纳米工艺可制造性设计EDA技术

1、概论近几年来,可制造性设计(DFM,design for manufncturability)一直是全球EDA业界最热门的题材。似乎任何产品只要跟DFM沾上边,马上就修成正果,得道升天。综观诸子百家对于DFM的定义则是见仁见智,莫衷一是。就从各家EDA公司的网页上进行了解,DFM可以是优化标准单元库的成品率,或是压缩版图,也有说是优化晶圆映射(Wafer Mapping),以至于平坦化填充,以及时序收敛。很明显的,就以上所涵盖的领域来说并没有一个交集。也由此可知,DFM事实上是一个非常广阔的领域。因此,在开始谈DFM之前就必须先对本篇所提及的DFM做一个明确的定义。     

板级电路可制造性分析及虚拟设计技术(待续)

板级电路可制造性分析及虚拟设计技术是一项前沿技术,是提高电路设计质量,加快产品研制周期,实现一次设计成功,建立电子装备快速反应平台的必由之路.在详细论述了印制电路板设计可制造性分析、人工评审的现状及可制造性分析软件系统应用的基础上,提出了开展"印制电路板电气互联可制造性虚拟设计"的必要性及实施方案.     

浅谈实施可制造性设计

随着技术的不断推进，实施可制造性设计应该成为电子制造业必备的一种技术手段，本对此作了初步论述，希望起到抛砖引玉的作用。     

电子产品可制造性设计

本文介绍了电子产品可制造性设计的含义，分析了在电子产品设计中应用DFM技术的背景，对在电子产品开发过程中采用DFM技术对产品设计进程、成本、质量、加工效率、产品上市的积极作用进行了讨论，总结了电子产品DFM设计的主要内容和主要关注点，最后给出了DFM设计案例，印证了在电子产品开发中进行DFM设计的重要性。     

可制造性的PCB设计规范

PCB设计是指电路版图的设计,通常是借助EDA软件来完成,是电子产品开发流程中非常重要的一个环节。目前,消费类电子产品的PCB元件组装绝大部分是由大型自动化设备完成,如何在高效生产中实现PCB元件装配的高品质易操作控制,每一位PCB设计工程师都应该在设计中考虑PCB的可制造性。     

PCB可制造性设计与仿真

文章叙述了印制电路板(Printed Circuit Board,PCB)可制造性设计的必要性,阐述了可制造性设计的内容和实施步骤,并结合实例,采用可制造性设计(Design For Manufacturability,DFM)软件进行PCB可制造性分析,根据分析结果在三维方向对电路板做出相应的修改和完善,取得了较好的效果。     

面向产品生命周期的电子产品可制造性设计

介绍DFX的基本概念,阐述基于并行设计思想的电子产品可制造性设计的含义,分析在电子产品开发中应用DFM技术的背景和意义,对DFM技术对电子产品设计进程、成本、质量、加工效率和产品上市时间的积极作用进行深入讨论,重点介绍电子产品DFM设计的主要内容和关注点,分析电子产品研发中实施DFM的流程、方法与平台,最后给出通过DFM设计优化来提高板材利用率和解决工艺缺陷的两个案例,验证电子产品开发中进行DFM设计的重要性和意义.     

标准单元可制造性分级

随着制造工艺尺寸的缩小,可制造性不只是工厂需要关注的问题,更是设计者需要考虑的重点,从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计者更好地理解和控制可制造性,对标准单元的可制造性分级显得尤为重要。用加权重的方法对标准单元进行可制造性分级,该方法不但包含可制造性规则对版图的约束,还创新性地把工艺参数变化对其造成的影响考虑了进去。用一套简化的可制造性规则和版图来演示此种分级方法的实现,并用模拟结果验证了它的有效性。该分级方法具有统一性和标准性,可以被广泛采用。     

纳米工艺时代的可制造性设计

近几年来,DFM一直是全球EDA业界最热门的题材.从各家EDA公司的网页上进行了解,DFM可以是优化标准单元库的成品率.或是压缩版图.也有说是优化晶圆映射(WaferMapping),以至于平坦化填充.以及时序收敛.     

集成电路可制造性工程与设计方法学

集成电路可制造性工怀设计是近年来发展很快的研究领域，它集ＩＣ设计、制造、封装和测试过程为一体，在统一框图（即产品制造成本和成品率驱动下）下，对产品进行规划和设计，应用该设计可以大大缩短ＩＣ产品研制周期，降低制造成本，提高成品率和可靠性，本文将综述该领域的研究进展，并阐述进一步的研究方向。     

Parametric Yield Optimization of MOS IC's Affected by Device Mismatch

In this paper a statistical design procedure for the parametric yield optimization based on Simulated Annealing and Quasi-Newton algorithms is presented. A rigorous formulation of the yield taking into account both inter-die and intra-die (mismatch) device variations has been used in defining the procedure steps. A reduction in the complexity of the yield optimization algorithm is achieved by performing a screening of the parameters, discarding those having small effect on the required performance. Application examples evidence the achievement of the method.     

集成电路参数中心值和容差的耦合设计方法

基于对集成电路参数成品率中心值设计和容差分配的研究,该文提出了一种参数成品率中心值设计和容差分配耦合求解最优设计值的算法。该算法不需要设计者对电路或工艺的物理结构非常熟悉,从任意初始设计值和任意大小的容差,算法均可收敛到可接受域中的最优设计值。另外,根据工艺线的容差,算法可确定集成电路的最优参数成品率,也可根据实际要求选择适当容差的工艺线,以降低生产成本、提高效益。最后用实例证明了该算法的可行性和实用性,得到了满意的结果。     

纳米级BiCMOS双极架构的可制造性设计

基于对小尺寸双极性器件特性的理论分析,对合理实现BiCMOS的架构模式进行了深入研究,完成了TSUPREM-Ⅳ与MEDICI接口的TCAD可制造性设计流程,实现了BiCMOS环境下集成化小尺寸器件管芯制程的全流程虚拟制造。器件基区宽度小于100nm,器件特性理想。     

集成电路可制造性设计中器件参数的提取

分别采用流体力学模型和漂移扩散模型对不同沟道长度的NMOSFET进行衬底电流的提取,并以NMOSFET沟道长度和LDD注入峰值综合对器件特性的影响为研究内容,介绍了集成电路可制造性设计中器件参数的优化与提取。     

深亚微米标准单元库的可制造性设计

针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题,提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库.使用分辨率增强技术和光刻模拟仿真,以边缘放置错误值、关键尺寸和版图面积作为评价标准.实例表明,新的工艺规则和方法与生产厂家默认规则相比,在芯片设计初始阶段能够提高产品成品率,有利于缩短设计周期,增强芯片的市场竞争力.基于改进后的0.18 μm工艺规则,完成标准单元库的可制造性设计工作,具有良好的应用前景.     

亚100纳米级标准单元的可制造性设计

本文介绍了亚100纳米工艺可制造性验证的一组工艺仿真和错误定位技术,制定了标准单元可制造性设计(DFM,Design For Manufacturability)的流程,重点讨论了在亚100纳米工艺条件下标准单元设计中遇到的一些典型可制造性问题,提出了相应的新设计规则和解决方案.依靠以上DFM技术方法,完成了实际90nm工艺标准单元可制造性设计工作.     

微带均衡器的优化设计和可制造性分析

微带谐振器是调节增益平坦度的重要微波器件之一,由其构成的幅度均衡器可用于改善射频信道的传输特性。介绍了加载电阻微带谐振器的基本原理及其应用,以统计最优化作为理论指导,通过微波电路软件ADS仿真,采用蒙特卡罗分析和参数扫描等方法,确定了电路中关键元器件参数在固定容差下的最佳统计优化标称值,实现了电路的优化设计和可制造性分析,提高了设计成品率,达到了批量生产的要求。     

GaAs flash ADC成品率及其性能的蒙特卡罗分析

利用蒙特卡罗分析法对GaAs flash ADC的成品率及其关键参数的灵敏度进行了定性及定量的分析.当器件阈值电压的标准偏差增大时,flash ADC的DNL,INL性能会以近似线性的关系降低且更高分辨率ADC线性性能的恶化速度更快;ADC的成品率离散达到一定程度后,以指数关系下降,且高分辨率ADC的丢码率会以更快的速度增长.分析结果表明,HBT以及带腐蚀自停止的HEMT技术是超高速高分辨率ADC的发展方向.     

Monte Carlo Analysis of Yield and Performance of a GaAs Flash ADC

Monte Carlo methods are used to analyze yields and performance of GaAs flash ADCs.Due to the nonuniformity of threshold voltage,the DNL and INL of flash ADC will decrease approximately linearly.And the higher the resolution of ADC is,the faster these key nonlinear parameters decrease.When the nonuniformity increases to some degree,the yields of GaAs flash ADCs will decrease exponentially,and the missing code will increase more quickly for the higher resolution ADCs.So,GaAs HBT and HEMT with technology of etching stop will be widely used in high speed and high resolution ADCs.