等间距平行电极接触电阻测试法

根据不同电流模式下金属-半导体界面的接触电阻表达式,结合端电阻,推导出不同接触电阻之间的关系式,进一步提出等间距传输线模型(以下简称SSTLM)的接触电阻测试法。该模型测量方便、计算精确,适用于等间距平行电极之间接触电阻的测量,特别适用于晶体硅太阳电池串联电阻的测试与分析。     

晶体硅太阳电池丝网印刷电极接触电阻及其测量

金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一，本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。判断印刷烧结工艺的好坏。应在保证p／n结特性良好的前提下使接触电阻最小为最佳。     

金属氧化物多层膜晶体硅太阳电池的背场研究

在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs_2CO_3、LiF_x,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs_2CO_3、LiF_x作为背场在氧化钨金属多层膜(WAW)/n-Si太阳电池中对电池性能和稳定性的影响。3种电子选择性材料中,2 nm的LiF_x对电池转换效率的提升最高,稳定性最好。对WAW/n-Si/LiF_x太阳电池R_s的各部分组成进行提取和分析,表明LiF_x/n-Si的接触电阻和LiF_x/Ag接触电阻仅占总串联电阻的0.2%,背场工艺得到最佳的优化。将LiF_x做为背场应用于氧化钒金属多层膜背接触晶体硅(MLBC)太阳电池中,达到19.02%的转换效率,而且用环氧树脂封装的MLBC太阳电池放置在空气中表现出极好的稳定性。     

太阳电池光电性能户外测试方法与测试仪器

提出了通过测量环境温度及自然阳光下标准太阳电池短路电流来确定太阳实际辐照度的方法,设计了太阳电池光电性能户外测试仪器,可在现场对太阳电池的I-U曲线、短路电流、开路电压、峰值功率、峰值功率点所对应的电流和电压、填充因子、光电转换效率和串联电阻等进行快速测量,并将各项测量结果转换为STC下的对应值。实践证明,该仪器使用方便,测量结果重复性好、精度高。     

太阳电池内部电阻对其输出特性影响的仿真

通过对太阳电池的等效电路进行分析,建立了太阳电池的计算机仿真模型,定量地模拟了在一定光照下太阳电池内部的等效并联电阻及串联电阻对其伏安特性、开路电压、短路电流及填充因子的影响的程度。仿真结果表明：等效并联电阻产生的漏电流会影响太阳电池的反向特性和正向小偏压特性,且并联电阻影响其开路电压,但对短路电流基本没有影响；等效串联电阻会影响太阳电池的正向伏安特性和短路电流,而对开路电压没有影响；另外,并联电阻的减小和串联电阻的增大都会使太阳电池的填充因子和光电转换效率降低。仿真结果与实际测量的数据取得了相一致的结论。     

晶体硅组件的串联电阻损失及改善

对晶体硅太阳电池组件串联电阻的组成及产生机理进行分析,并将理论计算值与实际测量值进行比较。结果表明,理论计算值十分接近实际测量值。指出晶体硅太阳电池组件串联电阻随太阳电池效率的提高及太阳电池I-V曲线一致性的改善而减少。提出减少晶体硅太阳电池组件串联电阻的设想,并给出新结构组件的设计方案。     

CdS/Cu_2S太阳电池栅极材料对电性能的影响

Cu_2S与收集栅的接触对CdS/Cu_2S太阳电池的效率和稳定性有很大的影响。本文报道了栅极材料对该电池电性能的影响。我们在光刻的铜栅上电镀Au、Ag、Cu、Ni、Zn、Sn、和Sb等金属,制成不同的栅网,并制成面积4cm~2的电池样品,对其电流—电压特性和接触电阻进行了比较,测量并计算了电池的V_(oc)、I_(sc)、η和FF。     

MIS反型层太阳电池栅电极间距的研究

根据计算得出的ＭＩＳ／ＩＬ ｐ－Ｓｉ太阳电池的表面面电阻与固定正电荷、界面态间的关系，分析了太阳电池栅间距的尺寸范围，并实测了该电池的固定正电荷密度、界面态密度和表面面电阻及电极栅间距对其性能的影响。     

太阳电池效率与串联电阻的近似指数关系

太阳电池的串联电阻对其效率有显著的影响。呈近似指数关系。串联电阻对填充因子有重要的影响。串联电阻。对太阳电池的卜一v特性进行数值分析，证明效率和串联电阻由实测的开路电压、短路电流和效率可以简便地数值计算确定     

太阳电池光谱响应测试中负载电阻的选择

在太阳电池光谱响应测试中，短路电流Jsc的测试多采用测量标准电阻两端的电压来实现。本文从实验测量的角度，就电阻大小的选择作了探讨，提出了选择依据，以满足测试需要。并对晶体硅太阳电池光谱响应进行了实际测量。     

太阳电池绒面测量与分析

通过对ＭＯＳ结构电容的测量分析,计算出太阳电池表面积的变化,实现对电池绒面制作 工艺的控制与分析。实验数据与理论计算结果一致,通过ＭＯＳ系统的Ｃ－Ｖ特性测量可进一步对太阳的表面和界面特性作更加系统和深入的分析。     

非晶硅太阳电池中的非欧姆夹层

a-Si pin太阳电池暗态下存在一种串联电阻效应,并呈非线性特性。由于它的存在,使暗态电流对数值与电压之间明显偏离线性关系。该非线性电阻在高正向电压下趋于饱和,呈现集总电阻效应。从不同光强下电池串联电阻R_s和短路电流I_(sc)关系推算出的接触电阻值与上述非线性电阻的饱和值相符甚好,说明此电阻效应可能与接触特性有关。 计入非线性电阻后标出的暗态二极管参数(品质因子n、反向饱和电流I_o)与光态二极管参数(n_L、I_(oL))非常接近,在一定程度上由暗态I—V特性算出的V_(oc)与实测值一致性很好。因此认为,可由暗态I—V特性评估电池性能。     

MIS／IL硅太阳电池耐紫外辐射性能的研究

通过比较蒸发铯和浸渍铯在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中所引入的铯量、固定正电荷量、界面态密度和对太阳电池表面面电阻的影响，以及测量上述诸量和太阳电池的主要参数经紫外辐照后的变化，并从表面能带的角度分析了引入铯对太阳电池的紫外辐射稳定性的影响，解释了在ＭＩＳ／ＩＬ硅太阳电池中引入铯使该器件耐紫外辐射性能提高的原因。     

铝粉活性对双面PERC太阳电池铝浆性能的影响

探究了铝粉活性对铝浆电阻及双面PERC太阳电池开路电压的影响.实验结果表明:高活性的铝粉制备的铝浆具有较低的方阻、接触电阻及线电阻,且铝硅接触电阻率可低至11.5 mΩ?cm2;一定范围内,活性较低的铝粉制备的铝浆具有较高的开路电压,开路电压可达690.774 mV.根据太阳电池的尺寸、钝化膜质量、背面激光开槽面积、主...     

产业化晶硅太阳电池串联电阻研究

详细研究了产业化晶硅太阳电池生产中,电池正面电极体电阻、发射极横向电阻,以及正面电极与发射极结区金/半接触电阻对晶硅太阳电池串联电阻的具体影响。通过实验,文章给出了一种既经济又能有效降低电池串联电阻、提升晶硅太阳电池光电转换效率的优化方法。     

金属氧化物多层膜背接触晶体硅太阳电池

采用金属氧化物多层膜作为新型晶体硅太阳电池发射极,并成功制备出多层膜背接触(MLBC)太阳电池,对其器件性能进行详细分析发现,金属氧化物多层膜具有高载流子浓度、低界面复合速率、低方阻,以及优异的光学性能。最终所制备的MLBC太阳电池光电转换效率达17.16%,开路电压可达631 mV,相比于V_2O_x/n-Si太阳电池,器件效率提高了1.36%。测试结果表明,V_2O_x/Ag/V_2O_x作为晶体硅太阳电池发射极,具有低界面复合速率和接触电阻率,具有成为高效率太阳电池的潜力。     

激光掺杂选择性发射极技术在PERC单晶硅太阳电池中的应用

以激光掺杂选择性发射极(LDSE)技术在PERC单晶硅太阳电池中的应用为研究对象,使用太阳电池单二极管模型模拟了反向饱和电流密度与开路电压、比接触电阻与填充因子之间的关系;测试了不同激光功率和激光划线速度对扩散后方块电阻变化值的影响,并通过扫描电镜(SEM)对硅片表面形貌和电化学电容-电压(ECV)法对发射极表面浓度和结深进行了表征;采用5主栅金属化图形设计PERC单晶硅太阳电池,通过LDSE工艺参数优化,制备了平均转换效率达到21.92%的PERC单晶硅太阳电池。研究结果表明,LDSE技术可提高PERC单晶硅太阳电池的外量子效率(EQE)短波蓝光响应和转换效率。     

硅MIS/IL太阳电池的SiO膜与串联电阻

本文讨论了MIS/IL太阳电池的串联电阻与蒸发SiO膜厚度、膜中的固定正电荷密度、界面态密度之间的关系。分析表现,在满足抗反射要求的最小膜厚情况下,为使电池的串联电阻降低到可接受水平,必须提高蒸发SiO膜中的固定正电荷密度和降低界面态密度。     

量产效率>22.3%的高阻密栅PERC太阳电池及性能研究

采用低压三步法通磷源扩散制备低掺杂浓度的p-n结,并应用于高阻密栅p型单晶硅钝化发射极局域背接触(PERC)太阳电池。通过增加第二步小氮的流量以改变扩散后硅片的方阻。随着方阻的增大,发射极表面掺杂浓度降低、俄歇复合降低、平均少子寿命增加。通过ECV测试,研究不同方块电阻对发射极掺杂浓度及结深的影响,结合发射极光电损耗机理的理论分析,确定优化的扩散后方块电阻180Ω/□及激光选择性掺杂区域方阻为80Ω/□,并对应细栅的数目为114。研究表明,随着发射极方块电阻的提高,太阳电池的短波响应显著提高,短路电流稳定提升80 mA,而通过对细栅线设计的优化,可抑制方阻提高对串联电阻及填充因子的影响,高方阻密栅PERC太阳电池的光电性能显著提升,电池效率稳定提升0.28%,转化效率达到22.3%,体现出高方阻密栅技术应用于PERC太阳电池的巨大潜力。     

便携式杆塔冲击接地电阻测量仪研究

针对目前尚无适合于现场测量杆塔冲击接地电阻的仪器,基于冲击接地电阻测量理论,研制了一台便携式杆塔冲击接地电阻测量仪,可采用波头较缓、幅值较低的冲击电流作入射波测得接地体的电压响应,再应用数学变换法获得高幅值标准雷电流下杆塔的冲击接地电阻.仿真计算和现场实测验证结果表明,该仪器抗干扰能力强,已具备工程应用雏形.