浅析晶体硅太阳电池串联电阻及其测量方法

对晶体硅太阳电池串联电阻的构成进行了理论分析。介绍了几种测量串联电阻的方法和原理,并对每种测量方法的优缺点进行了比较。     

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一，本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏。应在保证p／n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。     

金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池

采用金属氧化物多层膜作为新型晶体硅太阳电池发射极,并成功制备出多层膜背接触(MLBC)太阳电池,对其器件性能进行详细分析发现,金属氧化物多层膜具有高载流子浓度、低界面复合速率、低方阻,以及优异的光学性能。最终所制备的MLBC太阳电池光电转换效率达17.16%,开路电压可达631 mV,相比于V_2O_x/n-Si太阳电池,器件效率提高了1.36%。测试结果表明,V_2O_x/Ag/V_2O_x作为晶体硅太阳电池发射极,具有低界面复合速率和接触电阻率,具有成为高效率太阳电池的潜力。     

高效晶体硅太阳电池

太阳能光伏发电系统无运动部件，运行可靠，少维护，寿命长，而且电能易利用、易输送、易储存，光伏发电是太阳能利用中最具活力的领域，它引起世界各国的关注，成为各发达国家研究开发的热点。澳大利亚新南威尔士大学已研制出效率达２０％的太阳电池组件，美国、日本、德...     

晶体硅太阳电池扩散工艺研究

作为晶体硅太阳电池制作的心脏环节,扩散的效果也就是扩散后方块电阻的均匀性显得尤为重要。影响方块电阻均匀性的主要因素有:大小氮的流量、O2的流量、通源时间、再分布时间和中心温度。通过逐一改变这些因素,分析所得数据,得到一个能有效控制方块电阻大小、使方块电阻均匀性达到最佳的规律:大小氮流量的变化共同影响方块电阻均匀性;方块电阻大小的改变主要靠温度、时间、小氮的流量的改变来调节。通过以上实验规律的研究,便于常规工艺的调试和高方块电阻工艺中高方块电阻的制备和极差的优化。     

晶体硅太阳电池的材料优化

介绍了通过掺杂稀土离子实现太阳光波上下量子剪裁和采用微纳米结构硅基材料增强光电流密度的方法来增强有效光子;设计了具有量子增强效果的pin硅基结构,p层表面制作黑硅高吸光结构,i层制作为量子点结构;并简述了通过梯度掺杂制结扩大、增强内电场从而增强光伏效应的原因。     

晶体硅太阳电池制备工艺进展

晶体硅太阳电池是目前应用最广、技术最为成熟的太阳电池,以晶体硅太阳电池生产流程为基础．主要从降低生产成本和提高电池转换效率方面出发,介绍了太阳电池制备工艺的最新进展,并对各种制备工艺作出了评价和展望。     

晶体硅太阳电池钝化工艺的研究

采用热氧化法在多晶硅及单硅大面积太阳电池上生长二氧化硅钝化膜,结合丝网印刷制电极及二氧化钛减反射膜工艺,使太阳电池的扩散长度及效率得到改进。也进行了在多晶硅太阳电池上采用等离子沉积法制作氮化硅减反射膜的研究。     

晶体硅太阳电池电致发光的研究

基于辐射复合理论,建立晶体硅太阳电池电致发光强度的数学模型,从所建立的数学模型出发,理论上计算电致发光光谱,分析电致发光强度与正向偏压、少数载流子扩散长度之间的关系并与实验结果相比较.     

醋酸对晶体硅太阳电池组件影响

主要阐述醋酸对晶体硅太阳电池组件中涂锡铜带的影响,醋酸对太阳电池的腐蚀特性以及对太阳电池组件性能的影响。实验结果表明：（1）稀醋酸使涂锡铜焊带发生电化学腐蚀,产生氧化黄变,此腐蚀对其电阻率影响较小;（2）稀醋酸腐蚀电池片表面银电极和铝背场,使银电极变黑,铝背场与硅片的附着力下降,对电池片造成损害影响其电性能;（3）组件在湿热试验过程中EVA发生老化反应,产生的醋酸会有腐蚀封装其中的涂锡铜焊带和太阳电池,使串联电阻Rs增大,填充因子FF降低,组件输出功率降低。     

晶体硅太阳电池选择性扩散的研究

该文主要介绍一种制造太阳电池的选择性扩散新工艺,采用印刷电极的方法在硅片上的电极位置印刷高 磷浆料,然后在整个硅片表面喷涂一层浓度较低的磷源,放入高温炉中扩散后形成电极下具有较高的表面掺杂浓 度(-1020／cm3),电极间具有相对较低的表面掺杂浓度(-1019／cm3)。这样在电极下及具附近将构成一个浓度差结。 这种发射极结构有利于减小发射区复合电流、提高短波响应、作好欧姆接触和提高太阳电池的开路电压等优点。     

高效晶体硅太阳电池技术及其应用进展

综述几种极具应用前景的高效晶体硅太阳电池的技术和应用进展,包括选择性发射极太阳电池、异质结太阳电池、交错背接触太阳电池、金属环绕贯穿太阳电池,以及发射极环绕贯穿太阳电池。     

工业化薄晶体硅太阳电池背电极浆料

对薄晶体硅太阳电池的生产工艺和材料进行了试验.通过调整背电极浆料和电池基片厚度,探索了减少太阳电池弯曲度的途径.试验显示,使用薄片铝浆对电池弯曲度的影响有明显改善,弯曲度可降低52%,电池片弯曲度最小为0.55 mm.     

弱光下晶体硅太阳电池的开路电压

讨论了弱光下影响晶体硅太阳电池开路电压的主要因素。要提高弱光下开路电压主要应提高太阳电池的并联电阻。     

晶体硅太阳电池的缺陷检测及分析

针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题,利用多种测试设备(EL、PL、Corescan等),在电池制作的主要工序段(扩散、镀膜、印刷、烧结)对硅片和电池片进行检测,归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因。     

晶体硅太阳电池串联内阻的函数形式

在已知的四种电阻函数形式中，通过理论推导并结合晶体硅太阳电池功率随着温度上升而下降的实验事实，理论证明晶体硅太阳电池串联内阻具有正温度系数半导体型电阻的数学表述形式。利用该数学形式对实测内阻数据进行拟合，结果令人满意。     

减薄晶体硅太阳电池给薄膜太阳电池的启示(上)

一引言随着国际社会越来越关注环境问题以及能源技术不断进步,一个称之为“能源经济”的学说正悄然兴起,述说着新能源的重要性以及如何发展节能环保的新产品与新经济结构;为改造化石能源利用,找寻突破口;建立生态城.     

晶体硅太阳电池光诱导电镀工艺的研究

研究了在晶体硅太阳电池正面制备种子层,并采用光诱导电镀(LIP)银方法在电池正面制备电极。对比了LIP工艺和普通丝网印刷工艺制备的电极形貌,分析了此工艺对电池电性能参数的影响和电池转换效率提升的原因。研究表明,LIP技术能有效地降低电池制备生产成本,提升光电转换效率。     

减薄晶体硅太阳电池给薄膜太阳电池的启示(下)

二减薄电池的发展1 厚度减薄问题的提出减薄材料厚度除成本优势外,还会带来什么好处以及相应难点?事实上减薄厚度有利于增强PN结电池内光生载流子的收集.美国RCA的David Redfield等[3,4]于1974年首先对晶硅太阳电池的厚度提出“疑议”,明确提出减少晶硅太阳电池吸收层材料厚度的好处以及相应因厚度减薄而使光吸收不足的解决办法.     

非晶硅/晶体硅异质结太阳电池计算机模拟

运用AMPS程序模拟计算了p-型非晶硅/n-型晶体硅HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)异质结太阳电池的光伏特性.通过对不同带边补偿情况下的计算结果同文献报道相比较,得出导带补偿小部分(0.18eV),价带补偿大部分(0.5eV)的基本结论.同时还证实,界面态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(Voc)和填充因子(FF).最后计算了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论效率Eff=27%(AM1.5 100MW/cm2 0.40～1.10μm波段).