新方法实现双传输零点LTCC带通滤波器

采用新型方法设计了一个具有两个有限传输零点的集总参数二阶小型化低温共烧陶瓷(LTCC)带通滤波器。滤波器是基于电容耦合谐振带通滤波器的基础上进行设计的。两个谐振腔之间的共同接地电感使滤波器产生了两个有限传输零点,通过调节接地电感的大小可以改变高频处传输零点的位置,致使滤波器具有优良的带外抑制性能。滤波器设计紧凑,整个封装尺寸仅为2.5mm×2.0mm×0.9mm,满足1008型号封装要求。     

附加传输零点的层叠式LTCC带通滤波器设计

利用Ansoft Designer和Ansoft Hfss软件,协同设计带有两个传输零点的LTCC层叠式带通滤波器.滤波器采用集总电容C和集总电感L实现,其尺寸20 mm×8 mm×1.2 mm.通过在各谐振单元之间引入耦合,滤波器在阻带低端和高端共产生两个传输零点,从而有效提高了滤波器带外衰减特性.实际测试表明滤波器通频带内插损小于2 dB,回波损耗大于20 dB,测试结果与仿真结果有很好的吻合.     

基于并联耦合线谐振节的窄带带通滤波器的研究

设计了一种基于并联耦合线谐振节的窄带带通滤波器。该滤波器由常见平行耦合线带通滤波器与并联耦合线谐振节构成。利用并联耦合线谐振节结构的特性,借助ADS软件设计了一个中心频率为4.9 GHz的窄带带通滤波器。仿真结果表明,其3 dB带宽为236 MHz,矩形系数为2.8。该滤波器具有良好的带外抑制能力和更加陡峭的通带到阻带过渡。     

超宽带带通滤波器设计与实现

通过对传统滤波器预畸设计法进行改进,得到一种新型的带通滤波器设计公式,它克服了在采用电容耦合或电感耦合带宽过窄及线性相位的问题.使用此方法设计了一个超宽带线性相位带通滤波器,并通过实验仿真证明其可行性.     

一种基于LTCC技术的螺旋电感带通滤波器

本文提出一种新型的基于低温共烧陶瓷技术(LTCC)的螺旋电感带通滤波器.滤波器的设计是利用螺旋电感的自谐振和谐振单元间的电磁耦合来实现.通过HFSS仿真和等效电路分析,对滤波器结构进行了优化分析.这种滤波器具有体积小.结构布局灵活的优点,可以很好的满足器件埋置的要求.     

基于LTCC技术的片式带通滤波器设计

设计了一种尺寸小、频响特性优良的片式LTCC带通滤波器.通过场路结合的分析方法,对滤波器的物理结构进行了优化,从而避免了小尺寸带来的寄生效应,提高了电容耦合系数,减小了不需要的互感耦合.同时引入了谐振器的对地电感,得到了两个带外传输零点,实现了较大的带外抑制.实物测试结果和电磁场仿真结果吻合较好.     

一种双传输零点电调滤波器的设计与实现

为了解决无线电台射频前端预选滤波器低插损、高抑制的需求,采用一种变形的耦合谐振式带通滤波器,设计了一款高性能的LC电调滤波器.通过混合电磁耦合原理在两个谐振回路之间和电感耦合单元上分别引入并联电容,使得带通滤波器在左右两端引入传输零点,改善带外衰减性能.通过电路仿真以及实物测试,设计出30～512 MHz调谐范围的电调...     

新型毫米波微带带通滤波器

介绍了一种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器。对这种滤波器进行了分析,推导出了滤波器中所用谐振单元间的耦合系数。该滤波器通过加载电容而出现慢波效应,使得在不改变电路性能的情况下,减小了电路尺寸。同时由于电路中加载电容形成的慢波效应而出现了带阻效应,因此对谐波有很好的抑制作用。利用高频分析软件CST仿真分析并设计了这种新型的加载电容型毫米波微带带通滤波器,实验结果与设计曲线结果相符。     

基于新型CRLH-TL的双通带带通滤波器设计与仿真

提出了一种基于新型平面结构复合左右手传输线（CRLH—TL）带通滤波器设计方法。新型CRLH—TL结构由微带与共面波导双面结构在一定频率下通过耦合等效形成,左手电容部分通过介质基板上表面的金属板与接地面的互耦环缝谐振（CSRR,complementary split rings resonators）的中心导带耦合形成,使得加工简单;左手电感部分由CSRR部分形成,避免了过孔等带来的麻烦与损耗。基于此的带通滤波器结构紧凑,易于实现大宽带,性能优良,通带内插入损耗较好。     

一种宽阻带带通滤波器的设计方法

基于非相似谐振结构具有不同杂散谐振频率特性,研究并设计了一个具有较高带外抑制特性的微带带通滤波器,提高了微波滤波器的带外抑制特性。首先简要介绍了利用非相似谐振结构抑制寄生通带的原理。尔后,利用ADS软件分别设计了两个分别采用λ4相同谐振结构和λ4非相似谐振结构的滤波器。通过对比,验证了该方法正确性,进一步说明了非相似谐振结构在设计宽阻带、高选择性微带带通滤波器的有效性。     

箔条和箔片的性能特性及其应用和趋势

从箔条和箔片用于干扰雷达测和扰乱、迷惑、转移或者引诱进攻出发,详细论述箔条、箔条云及箔片、箔片云的雷达散射截面、带度、平移速度、下降速度及转动等情况,空间和时间我、水平和垂直极化性能、多普勒频移效应以及频谱展宽特性等,通过箔条和箔片有效成火控雷达实例,提出对抗火控雷达的三个重要因素及其采取的对策。     

Engineering education and industrial research and development-thepromise and the reality

The author observes that the social fabric of engineering, the support infrastructure of the profession, and the political and economic systems of the world are undergoing shifts that affect what engineering is, how it is accomplished, and what it should do. He asks what these changes mean in terms of the educational system and explores a few of these issues that lie between academia and the industrial environment beyond. He discusses the engineering curriculum as seen from industry, the role of continuing education, research in academia     

业务识别与控制技术及其测试评估

在传统Intemet网络逐步向多业务网络演进的过程中,监管者、运营商以及最终用户都对网络的可管可控能力提出了差异化的要求,业务识别与控制技术应运而生.作为IP领域的一项热点技术,该技术得到了广泛的关注并取得了迅猛的发展.在考虑来自不同主体需求的基础上,介绍了业务识别与控制技术.此外,还结合技术发展以及网络部署等要求,着重分析了该技术的测试评估方法及测试内容.     

"电路原理"与"信号与系统"课程的整合与优化

科学技术迅速发展,新兴学料不断增加,知识总量不断增长,迫使本科教育不断向着基础化方向发展,基础课程教学在本科教育中的地位愈来愈高。计算机技术的广泛应用,离散信号与系统的基础知识已是电气类各专业的必要的教学内容。因此基础课程要从根本上整体优化课程结构。本文提出了电气类专业“电路原理”与“信号与系统”课程教学改革方案,将两门课程教学内容进行整合与优化,并在实际教学过程中进行了教学试验,缩短了教学时间,提高了教学质量。     

Thin film deposition and microelectronic and optoelectronic devicefabrication and characterization in monocrystalline alpha and betasilicon carbide

The deposition of silicon carbide thin films and the associated technologies of impurity incorporation, etching, surface chemistry, and electrical contacts for fabrication of solid-state devices capable of operation at temperatures to 925 K are addressed. The results of several research programs in the United States, Japan and the Soviet Union, and the remaining challenges related to the development of silicon carbide for microelectronics are presented and discussed. It is concluded that the combination of α-SiC on α-SiC appears especially viable for device fabrication. In addition, considerable progress in the understanding of the surface science, ohmic and Schottky contacts, and dry etching have recently been made. The combination of these advances has allowed continual improvement in Schottky diode p-n junction, MESFET, MOSFET, HBT, and LED devices     

Issues and trends in RF and mixed signal integration and partitioning

Over the last 40 years in the semiconductor industry, one of the most reliable truths has been that "thepath forward is through integration." Moore's law and its various derivatives and cousins have illustrated how greater integration has provided tremendous benefits in cost, power, size, and performance. While shrinking process lithography has been a critical enabler of this trend, we should remember that tremendous innovation in device technology, circuits, system architecture, computer aided design (CAD), packaging, and many other areas have been necessary as well. The exponential integration phenomenon has not been limited to memory and microprocessors: mixed signal and radio functions have also seen striking advances in integration over the last 20 years, from cell phones to wireless LANs, integrated "systemon-a-chip" (SOC) transceivers have become prevalent in the circuits conferences, journals, and - in some applications - have even made it into commercial mainstream products.     

日本广播电视天线及其相关技术的发展与探讨

在日本电视广播的发展过程中,电视信号技术、电视节目转播技术、发射机技术以及天线技术等发挥了不可替代的作用。这些技术在长达60多年的模拟电视广播中被大量的开发、使用,尤其是射频相关技术为日后地面数字电视广播的发展提供了重要参考。主要介绍了日本电视广播中该相关技术的发展,并进行了讨论。     

广播电视音视频系统传输与应用

文章在阐述广播电视音视频传输系统结构组成的基础上,分析了SCM广播电视音视频系统传输技术及其具体的应用。SCM技术在广播电视音视频系统传输稳定性、可靠性等方面更具优势,值得大范围推广应用。     

电压波动和闪烁的解析测量法及其应用与验证

文章介绍了针对特定电压变化特性的被测设备的、简单的、低成本的电压波动和闪烁的解析测量法,并将实际解析法测量计算结果与直接测量法结果进行了比较、验证,证明该方法切实可行,且符合标准规定的容差要求。