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相似文献
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本文介绍的音频功率放大器只使用一对UHC MOS-FET构成SEPP输出级,就可实现2Ω/110W的大功率输出。UHC MOS-FET漏极电流在100A以内时,栅源间电压V_(GS)与漏极电流I_D可始终保持线性关系。电源部分采用常用的R型铁芯变压器,不使用稳压电路。  相似文献   

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差动输出放大器由于电路较为复杂,实现起来较为困难。本文所介绍的放大器是一款采用完全对称电路的直流功率放大器,在第二级电压放大级中使用了两级差动电路,构成了差动输出放大器。由于近来的直流放大器均采用电压增益主要集中于输入级、而将第二级电路加以简化的设计方法,所以对差动输出放大器来说,具有即使电源电压较低也能输出较大功率的优点。本文所介绍的直流放大器输出级选用导通电阻低,电流大的UHC MOS-FET,电源电压取为  相似文献   

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就像原本用于稳压器的6C33-B一类真空管一样,超大电流(UHC)MOS-FET的开发目的也不是为了音频用途。但由于它们具有电流大、内阻小的优点,都非常适合在音频功率放大器中担当末级功率放大器件。如果在功率放大器中每一级都选用最佳的放大器件,那么功率放大器的性能一定会更上一层楼。  相似文献   

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上下对称采用局部负反馈电路的音频功率放大器具有电路简单、性能好的优点。本刊在九四年第六期上曾刊登过一款这种放大器的文章。本文是在该文电路的基础上,追加驱动级,输出级采用两管并联等措施,将输出功率从25W提高到120W,即使使用4Ω扬声器也能获得令人十分满意的放音效果。  相似文献   

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本 文介 绍 一 款 可在 2Ω负 载 上 输出231W 的直 流 音 频 功率 放 大 器 。 为 了 能够驱 动 2Ω的 负 载 ,放 大 器 的 输 出 级 必 须 使 用 大 电 流 型 M O S-FET,驱 动 级 选 用能对 M OS-FET的 大 输 入电 容 作 快 速充 放 电 的 双极 型 晶 体 三极 管 。 第 级 差 动 2放大 器 选 用 线性 好 的 双 极型 晶 体 三 极管 。 该 放 大器 在8Ω负 载 上可 输 出78W ×2。 其音 质细 腻 、动态 范 围宽 。 众所 周 知,放大 器的 音 质是 由放 大 …  相似文献   

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本文所介绍的功率放大器是一款抗干扰措施完备的功率放大级,为了避免反馈放大器中存在的TIM失真(Transient Intermodu ration distortion,瞬态互调失真),采用末级无负反馈电路。电源变压器选用大型变压器,滤波电容选用大容量电容,增大电源电路的容量、减小电源电路所产生的噪声。用6Ω负载可获得100瓦的输出功率。 图1是100W/6Ω单声道功率  相似文献   

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本放大器不仅电路简单,其音质也很不错,很受无线电爱好者的喜爱。由于放大器的电路简单,再加上限制低频和高频的元器件少,相互影响的元器件也少,所以在决定各个元件的最佳值时比较容易。这就是该放大器音质好的原因所在。在电源向放大器提供电流时,由于供电电压和电流之间出现了相差,放大器就会产生瞬态失真。要想消除这种瞬态失真除了使用瞬态失真小的稳压电源或者电池之外别无他法。故本电路特为放大器添加了一个瞬态失真发生量小的稳压电源。除此之外,在电源的偏置电路中接入了能去除偏置电路发生的高频噪声的电容器C。通过这样的改进,…  相似文献   

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本文介绍一款输出级使用导通电阻小的横向大功率MOS-FET2SK2221/2SJ352的立体声反相放大音频功率放大器,其输出功率为18W×2(8Ω).该机的高频驱动能力是迄今为止不曾有的,即使在小音量时也不例外.电路稳定性好、容易制作.并使用成品开关电源,使整个放大器体积小巧.驱动级也采用SEPP电路,电压放大级的第二级采用上下对称的有源负载电路.残留噪声在输入端开路时为0.8mV(未加权)/0.06mV(经JIS-A曲线加权).信噪比非常好.  相似文献   

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本文介绍一款能驱动阻抗低至1Ω的扬声器音频功率放大器。该机为了具备输出大电流的能力,使用了640VA的大型电源变压器,输出级采用了导通电阻小的大电流MOS—FET的并联推挽电路和大型散热片。为了改善音质,在输入级电路和第二级电路中使用了稳压效果比串联调整稳压电路更好的并联调整稳压电路,整个电路只需引入少量的负反馈即可做到失真很小。在保护电路方面采用了电压检测式扬声器保护电路。该机在1Ω扬声器上的输出功率可达123W。8Ω负载时输出18W。  相似文献   

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本文介绍一款由前置放大器和反相功率放大器构成的合并式功率放大器电路。整个放大器电路均采用全场效应管、上下对称方式。功率放大器采用反相放大器,输入信号与输出信号反相,其音质较同相放大器更好。  相似文献   

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功率放大器设计在 8mm波段 ,采用微带电路、两级放大 ,第一级带内增益大于 2 0 d B,输出功率大于 2 0 d Bm,第二级功率增益大于 1 5 d B,饱和输出功率超过 1 .5 W。选用芯片 HMMC- 5 0 4 0作为第一级放大器件 ,TGA1 1 41 - EPU作为第二级放大器件。微带电路基片采用 0 .2 5 4 mm厚软介质材料 ,电路与输入输出波导口的连接 (微带 /波导过渡 )通过鳍线来实现。设计时还特别考虑到部件的可靠性要求 ,对核心元器件进行了降额使用。对前级器件 HMMC-5 0 4 0 ,通过控制其栅压来降低它的工作电流 ,其标称工作电流为 30 0 m A,实际应用时不…  相似文献   

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前面已向读者介绍过一种末级采用VFET/MOS-FET共源共栅电路的功率放大器。下面继续向读者介绍一种末级采用大功率晶体三极管的纯甲类末级无负反馈功率放大器。从制作方面看末级放大器件要较前者容易搞到,而音质依然非常出色,声音真实、细腻、具有透明感,别有一番韵味。  相似文献   

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