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1.
文章针对S参数提取微波功率FET小信号等效电路参数方法,着重论述二种改进的算法,并应用于我所研制的微波功率2100μm栅宽的GaAsMESFET管芯的小信号等效电路13只元件参数计算,计算得出的S参数与实验数据相吻合,提高了计算速度和精度。 相似文献
2.
非均匀掺杂增强型埋沟pMOSFET阈值电压的建模 总被引:1,自引:1,他引:0
比较了增强型埋沟pMOSFET和增强型表面沟道pMOSFET的导通机理,提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法,推导了增强型埋沟pMOSFET阈值电压的计算公式,比较了增强型埋沟pMOSFET阈值电压的计算值和测量值,计算值和测量值的相对偏差<10%,表明文中提出的有关方法和模型是有一定精度的。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值电压的两个主要参数。 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
4.
阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。 相似文献
5.
采用目标函数计算GaAs MESFET小信号等效电路的新方法 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种计算GaAs MESFET器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算,且作为非本征元件的函数。高效电路由集中元件构成,在整个测量频率范围内适用。非本征元件可以作为优化标准本征元件的方差,构成目标函数,进行迭代计算。在0至10GHz频宽内选取10多个没的偏置点,计算结果与测量的S参数相吻合,表明MESFET等效电路对测量的偏置点适用。 相似文献
6.
MESFET和PHEMT大信号建模 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了MESFET和PHEMT大信号建模的现状,提出了在DC和脉冲两种状态下通用于MESFET和PHEMT的有确I-V模型;提出了具有二维C-V模型精度的一维C-V模型格负载线S参数测量提取方法,提出了采用改进Cold FET测量与提取技术进行管壳封装器件建模的方法。本文的大信号模型具有很好的数值收敛性和标准的等效电路。提出了的模型精确地模拟了器件的DC I-V、脉冲I-V、偏置样在S参数、C-V 相似文献
7.
提出适用于功率GaAsFET的新的大信号模型以及脉冲I-V和小信号S参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率FET的大信号模型参数,并用该模型模拟和测量了器件大信号S参数,结果完全一致。 相似文献
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刘崇新 《微电子学与计算机》1994,11(3):53-56
在高频域,MOSFET的分布参数对全集成MOSFET-C滤波器的特性有很大影响,本文应用SPICE(Ⅱ)通用模拟电路程序,采用非理想运算放大器单极点电路模型,考虑到MOSFET的寄生电容,对一个六阶切比雪夫低通滤波器全MOSFET-C平衡结构应用传输线模型进行了仿真分析。 相似文献
10.
赵秀芳 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
大功率FET芯片大信号的S参数报导了直至12GHz、6W下,对18mm栅宽FET芯片进行大信号S参数的测量。此法特点是测得大功率工作状态时的前向参数(S11,S21)和反向参数(S12,S22)。IEEEMicrowaveandGuidedWaveL... 相似文献
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一种提取 Statz MESFET 非线性电容模型参数的方法 总被引:2,自引:1,他引:1
文章提出一种Statz GaAs MESFET非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法,并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据,判定提取的电容模型参数的正确性。计算表明,对偏置的电容Cgx和Cgd数据情况,提取Statz非线性电容模型参数较适用。 相似文献
13.
通用于GaAsMESFET和HEMT的精确Ids模型 总被引:1,自引:0,他引:1
回顾了十年来国内外在GaAsFET大信号模型方面的研究进展,提出了可用于MESFET和HEMT的统一的精确沟道电流模型。 相似文献
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本文重点论述GaAs IC CAD方法,包括:精确的GaAs MEsFET、HEMT和HBT等有源器件模型;大、小信号模型参数提取;噪声模型;成品优化;高频、高速微带传输线模型;电路模拟与优化;砷化镓门阵等。还评述了GaAs IC CAD集成软件包及进一步工作。 相似文献
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凹槽栅MOSFET凹槽拐角的作用与影响研究 总被引:5,自引:0,他引:5
短沟道效应是小尺寸MOSFET中很重要的物理效应之一,凹槽栅MOSFET对短沟道效应有很强的抑制能力,通过对凹槽栅MOSFET结构,特性的研究,发现凹槽拐角对凹槽栅MOSFET的阈值电压及特性有着显著的影响,凹槽拐角处的阈值电压决定着整个凹槽栅MOSFET的阈值电压,凹槽拐角的曲率半径凹槽MOSFET一个重要的结构参数,通过对凹槽拐角的曲率半径,源漏结深及沟道掺杂浓度进行优化设计,可使凹槽栅MOS 相似文献
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SOI-MOSFET主要模型参数得一致的提取,因而该模型嵌入SPICE后能保证CMOS/SOI电路的正确模拟工作,从CMOS/SOI器件和环振电路的模拟结果和实验结果看,两者符合得较好,说明我们所采用的SOI MOSFET器件模型及其参数提取都是成功的。 相似文献
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利用测量得到的[S]参数和线性噪声参数Fmin、Yopt及Rn来获取器件的非线性本征噪声因子,修正了非线性电路模拟程序中GaAsMESFET器件噪声因子,并将实验结果与直接优化结果进行了比较。 相似文献