、磁导率及显微结构

用固相反应法(氧化物法)制备了成分为Ni1-a-xZnxCuaFe2-(O4(0.15≤a＜0.25,0.1≤x≤0.65)的 NiCuZn铁氧体超细粉.研究了材料的烧结特性,给出了烧结样品的起始磁导率μi、品质因数Q、表观密度d、预烧、烧结收缩率η等随烧结温度的变化.由收缩率、相对比饱和磁化强度σsp/σs的烧结温度曲线讨论了致密化过程与固相反应的关系.由烧结样品形貌分析SEM照片讨论了起始磁导率与晶粒尺寸等显微结构因素的关系,以及细晶粒和异常晶粒的生长过程.获得了在870±10℃烧结温度下μi＞835±10%、Q＞140、比温度系数α＜1×10-6/℃、居里温度TC＝130℃、电阻率ρ＞1012Ω·cm、比损耗因子tgδ/μ＜8.4×10-6的良好性能.其μQ=12.3×104,是Sol-Gel法的2倍.     

NiCuZn铁氧体电磁屏蔽片的尺寸设计与表征

采用固相反应法制备NiCuZn系铁氧体粉料,以此粉料为原料采用流延法制备了不同尺寸(长、宽、厚)的电磁屏蔽片。测试并研究了RFID天线的S11(天线回波损耗)曲线以及可读写距离与紧贴其背后的屏蔽片的厚度及长宽尺寸之间的关系。结果表明,改变屏蔽片的厚度与长宽尺寸以及经过裂片处理,可以调节S11曲线吸收峰中心频率的偏移。吸收峰中心频率偏移的减小可以提高RFID卡可读写距离的恢复比例。     

Sol-Gel法低温烧结NiCuZn铁氧体的磁导率、温度系数等性能与Zn含量的关系

用溶胶-凝胶法制备了Ni1-a-xZnxCuaFe2O4(0.15≤a<0.25,0.1≤x≤0.65)铁氧体超细粉。测量了烧结样品的起始磁导率μi、Q值、比温度系数αμ/μi、居里温度TC、饱和磁化强度Ms、矫顽力Hc等与Zn含量的μ关系。给出了六个不同Zn含量样品的磁导率温度曲线。发现随Zn含量的增加比温度系数αμ/μi(20~60℃)由正到负。获得了μi>1000、比温度系数αμ/μi<1×10-6/℃、居里温度TC=125℃、比损耗因子tanδ/μi<2×10-5μ的高导、低温度系数、低烧(880±20℃)NiCuZn铁氧体材料。     

Cu取代Zn对NiCuZn铁氧体磁性能和介电性能的影响

用传统的陶瓷工艺合成Ni0.15Cu0.2+0.02xZn0.65-0.02xFe2O4(x=-2,0,2,4)铁氧体。发现Cu取代Zn对样品的微观结构、居里温度、磁性能和介电性能都有很大的影响。磁导率随x的增大先增大后减小,在x=2时取得最大值。但品质因数始终随x的增大而增大。与此同时,居里温度随x的增大而增高。随着x的增大,介电常数增大;而介电损耗先减小后增大,当x=2时取得最小值。实验结果表明,在x=2时,能制备出高性能的NiCuZn铁氧体材料。     

NiCuZn铁氧体磁片在NFC天线中的应用及仿真分析

采用线圈式结构设计了近场通信(NFC)天线,并将NiCuZn铁氧体柔性磁片应用于NFC天线系统。利用HFSS仿真软件,研究了天线介质基板厚度、线圈走线宽度、铜线间距以及柔性磁片等对天线回波损耗、谐振频率以及磁场分布的影响。结果表明,天线的走线宽度、走线间距、介质板厚度等参数会影响天线的输入阻抗从而改变谐振频率,最佳的基板厚度0.8 mm、走线宽度a=0.5 mm、走线间距b=1 mm;金属片会导致NFC天线谐振频率偏移,而NiCuZn铁氧体柔性磁片能有效防止金属对天线磁场的干扰以及谐振频率偏移。     

较高磁导率高饱和磁通密度HN120B NiCuZn材料的研制

根据平板显示器对软磁铁氧体材料性能的要求,通过优化配方组成,采用TiO2-V2O5、Bi2O3等复合添加剂,针对不同原材料粉体采取的不同工艺处理技术,研制了在常温下起始磁导率(μi)为1200、饱和磁通密度(Bs)大于360mT、居里温度(TC)高于160℃以及具有较高电阻率的NiCuZn铁氧体材料,并已实现小批量生产.     

Co~(2+)替代对NiCuZn铁氧体电磁性能的影响

采用固相反应法制备了低温烧结NiCuZn铁氧体,研究了Co2+替代量对铁氧体材料显微结构、饱和磁感应强度、矫顽力以及在偏置磁场下磁导率和品质因数的影响。研究表明,对于低磁导率的NiCuZn铁氧体,适量Co2+替代可对铁氧体负的磁晶各向异性常数进行补偿,能在一定程度上提升材料的磁导率。在大直流偏置场的作用下,铁氧体的磁导率都出现明显的下降,而矫顽力是决定其增量磁导率的主要因素。     

V_2O_5/MoO_3掺杂对NiCuZn铁氧体结构和性能的影响

采用固相反应法制备了NiCuZn铁氧体,研究了V2O5/MoO3不同掺杂量对材料电磁性能的影响以及V2O5/MoO3这两种物质掺杂效果的对比。结果表明,在900℃烧结条件下,随V2O5/MoO3掺杂量的增多,样品起始磁导率呈现出先增大后减小的规律(掺杂0.25wt%V2O5/0.5wt%MoO3时出现磁导率峰值)。对比两种掺杂物质,发现掺MoO3样品的起始磁导率和饱和磁化强度略好于掺V2O5的样品;掺V2O5样品的品质因数和矫顽力好于掺MoO3的样品。     

高性能低温烧结NiCuZn材料ZL500的开发

介绍了一种应用于MHz下的高磁导率(μi=500)、高Q值(在1MHz下超过120)、低烧结温度(880℃)NiCuZn材料的开发。研究表明,引入适量的CuO并掺杂适量的V2O5和Co2O3可以促进晶粒的生长,从而降低烧结温度,并且可以获得高Q值;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺获得了优良的材料性能。     

预烧温度对高磁导率NiCuZn铁氧体性能的影响

为从工艺上进一步提高高磁导率NiCuZn铁氧体材料的综合性能,研究了预烧工艺对该类材料主要电磁性能的影响.结果表明,适宜的预烧温度可较大程度地提升材料的起始磁导率,且品质因数及频率特性也能得到改善,而过高或过低的预烧温度都会对材料的起始磁导率及品质因数造成不良影响.不同预烧温度引起粉料活性及收缩率的差异是其影响材料电磁性能的主要原因.