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扩散硅压力传感器及其温度补偿 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了扩散硅压力传感器及其温度补偿问题,给出了压力传感器模拟补偿和基于微处理器迸行数字补偿的一般方法。数字补偿方法可将压力传感器的精度提高到 0.05%~01% FS。 相似文献
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扩散硅压力传感器的综合补偿及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
针对扩散硅压力传感器所存在的温度漂移和非线性等问题,分析并建立了对其实现综合补偿的方程式,并利用单片机予以实现,最终使数字压力计的精度达到0.05级。 相似文献
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扩散硅压力传感器温度补偿问题一向被人们关注。常用的补偿法有:在力敏电阻桥中串、并联电阻~([1])或单元补偿网络~([2])、有源温度补偿网络~[3])、恒压供电三极管外补偿法~([4])及可调温度系数的电压源补偿法~([5])等等。文献~([3~5])中的补偿法是利用温敏元件来改变供桥电压的温度特性,达到对传感器温度性能的补偿,是有源补偿法,其实质是利用供桥激 相似文献
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硅压阻式压力传感器的温度补偿 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了硅压阻式压力传感器的温度误差来源,给出了通过长时间实验的温度与传感器输出电阻的数据,提出了对此类传感器温度误差的测量和修正方法,从而保证此类传感器在大温度范围内得到高精度使用。 相似文献
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扩散硅压力传感器的传输特性受温度影响较大,必须采用某种手段将传感器的输入压力与温度进行解耦,从而实现对压力传感器输出的有效补偿,进而得到准确可靠的压力测量值.文中分析了一般扩散硅压力传感器的误差组成,针对误差提出了一个简单而又高精度的补偿模型,建立了有效算式,最后通过实例验证了算法的正确性,其精度可达到0.1%FS以下. 相似文献
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本文从实验上研究了环境温度、流体温度和芯片温度对热导式硅流量传感器性能的影响,所得出的结果为有效的温度补偿提供了理论与实验的依据,并可望用于实际应用。 相似文献
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扩散硅压力传感器性能优化研究 总被引:4,自引:1,他引:4
本文论述了实现扩散硅压力传感器性能优化的一些技术措施、设计原理和工艺技术.采用矩形双岛硅膜结构等新型微机械结构可提高灵敏度和精度并实现过压保护;通过改善工艺并进行表面钝化、改进封装工艺与结构等可改善稳定性;用恒压源及三极管补偿法和等效电阻最佳耦合法可对其灵敏度、零位温度系数进行补偿;采用各向异性腐蚀工艺技术可实现集成化生产. 相似文献
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研究了利用压力位移气动传感方法和扩散硅压力传感器所组成的系统,通过理论和实验方法对系统的特性、误差进行了分析,对系统的非线性进行修正后,可实现测量范围达100μm,测量精度为±lμm的要求. 相似文献
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本文概述了硅霍尔传感器的进展,介绍了采用微电子技术的制造工艺和高精度矢量磁探头的研制,以及已被验证的采用磁断续器增强检测灵敏度的新结构器件,并以角位移传感器和电流传感器为例介绍了其最新应用。 相似文献
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微压传感器制造中的硅杯腐蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
<正> 一、前言 对于杯式扩散硅压力传感器来讲,硅杯是决定其性能优劣的关键部件。我们知道,工作压力P与硅杯的几何尺寸应满足下式要求: 其中,r为硅杯半径;h为膜片厚度;σ_c为硅的弹性极限,σ_c=8×10~7Pa。(1) 相似文献
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针对硅压阻式传感器灵敏度和零点温度漂移大、硬件补偿电路效果不佳的问题,提出最小二乘支持向量机方法对其温度漂移进行补偿。首先分析了经硬件补偿后的硅压阻式传感器的温度漂移特性,在整个检测范围内选取均匀分布的温度、压力数据作为模型输入,经预处理后对输出数值进行训练,并运用网格搜索法和交叉确认法优化模型的惩罚因子和正则化参数,建立了传感器温度补偿模型。实验结果表明,基于最小二乘支持向量机的温度补偿算法在0~100℃温度范围内把传感器输出综合精度从3.2%FS提高到0.25%FS,进一步提高了传感器的精度和温度使用范围,具有较高的实用价值。 相似文献
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针对硅压阻压力传感器提出了一种基于电桥本身参数的温度自补偿方法,并设计了一种差分输入、双参数输出的高精度处理电路用以获得电桥参数。该电路用简单元件搭建差分输入的电荷平衡式V/F转换器,根据不同组态的频率输出解算电桥参数。该电路巧妙地利用差分输入方式消除了共模电压引起的误差,巧妙借用参考电阻消除了基准频率的影响,最终的输出频率只与被测量和参考电阻有关。经实验验证,电桥电阻的测量精度能达到0.0068%,经补偿后的压力传感器精度可达0.039%,相比补偿之前提高了一个数量级。 相似文献
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为了提高硅压阻式压力传感器温度性能指标,并实现快速补偿,通过以ADμC816微处理器为核心设计了智能压力传感器,提出了传感器在宽温区下测量误差的自动补偿办法,通过对IC sensor系列压力传感器的应用,使其温度性能提高了1~2个数量级。 相似文献