共查询到19条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
2.
本文利用BPM算法设计了40通道100G间隔的AWG,并利用PLC标准工艺制作了AWG器件.该器件的插入损耗为4 dB,相邻通道串扰为30 dB,非相邻通道串扰为38 dB,1 dB带宽为0.26 nm,实现了预先设计的目标. 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
本文讲述了基于SOI材料的5×5阵列波导光栅(AWG)的设计与器件的制作.设计结果显示,通过选择合适的波导结构可以有效地减小器件的偏振特性;采用合适的弯曲半径,不但可以减小器件的损耗,而且可以降低器件的串扰.器件的测试结果表明,器件的中心波长、通道间隔与设计值基本相符;器件的相邻信导串扰接近10dB.器件初步达到分波的功能. 相似文献
10.
采用绝缘层上Si(SOI)纳米线阵列波导光栅(AWG)结构设计了超紧凑光纤到户(FTTH)单纤三向滤波器。二维时域有限差分(2D-FDTD)模拟输出光场表明,3个波长光信号输出光场清晰,实现了1490 nm和1550nm下行波长的解复用和1310 nm波长的上传复用功能;进一步的输出功率模拟表明,当各波长信号输入功率为1 mW时,1490 nm端口输出功率为0.49 mW,1550 nm端口输出功率为0.49 mW,1310 nm上传信号功率为0.55 mW,相应的插入损耗分别约为-3.1、-3.1和-2.6 dB。各端口的串扰光功率可被抑制到-25.2 dBm以下,相应的串扰小于-22.6 dB。采用电子束(EB)光刻结合诱导耦合等离子干法(ICP-RIE)刻蚀,制备出了Si纳米线单纤三向滤波器,经红外CCD成像观察到器件具有3个波长的分波功能。 相似文献
11.
12.
13.
MMI阵列波导光栅复用/解复用器的研制 总被引:1,自引:1,他引:1
详细分析了基于自镜像效应的 MMI DMUX器件的基本工作原理 ,在此基础上 ,在 SOI材料上完成了对 8信道 MMI DMU X的具体设计 .该器件的输入、输出单模波导采用 Soref的大截面脊形光波导理论进行优化设计 ,最后获得了当输入、输出单模波导宽度为 5 μm,SIE多模波导宽度和长度分别为 72 μm和 6 313.4μm时 ,该器件对8信道波长的隔离度均在 35 d B以上 ,且理论传输损耗 <0 .18d B. 相似文献
14.
本文采用紫外固化胶将光纤、Silica基阵列波导光栅(AWG)、1310 nm激光器(LD)平台和1490 nm、1550 nm探测器(PD)平台混合集成为一新型单纤三向器(Triplexer).其中,LD平台是由1310 nmLD、薄膜匹配电阻和50欧微带线(MSL)构成;PD平台是由两部分电路组成,一部分是由1490 nmPD、1.25Gb/s的跨阻放大器(TIA)和50欧MSL构成,另一部分是由1550 nmPD和50欧MSL构成.两个平台的基底都采用了镀金的硅片.小信号测试结果表明,LD在偏置电流为15 mA时的3dB带宽大约为4GHz;1490 nmPD部分接收电路3dB带宽大约为1.2GHz;1550 nmPD部分接收电路3dB带宽大约为1.9GHz. 相似文献
15.
AWG器件是目前光通信元器件中重要的研究课题,而材料是决定AWG性能的基础。本文主要分析了硅基材料、聚合物和磷化铟基等材料在AWG制作技术中的材料特性与应用特点,同时展示了AWG在光通信领域中的应用前景。 相似文献
16.
采用2点及3点Stigmatic points方法设计阵列波导光栅(AWG)器件,对传统的Rowland圆结构设计做了改进。比较分析了传统设计和改进设计AWG器件的像差,讨论了阵列波导的接收孔径及输入光信号的等效高斯光束发散角对AWG器件性能的影响。指出了传统的Rowland圆结构设计在设计高通道数AWG器件时存在的边缘通道性能劣化问题,采用多点Stigmatic points方法设计能很好地解决这一问题。 相似文献
17.
18.
级联非平衡Mach—Zehnder干涉仪型复用器特性分析 总被引:4,自引:2,他引:4
本文分析了非平衡马赫-曾德干涉仪的特性,设计和讨论了多级级联非平衡马赫-曾德干涉仪型密集波分复用/解复用器,对其光谱特性、信道谱宽和隔离度进行了模拟分析,结果表明利用光纤光栅来提高信道隔离度的结构可以满足系统需要。这种结构复用/解复用器可用于至少16路或32路的密集波分复用系统中。 相似文献
19.
在Si基SiO2材料上设计并制作了中心波长为1.55 μm、通道间隔为0.8 nm的8×8阵列波导光栅(AWG).详细介绍了器件的设计、制作和测试,并对测试结果及工艺误差进行了深入的分析讨论.封装后的测试结果显示,器件的3 dB带宽为0.22 nm;中央通道输入时,最小和最大插入损耗分别为4.01 dB和6.32 dB;边缘通道输入时,最小和最大插入损耗分别为6.24 dB和9.02 dB;对比不同通道输入时输出通道的中心波长,其偏移量低于0.039 nm;器件的通道间串扰小于-25 dB;偏振依赖损耗(PDL)小于0.3 dB. 相似文献