纳米压印光刻中模版与基片的平行调整方法

概述了纳米压印光刻的原理，以及纳米压印光刻工艺中模版与基片的平行度对压印质量的影响，分析了国内外几种纳米压印光刻工作台的结构与特点，并对其优缺点进行了评价。     

纳米压印技术进展及应用

半导体加工几十年里一直采用光学光刻技术实现图形转移,最先进的浸润式光学光刻在45 nm节点已经形成产能,然而,由于光学光刻技术固有的限制,已难以满足半导体产业继续沿着摩尔定律快速发展.在下一代图形转移技术中,电子束直写、X射线曝光和纳米压印技术占有重要地位.其中纳米压印技术具有产量高、成本低和工艺简单的优点,是纳米尺寸电子器件的重要制作技术.介绍了传统纳米压印技术以及纳米压印技术的新进展,如热塑纳米压印技术、紫外固化纳米压印技术、微接触纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光辅助压印技术、静电辅助纳米压印技术、超声辅助纳米压印技术和滚轴式纳米压印技术等.     

纳米压印光刻技术--下一代批量生产的光刻技术

纳米压印光刻技术已被证实是纳米尺寸大面积结构复制的最有前途的下一代技术之一。这种速度快、成本低的方法成为生物化学、μ级流化学、μ-TAS和通信器件制造以及纳米尺寸范围内广泛应用的一种日渐重要的方法,如生物医学、纳米流体学、纳米光学应用、数据存储等领域。由于标准光刻系统的波长限制、巨大的开发工作量、以及高昂的工艺和设备成本,纳米压印光刻技术可能成为主流IC产业中一种真正富有竞争性方法。对细小到亚10nm范围内的极小复制结构,纳米压印技术没有物理极限。从几种纳米压印光刻技术中选择两种前景广阔的方法——热压印光刻(HEL)和紫外压印光刻(UV-NIL)技术给予介绍。两种技术对各种各样的材料以及全部作图的衬底大批量生产提供了快速印制。重点介绍了HEL和UV-NIL两种技术的结果。全片压印尺寸达200mm直径,图形分辨力高,拓展到纳米尺寸范围。     

基于光刻版的无留膜紫外纳米压印技术研究

针对纳米压印光刻技术中压印脱模后的留膜去除问题,提出了一种基于光刻版的无留膜紫外纳米压印技术.采用传统的光刻版作为紫外压印模版,由于模版上铬层的遮蔽作用.使得铬层下面的光刻胶不被曝光,从而可以轻易地被去除.实验结果表明,该技术综合了压印与光刻各自的优点,可以获得无留膜厚度的压印图形,省去了压印后的留膜刻蚀工艺.从而避免了由于留膜厚度不均匀所带来的过刻蚀或欠刻蚀的问题.     

纳米压印光刻技术及其发展现状

文章详细介绍了有望成为下一代主流的光刻技术——纳米压印光刻技术。并概述了其应用, 同时介绍了其在现阶段的发展状况。     

纳米压印光刻技术

为了避免纳米压印光刻技术与光刻技术混淆，纳米压印光刻技术严谨的专业术语定义是：不使用光线或者辐射使光刻胶感光成形，而是直接在硅衬底或者其他衬底上利用物理学机理构造纳米级别的图形。这种纳米成像技术真正地实现了纳米级别的图形印制。     

纳米压印光刻模版制作技术

在下一代光刻技术中,光刻的成本越来越高,这使得工业界开始寻找新的技术。纳米压印作为非光学的下一代光刻技术,具有分辨率高、成本低、产率高等诸多优点,因而可能应用于将来的半导体制造中。同时,纳米压印也可以用于微机电系统(MEMS)和其他纳米结构的图形复制。纳米压印光刻技术主要包括热压印、紫外固化压印和微接触法压印。介绍了在这3种纳米压印光刻技术中,压印模版制作的制作工艺和模版表面的防粘连处理,并且讨论3种压印方法适用的不同领域。     

下一代光刻技术的设备

下一代光刻技术是指≤32nm工艺节点的光刻技术。介绍了下一代光刻技术与设备,包括X射线光刻技术、极紫外线光刻技术和纳米压印光刻技术等。     

国际新闻

AMD剥离芯片制造业务 获60亿美元投资;美光4亿美元现金收购华亚科35．6％股权;CADENCE推出面向半导体设计的SaaS解决方案;SUSS光刻机实现大面积纳米压印光刻;日法签约共同研发卫星用半导体部件     

Princeton小组加深对纳米压印的理解

最近,普林斯顿大学(Princeton University)的研究人员在Nanotechnology《纳米技术》杂志上发表了两篇论文,介绍了他们在纳米压印光刻(NIL)领域内的重大进展,推动这项技术向着成为可行的、用于主流半导体制造的下一代光刻技术(NGL)选择方案迈进了几大步。     

从特征尺寸的缩小看光刻技术的发展

从特征尺寸不断缩小变化的角度阐述了近代光刻技术发展的历程。指出90nm节点的主流光刻技术是193nmArF光刻;193nm浸入式光刻技术作为65nm和45nm节点的首选光刻技术,如果配合二次曝光技术,还可以扩展到32nm节点的应用,但成本会增加;如果特征尺寸缩小到22nm和16nm节点,EUV光刻、无掩模光刻以及纳米压印光刻等将成为未来发展的重要研究方向。在对各种光刻技术的原理、特点以及优缺点等分析对比的基础上,对未来主流光刻技术的发展做了一定的展望。     

SUSS光刻机实现大面积纳米压印光刻

<正>SUSS MicroTec,全球领先的三维、MEMS、先进封装、纳米压印设备供应商,于日前宣布,其手动光刻机,外加一个纳米压印的组件,即可对大面积图形重复进行亚50nm的压印。这项新技术名为"基板完整压印光刻"(SCIL),由荷兰埃因霍恩飞利浦研究所开发,通过技术协议转让给SUSS MicroTec。硬质模版纳米压印光刻(NIL)分辨率高,但面积小,软质模版压印面积大,但分辨率通常低于200nm,SCIL刚好弥补两者的缺陷。     

下一代光刻技术

介绍了下一代光刻技术的演变,重点描述了浸没式光刻技术、极端远紫外光刻技术、纳米压印光刻技术和无掩模光刻技术的基本原理、技术优势、技术难点以及研发,并展望了这几种光刻技术的前景。     

纳米压印模板需要高质量的检测技术

纳米压印光刻经学术和行业团体近十年的研究之后,已逐渐开始对半导体行业产生引导作用。简单地讲,纳米压印是把一个1×的模板压进一个柔性层,从而在衬底上制作图形。斯坦福大学的电子工程教授     

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纳米压印掩膜复制缩减光刻拥有成本随着纳米压印光刻很好地解决了分辨率的问题,关注的焦点转移到了拥有成本(CoO)上。本文重点研究了掩膜成本,包括一种称为"掩膜复制"的方     

纳米压印技术

传统光学光刻技术的高成本促使科学家去开发新的非光学方法,以取代集成电路工厂目前所用的工艺.另外,微机电系统(MEMS)的成功启发科学家借用MEMS中的相关技术,将其使用到纳米科技中去,这是得到纳米结构的一种有效途经.纳米压印在过去的几年里受到了高度重视,因为它成功地证明了它有成本低、分辨率高的潜力.纳米压印技术主要包括热压印、紫外压印(含步进-闪光压印)和微接触印刷等.本文详细讨论纳米压印材料的制备及常用的三种工艺的工艺步骤和它们各自的优缺点.并对这三种工艺进行了比较.最后列举了一些典型应用,如微镜、金属氧化物半导体场效应管、光栅等.     

紫外纳米压印技术的图形转移层工艺研究

研究了紫外纳米压印技术的图形转移层工艺,通过改变膜厚进行压印对比实验,将转速控制在3000～4000r/min,成功地得到了50nm光栅结构的高保真图形,复型精度可以达到93.75%。同时阐明,纳米压印技术由于具有超高分辨率、低成本、高产量等显著特点,将成为下一代光刻技术(NGL)的主要候选者之一。     

高分辨率SiNx纳米压印模板的快速制备工艺

纳米压印技术是近年来国际新兴的纳米光刻技术,具有高分辨率、高效率和低成本等优点。本文结合电子束光刻技术和干法刻蚀技术开发了简洁的纳米压印SiNx光栅模板制造工艺。为提高工艺效率,引进高灵敏度的化学放大胶NEB-22胶（负性胶）作为电子光刻胶,用电子束光刻技术在NEB-22上刻出光栅图形,再利用其作为掩膜,经反应离子刻蚀后,将光栅图形转移到氮化硅上,得到所需模板。文中详细研究了NEB-22胶的电子束光刻特性及其干法刻蚀特性,指出了它作为电子束光刻胶的优点及它相对于铬掩膜而言作为干法刻蚀掩膜的不足。     

《国际半导体技术蓝图》(2005版)光刻部分解析

对2005年公布的《国际半导体就十时微蓝图》中光刻部分进行了介绍与分析,并与之前的版本进行比较,列出了光刻技术面临的挑战和潜在技术方案。最后指出,浸入式光刻、纳米压印、极紫外光刻和ML2将是未来几年重点研究对象。     

激光光刻技术的研究与发展

光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。