掺杂多晶硅及其在微波动率晶体管中的应用

引言 我们与北京电子管厂共同研制的400兆赫20瓦,1千兆10瓦的晶体管,在1974年作出样管的基础上,现在继续小批量生产。这种管子目前主要用在航空电台、微波中继通讯,经使用单位鉴定,电性能基本上达到要求。目前,该产品存在的主要问题是易烧毁。 为了提高管子抗烧能力,在制管工艺中一般都采用发射极镇流电阻。 通常采用Ni-Cr电阻、Pt-Si电阻,但镇流效果不理想,为进一步提高管子二次击穿性能,准备采用掺杂多晶做纵向分立镇流电阻。本专题工作是为此目的而开展的。     

信号流图在计算晶体管反馈放大器中的应用

晶体管放大器的特点之一是输入阻抗很低,后一级对前一级的影响很大,因而对于多般放大器的计算增添了不少麻烦,尤其对于计算多级反馈放大器更是如此.本文试图利用信号流图来计算晶体管多级反馈放大器,用这种方法进行计算不仅可以较方便地算出电压放大倍数及反馈的大小,还可以看出晶体管放大器所特有的内部反馈及其性质(正或负),必要时也能求出放大器的频率特性.实验结果表明这种计算方法的准确性是令人满意的.     

晶体管直流放大器的设计

随着半导体元件可靠性的提高,作为提高自动控制装置和工业计测装置之高速化的手段,晶体管放大器得到了广泛地应用。因此,设计可靠性高的晶体管直流放大器电路将是一个很重要的问题。     

互阻抗放大器的设计

大多数工程师都知道,设计互阻抗放大器需要一个足够大的电阻,以把输入电流转换成一个在合理范围内的输出电压。为了使电路稳定,需要在反馈电阻上并联一个足够大的电容。本文将说明在确保互阻抗放大器具有尽可能大的带宽以及保证系统稳定的情况下,如何计算反馈电容值。     

零器模型在晶体管放大器分析中的应用

晶体管放大器常采用图解法和等效电路法进行分析．本文以ｎ－ｐ－ｎ型晶体管为例，介绍了零器模型（包括静态模型和动态模型）在晶体管放大器分析方面的应用，它与传统方法不同，简便易行。     

功率场效应晶体管放大器的现状及其应用

前言自从一九六二年九月,日本美利欧公司最早出售晶体管放大器以来,至今十年期间,大部分的放大器都成为晶体管化了。和以前运用较多的电子管放大器相比,这种双极晶体管放大器在电性能(频率特性,失真特性,信噪比,耗电量,可靠性)和机械性能(小型化,强度)等诸方面都显示出很大的优点,尽管如此,但是人们还是喜欢电子管放大器的音质,有的人就非常喜爱2A3的音质。虽然电子管放大器和晶体管放大器在音质方面存在着非常微妙的差异,但是目前还作不出哪个更好的结论。因此,人们又用具有三极管特性的功率场效应管制成了放大器。场效应管是继电子管和晶体管后的第三种器件,它具有电子管和晶体管二者兼有的特性,同时在音质方面也能令人十分满意。     

微电流放大器及其应用

在光电探测领域，大多数探测器(如STM，PIN，PMT或APD)均需要将接收到的光信号转换成电流信号。而实际信号处理电路则是以电压作为处理信号的。因此，如何将电流信号尽量无失真地转变为电压信号是应用工程师关注的焦点。传统电路中应用低噪声电阻来完成这种转换。而低噪声电阻转换对微弱信号的信噪比损失较大，更为严重的是，这种转换使系统的增益和带宽形成尖锐的矛盾。     

高频功率晶体管阻抗的分析和测量

引言 高频功率晶体管的输入、输出阻抗是一个很重要的应用参数,因为它是设计和制作高频功率放大器的关键数据。这一参数在目前产品手册中还很少给出,有关这一参数的详细分析和严格的数学推导也不多。这里我们以小讯号工作作为分析的基础,逐步过渡到大讯号工作状态,分析高频功率管阻抗所具备的一些特点,并对动态阻抗的测量和有关问题进行一些讨论。     

LCR测量仪在阻抗测量中的应用

介绍了LCR测量仅的工作原理及其阻抗测量的特点,分析了信号源输出阻抗、寄生分布参数对阻抗测量结果的影响,指出电容、电感溅量中应注意的一些同题.     

DirectDrive技术及其在耳机放大器中的应用设计

介绍了Maxim公司的DirectDrive技术及其在MAX9754耳机放大器中的应用,同时通过应用实例给出了DirectDrive技术在应用设计中的注意事项.     

晶体管宽频带反馈放大器的设计

本文研究了晶体管宽频带反馈放大器设计中反馈环的过剩相位问题,叙述了实际限制最大反馈量主要是发射极引线电感引起的过剩相位,并明确了过剩相位与放大器设计上所需晶体管参数的关系。本文应用研究的结果提供了一个实例,用 fr 为1000 Mc/s 的晶体管在12Mc/s 的频段内可以得到平坦反馈量为32 dB 的反馈放大器。     

宽频带晶体管反馈放大器的设计

本文所述的设计方法,能很好地克服在设计共发射极晶体管音频放大器中所存在的所有限制。这种方法,主要依赖于交替使用串并联反馈的各级之间的阻抗匹配。本文指出,能实现的增益一带宽的乘积,超过0.9(?),且此积对于晶体管参数的变化不灵敏,同时能够获得高的输出电压。建立了增益和带宽两者的方程,其型式特别适用于实际设计工作,并较简单、准确。     

晶体管载波通讯机群放大器的设计

本文对群放大器的技术要求进行了分析，指出了设计的构思和考虑，得出了总体电路和各元件值，并对实测结果进行了讨论。为实用者提供了理论依据。     

窄带微波晶体管放大器的基本设计

晶体管放大器的基本设计有三种:最大增益设计、低噪声设计和高功率放大设计。采用不同的工作方式工作时,FET(场效应晶体智)或双极晶体管对于其源电阻和负载电阻(一般为50欧姆)呈现不同的反射系数,因此,对不同的工作方式需要用不同的设计手段。     

宽带砷化镓场效应晶体管放大器的设计

实现了具有电抗补偿器和分节阻抗变换器的砷化镓场效应晶体管放大器,并对其特性作了测量。砷化镓场效应晶体管的输入和输出阻抗的虚部用电抗补偿器转换成任意电阻,然后再用分节阻抗变换器转换成50欧姆特性阻抗。对于采用 f_(max)-15千兆赫砷化镓场效应晶体管的放大器,在6.5千兆赫时得到2千兆赫1分贝带宽和5分贝的增益,且其值大致与计算值相符。己实现7分贝的噪声系数。     

微通道板的电子鉴别率及其测量

本文介绍了微通道板(MCP)的名义鉴别率和电子鉴别率;指出了电子鉴别率是表征 MCP 成象质量的一个重要参数;给出了用紫外光电法测量 MCP 电子鉴别的装置、方法和实测结果;分析了 MCP 输出端内壁涂以一定深度的导电层对改善 MCP 成象质量的作用。