AgSnO2触头材料概述

作为AgCaO材料的替代物,AgSnO2材料具有更广阔的应用前景.介绍了AgSnO2触头材料的发展情况、制备方法,简要描述了内氧化法与粉末冶金法制备AgSnO2触头材料的优缺点并对AgSnO2触头材料目前存在的主要问题进行了分析.在此基础上,对AgSnO2触头材料的后加工方面进行了探讨,并展望AgSnO2电触头材料的发展趋势.     

La掺杂AgSnO2触头材料的电性能

由于Cd有毒性,AgSnO2触头材料逐渐取代了 AgCdO 成为新型触头材料,但由于AgSnO2触头材料中的SnO2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO2的导电性是急需解决的重大难题.本文提出了一种简单的、低成本的La掺杂AgSnO2触头材料的设计方法.采用模拟计算的方法,利用第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,建立了SnO2以及不同比例La掺杂的SnO2超晶胞模型,在对其进行几何优化之后分别研究了 La掺杂比为50%、25%、16. 67%、12. 5%、8.34% 的SnO2材料的电子结构,并研究了其晶格参数、能带结构和态密度等.结果表明,掺杂后材料晶胞体积变大. La的5d轨道进入导带,使得导带底向低能端移动,禁带宽度变小.最终得出La掺杂比为16.67% 时导电性最佳.最后进行了不同掺杂比下触头材料的电接触性能试验,得到了接触电阻和燃弧能量等电接触性能参数并验证了模拟结果.因此,本文的研究为触头材料的发展和应用提供了理论依据.     

新型AgSnO2触头材料的制备和电弧侵蚀特性

用高能球磨技术和热压烧结方法制备出新型AgSnO2触头，XRD、光学显微镜和TEM分析表明，在该合金的微观组织中纳米Sn02弥散分布于Ag晶粒内，与常规AgSn02 In2O2触头相比，AgSn02触头的表面没有明显的液体喷溅和燃弧裂纹，呈现出比较好的耐电弧侵蚀特性．     

反应合成银氧化锡电接触材料抗熔蚀性研究

采用反应合成技术和传统粉末冶金技术制备银氧化锡(AgSnO2)电接触材料，利用千瓦级CO2激光器模仿电弧作用在试样表面产生局部熔化。对AgSnO2块体材料进行抗熔蚀性测试，对块体材料及冷拉拔的AgSnO2线材进行显微组织分析(扫描电镜、透射电镜)。研究结果表明，采用反应合成技术可以在银基体中合成尺寸细小、界面新鲜的SnO2颗粒，制备AgSnO2电接触材料；用反应合成法制备的AgSnO2材料中，微米级的SnO2颗粒系由纳米级的SnO2颗粒聚集而成；用反应合成法制备的AgSnO2电接触材料由于改变了银和SnO2的结合状态使材料的抗熔蚀性得到改善和提高。     

AgSnO_2触头材料电弧侵蚀特征的分子动力学模拟

研究电接触材料电弧侵蚀作用过程中灭弧过程的微观机理,采用分子动力学和实验的方法对反应合成的AgSnO2电接触材料的熔池行为进行模拟。结果表明:根据起弧时的物相所构建的模型,能够准确地模拟熔池特征,熔池内部物质运动和存在状态是决定耐电弧侵蚀的关键因素。可通过增加反应合成AgSnO2电接触材料与基体浸润的氧化物组分,以及氧化物发生物态变化、化学分解过程来达到熄弧的目的。     

AgSnO2电接触材料研究概述

分析了AgSnO2电接触材料替代有毒的AgCdO材料进程中存在的主要问题.综述了国内外AgSnO2电接触材料的最新制造工艺及其优缺点.通过对目前国内外电接触材料行业发展状况的对比分析,探讨了AgSnO2电接触材料的研究和发展趋势.     

AgSnO2电触点材料制备方法进展

综合评价了AgSnO2电触点材料的制备方法,对比分析了粉末冶金法、合金内氧化法、预氧化合金粉末法和反应合成法等几种制备方法的优缺点,简要介绍了AgSnO2电触点材料的应用进展及国内外差距,并展望了AgSnO2电触点材料的发展趋势.     

银钨触头材料的制备工艺及使用性能

银钨触头材料目前应用较为广泛,具有良好的导热和导电性能、耐电磨损性能、抗熔焊性能、抗氧化能力等优点.详细叙述了制备银钨触头的熔渗法和机械合金化法,并对两种方法作了一些理论上的分析.对银钨触头的熔焊特性、电弧侵蚀机理以及腐蚀机理进行了探讨.     

电子能谱研究银——氧化镉触头材料

电子能谱(AES和XPS)研究银—氧化镉触头料料的表面层,得出触头的电弧重燃性与表面含镉量有关。具有异常表面层的触头,由于表面含镉较少而导致在第一次分断时发生恶劣的电弧重燃。XPS发现触头材料表面的镉不是氧化镉化合物,而是以元素状态的镉存在。AES深度剖析表面,异常层触头材料表面贫镉,无异常层触头材料表面富镉。镉的电子束损伤效应可采取一些措施消减其影响。     

粗晶/细晶CuCr50触头材料的电弧运动行为及其烧蚀特性

将高能球磨和等离子烧结(SPS)技术相结合制备出粗晶和细晶CuCr50电触头材料，对其成分、密度、显微硬度和电导率、放电过程中触头表面阴极斑点的分布、移动速度和触头表面侵蚀的形貌进行表征，研究了粗晶和细晶CuCr材料的电弧侵蚀特性。结果表明，细晶CuCr50触头的硬度(160.29HV)比粗晶CuCr50触头的硬度(104.15HV)高，在50 Hz工频条件下细晶触头阴极斑点的运动速度为16.9 m/s，比粗晶触头的17.78 m/s低4.9%。这表明，粗晶触头表面的阴极斑点运动到触头边缘的速度略比细晶触头的高。与粗晶触头相比，在燃弧过程中细晶触头表面产生的阴极斑点尺寸小、数量多、亮度低且更均匀；在电流幅值相同的条件下，细晶CuCr触头的电弧电压降比粗晶触头的低。电弧烧蚀后细晶CuCr触头的整体形貌平整，没有明显的大烧蚀坑和液滴喷溅。综合研究结果表明，细化第二相Cr相能显著提高CuCr50触头的整体电接触性能，细晶CuCr50触头的抗电弧烧蚀特性比粗晶触头的高。     

单点系泊系统用中压电滑环滑动电接触材料的研究进展

综述了高载流密度滑动电接触材料的研究进展,总结归纳了滑动电接触材料的载流滑动接触性能、滑动接触摩擦磨损参数对材料服役可靠性的影响规律,为大电流滑动电接触材料研究的发展提供参考。     

SnO2含量对AgSnO2电接触材料组织与性能的影响

采用粉末冶金法制备出银氧化锡电接触材料，研究了不同含量的氧化锡对材料组织性能的影响，随着氧化锡含量的增加，材料的导电率和抗熔蚀性能越来越差。在氧化锡含量为5wt％和8wt％时材料的性能相差较小，电接触性能较好。从降低成本及不降低材料性能来说，最佳氧化锡含量为8wt％。     

AuGeNi—n型GaAs欧姆接触界面微区结构与接触电阻率的关系

欧姆接触是砷化镓器件中的基本单元，它的电性能极大地影响器件的质量。在众多的欧姆接触系统中，ＡｕＧｅＮｉ系统应用最为广泛。利用扫描俄歇电子微探针对离子注入重掺杂的ｎ型ＧａＡｓ上利用快速热合金制备的ＡｕＧｅＮｉ欧姆接触进行了研究，比较了不同退火温度下欧姆接触的电性能和微区界面结构，对界面微区结构与接触电阻的关系进行了探讨，提出了产生低阻接触的理想微区结构，为工艺参数的选择提供了有益的依据。     

航天电连接器加速性能退化试验可行性研究

为解决高可靠长寿命的航天电连接器即使进行加速寿命试验也难以获得失效数据的问题,对电连接器失效模式以及长期贮存下接触性能变化结果进行分析,表明电连接器性能退化存在可能性,并根据长期贮存下试验数据的验证,得出电连接器性能具有退化特性.通过温度加速应力下电连接器接触性能数据的分析,得出其性能退化具有加速性,还具有一定的加速退化规律,这为采用加速性能退化试验对航天电连接器进行可靠性评估提供了依据.     

复相增强AgMeO电触头材料的研究进展

由于良好的抗电弧侵蚀性、抗熔焊性及耐电磨损性,AgMeO电触头材料在电器工业中得到了广泛应用。目前,单一强化相增强银基电触头材料的研究已经基本成熟,但很难提高其综合性能;虽然复相增强银基电触头材料的研究尚不够深入,但已经表现出巨大的研究潜力,因此复相增强银基电触头材料成为研究热点。本文概述了复相增强银基电触头材料的研究现状与成果,同时对复相增强电触头材料的发展方向进行了展望。     

冲击环境下电连接器接触性能研究

冲击应力是影响电连接器接触性能的主要环境因素之一。针对传统试验成本高、耗时长且难以实现某些高强度环境试验的局限性,采用仿真方法研究冲击环境下电连接器接触件接触性能参数变化规律。结合理论力学基本原理,通过ANSYS建立电连接器接触件实物模型、动力学模块模拟冲击试验,分析了试验严酷等级、冲击脉冲持续时间及峰值加速度对接触件的形变、应力和接触压力等参数的影响,并对接触压力仿真结果进行试验验证。结果表明：冲击试验过程中,接触件形变受冲击影响最大;接触性能参数随严酷等级的增加,先缓慢增大后快速增大;随脉冲持续时间的增加,先急剧下降后缓慢减小;而在峰值加速度变化时基本保持稳定。由此可知,严酷等级和脉冲持续时间对电连接器接触性能参数变化起主导作用,仿真结果可为产品设计提供一定的理论参考。     

基于导向插合的毛刷电接触对结构改进设计

针对现有毛刷电接触对插合过程中随机插合现象导致的插拔力和接触电阻范围过大、可控性较差的现状,提出基于导向插合的毛刷电接触结构改进方案.改进结构包括单针簇导向结构、对接端面导向结构及插针螺旋校直结构.对改进前、后的毛刷电接触对进行2mm插拔深度的插拔力试验及接触电阻试验,结果表明:基于导向插合的毛刷电接触结构改进优化了毛刷电接触对插拔力、接触电阻范围,结构改进前、后的单对毛刷接触对多次插拔力方差值分别为0.39,0.003,结构改进前、后的单对毛刷接触对多次接触电阻方差值分别为0.41,0.008.基于导向插合的毛刷电接触对结构改进设计对改善毛刷电接触性能以及其参数设计提供了参考.     

汽车继电器用AgMeO触点材料不同配对方式时的性能

为了探究触点配对方式对汽车继电器电接触性能的影响,选取AgMeO型触头材料进行实验,采用粉末冶金法制备AgSnO₂, AgCuO和AgZnO 3种触头材料,并测量其物理性能,采用JF04C电接触触点材料测试系统,按5种不同触点配对方式进行电接触实验,并对实验前后的阴阳极触点进行称量,实验结果表明：触点配对方式对接触电阻,材料转移和损耗影响较大,对燃弧能量的影响较小,通过对触点进行不对称配对可以明显降低接触电阻和材料转移和损耗,明显改善汽车继电器的接触性能.     

红外热成像技术在电连接器插拔磨损检测中的应用研究

接触件是电连接器的核心元件,因插拔产生的磨损会导致其电接触性能退化甚至失效。针对上述问题,提出了一种电连接器插拔磨损检测方法。基于设计的检测装置开展电连接器插拔试验,并在试验过程中对电连接器接触件进行定时红外热成像检测;同时,分析插拔过程中电连接器接触件间磨屑的分布特征及变化规律,并通过表面形貌分析和能谱分析来验证红外热成像分析结果。研究发现,电连接器插孔簧片的主要磨损区域为端部,其根部有少量磨屑且聚集区域相对分散;随着插拔次数的增加,电连接器接触件间的磨屑逐渐增多,磨损区域面积逐渐增大,且磨屑聚集的位置也随着插拔运动发生变化,随机地分布在接触件间;因存在加工误差,电连接器的插孔簧片非对称分布,使得不同插孔簧片的磨损程度存在差异。结果表明,所提出的检测方法可有效观察电连接器接触件插拔磨损的变化过程,可作为电连接器磨损程度在线监测及剩余寿命预测的有效手段。研究结果可为电连接器性能退化机理和失效分析提供依据。     

Evaluation of metal-nanowire electrical contacts by measuring contact end resistance

It is known, but often unappreciated, that the performance of nanowire (NW)-based electrical devices can be significantly affected by electrical contacts between electrodes and NWs, sometimes to the extent that it is really the contacts that determine the performance. To correctly understand and design NW device operation, it is thus important to carefully measure the contact resistance and evaluate the contact parameters, specific contact resistance and transfer length. A four-terminal pattern or a transmission line model (TLM) pattern has been widely used to measure contact resistance of NW devices and the TLM has been typically used to extract contact parameters of NW devices. However, the conventional method assumes that the electrical properties of semiconducting NW regions covered by a metal are not changed after electrode formation. In this study, we report that the conventional methods for contact evaluation can give rise to considerable errors because of an altered property of the NW under the electrodes. We demonstrate that more correct contact resistance can be measured from the TLM pattern rather than the four-terminal pattern and correct contact parameters including the effects of changed NW properties under electrodes can be evaluated by using the contact end resistance measurement method.