一种K波段GaAs MESFET压控振荡器的设计

利用微波晶体管的负阻特性,基于Agilent ADS软件,设计出一种K波段微带结构、变容管调谐的MESFET压控振荡器(VCO)。对VCO进行实测．结果表明,VCO的中心频率为20.56GHz,调频带宽大于100MHz,带内输出功率大于2mW,相位噪声大于-90dBc／Hz@100kHz,满足实际应用。     

宽带变容管调谐的典型耿氏电路

耿氏振荡器可用变容管宽带调谐。但若达到最大调谐带宽并在整个频带内稳定振荡,必须满足某些电路设计原理: 电路与封装的寄生最小。必须采用集总无分布元件。耿氏管必须在低Q电路中选择最佳性能。耿氏管不同于雪崩管,由于它的负阻是宽带的并且其阻抗是弱电抗性的,所以选耿氏二极管作为宽带变容管电调谐。     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz单片压控振荡器的设计、制作和性能.该芯片采用PHEMT工艺制作,电路基于负阻匹配共源网络结构设计.根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数,提取出该器件的Modified-MaterkaFET模型参数,变容二极管由共源-漏晶体管来完成,并通过栅压来控制其容值.测试该电路振荡频率为30.12GHz,输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz.振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合.     

30GHz PHEMT振荡器

介绍了一种30GHz 单片压控振荡器的设计、制作和性能. 该芯片采用PHEMT工艺制作，电路基于负阻匹配共源网络结构设计. 根据PHEMT器件的小信号S参数和直流I-V参数，提取出该器件的Modified-Materka FET模型参数，变容二极管由共源-漏晶体管来完成，并通过栅压来控制其容值. 测试该电路振荡频率为30.12GHz，输出功率达到12.5dBm,调谐带宽大于150MHz. 振荡器的测试结果与理论设计结果基本吻合     

微波晶体管振荡器的计算机优化设计

本文用负阻概念分析了微波晶体管振荡器的基本工作原理及设计方法，着重讨论了微波振荡器的电路特性，给出了精确可靠的数学模型，并编写出最优化设计程序，从而提高了微波振荡电路的设计效率和精度。     

光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

3mm电调振荡线器性度预校正技术

毫米波线性电调振荡器在先进的毫米波系统中有着广泛的应用前景,本文讨论了变容管电调源的非线性产生的原因及预校正方法,完成了对3mm变容管电调振荡器,预校正线性化研究,获得了良好的实验结果。     

推-推压控振荡器的仿真设计

在对构成推-推振荡器的基本振荡单元进行常规奇偶模分析的基础上,采用添加辅助信号源的方法,对合成后的频率调谐特性、输出功率及基波抑制特性进行了仿真模拟。并利用负载牵引法对二次谐波匹配网络进行了优化。根据仿真结果设计的X波段推-推压控振荡器,采用封装硅晶体管及砷化镓变容管,在1GHz调谐带宽内,输出功率2～8dBm。     

一种2.45 GHz低成本微带压控振荡器的设计

为了满足教学和科研的需要,基于负阻原理设计了一款工作于ISM频段2.45 GHz低成本微带压控振荡器。振荡电路采用双电源供电和共基极连接方式,利用双极性晶体管和变容二极管等分立元件制作。借助于ADS软件对电路参数及主要指标进行仿真优化,并进行了实物的加工和测试。实测结果表明,设计的压控振荡器在输入调频电压为0⁶ V时,输出振荡频率覆盖2.46 V时,输出振荡频率覆盖2.4².5 GHz,输出功率大于9.2 d Bm,相位噪声在偏离移中心频率100 k Hz处为-90 d Bc/Hz。该振荡器调谐频带线性度好,输出功率平坦度高。     

LC振荡器输出幅度的分析和计算

LC振荡器工作在稳态振荡时,运用到晶体管非线性区域,其输出幅度不能简单的采用晶体管小信号等效电路来分析和计算。晶体管非线性特性,可用非线性跨导来描述。本文在分析LC振荡器工作过程后,引出非线性等效电路和输出电压计算方法。供工程设计时参考。     

光电双基区晶体管的工作机理

通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的.结合这些计算结果,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程.给出了起振电压(输出电流峰值电压)、振荡频率随光强变化的关系式,定性解释了相应的实验结果     

Ka频段鳍线电调振荡器

介绍了一种由鳍线、耿氏器件和梁式引线变容管构成的混合集成电调振荡器电路及其设计方法．给出的ＶＣＯ电路结构简单,利用其等效电路模型,可方便地对振荡器在所需工作频率上的电调带宽进行优化设计．经优化设计的电调振荡器性能的测试结果为：在３４．９３ＧＨｚ的频率处,具有１．２ＧＨｚ的电调带宽,带内功率输出为２０．６５±０．５２ｄＢｍ．     

双向负阻晶体管张弛振荡器的研究

本文研究了双向负阻晶体管(BNRT)张弛振荡器的分段线性(具有四段折线和三段折线)动力学模型。给出了电路和动态方程。讨论了张弛振荡器的一些性质。实验结果与计算结果一致,表明这种动力学模型是适当而有效的。     

高耐压低负阻大功率晶体管理论分析

从理论上分析了影响晶体管发射极一集电极击穿后负阻摆幅的因素，通过SUPREM-Ⅲ分别模拟镓管和镓硼管的杂质浓度分布，得到了镓硼管低负阻摆幅和镓管低的电流增益原因。     

光电双基区晶体管的工作机理

通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的.结合这些计算结果,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程.给出了起振电压(输出电流峰值电压)、振荡频率随光强变化的关系式,定性解释了相应的实验结果.     

晶体管渡越时间振荡器的效率

本文叙述了晶体管渡越时间负阻振荡器的简单原理。预计在微波频率工作可以得到低噪声。叙述了一个工作在10千兆赫的典型设计。并指出最大的理论效率大约是40％。     

收录通信维修高级工应知试题及题解

试题名称:专业基础(二) 一、选择题(每题2分,共10分) 1.采用变容二极管的压控振荡器中,振荡频率与变容管结电容的关系是(设变容管与电感并联):     

宽带变容管调谐GaAsFET振荡器

<正> 美国海军研究所研制了7.4～13.1千兆赫的宽带变容管调谐 GaAsFET 振荡器。振荡器电路做在0.25毫米的杜罗艾德铬合金衬底上。所用 FET 是阿凡蒂克的 M110型器件,其栅长为 0.5微米,栅宽为750微米,在栅和源引线中提供变容管调谐,漏端接地。每个调谐元件由两个分立的超实变结变容管串联构成,以获得所要求的阻抗,所采用的是微波联     

幅度高度稳定的振荡器

在一些精密仪器和仪表中,需要幅度高度稳定的振荡器,一般的RC振荡器或LC振荡器,幅度稳定度只有几十分之一.在通常的振荡器中,晶体管起着双重作用,第一为系统的负阻作用,使系统产生和维持振荡;第二为限幅作用,使振荡幅度保持一定程度的稳定性.众所周知,当振荡器的幅度不断增大渐渐进入饱和