PrBa2Cu3O6.3和YBa2Cu3O6.3材料的红外声子谱的比较

报道了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３多晶陶瓷ｃ抽取向薄膜中的红外光谱，在ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３中以９个声子模，对应于５Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动。在ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３材料中观察到１０个声子模，对应于６Ｅｕ＋４Ａ２ｕ振动，其中Ｐｒ的Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别为位于１７０ｃｍ＾－１和１９８ｃｍ＾－１，Ｙ和Ｅｕ和Ａ２ｕ模分别位于１９１ｃｍ＾－１和２１７ｃｍ＾－１ＰｒＢａ２Ｃｕ３Ｏ６．３和ＹＢａ２     

In situ Measurement of YBa_2 Cu_3O_(7-δ) Film Thickness and Growth Temperature by Pyrometric Absorption Method

ＩｎｓｉｔｕＭｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｏｆＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δＦｉｌｍＴｈｉｃｋｎｅｓａｎｄＧｒｏｗｔｈＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｂｙＰｙｒｏｍｅｔｒｉｃＡｂｓｏｒｐｔｉｏｎＭｅｔｈｏｄＸ．Ｍ．ＸｉｏｎｇＹ．Ｌ．ＺｈｏｕＨ．Ｓ．ＷａｎｇＤ．Ｆ．ＣｕｉＨ．Ｂ...     

不锈钢基底高电流密度YBCO超导线材

室温下应用Ａｒ＋ 离子源辅助准分子脉冲激光沉积（００２）取向的ＹＳＺ（Ｙｔｔｒｉａ－ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ ｚｉｒｃｏ－ｎｉａ）过渡层薄膜于不锈钢基底上;基底加温至７５０℃,用准分子脉冲激光沉积高电流密度ＹＢＣＯ（ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ ｘ） 高温超导线材。实验结果表明：ＹＢＣＯ 超导线材临界温度Ｔｃ ≥９０ Ｋ （Ｒ＝０）,临界电流密度Ｊｃ ≥１×１０６ Ａ／ｃｍ ２（７７ Ｋ,０ Ｔ）。     

Sun和SONY公开双向电视API

Ｓｕｎ及ＳＯＮＹ等７家 公司于日前公开了面向对向电视的ＡＰＩ“ＢｒｏａｄｃａｓｔＣｏｍｐｏｓｉｔｉｎｇ　Ｌｉｂｒａｒｙ;Ｂｒｏａｄｃａｓｔ－ＣＬ１．０”的Ｐｕｂｌｉｃ　Ｒｅｖｉｅｗ草案。ＡＰＩ还面向机顶盒（ＳＴＢ）及多媒体设备。 参加此次草案公开发布会的公司除了Ｓｕｎ和ＳＯＮＹ外,其余５家 公司分别为美国３Ｄｌａｂｓ、加拿大ＡＴＩ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ、美国Ｂｒｏａｄｃｏｍ、美国Ｍｅｔａｂｙｔｅ、美国ＷｉｎｄＲｉｖｅｒＳｙｓｔｅｍｓ。 该草案制定了能够在开放式标准（ｏｐｅｎ ｓｔａｎｄａｒｄ）环境…     

只有两个外部元件的BiCMOS话音电路

只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

Silicon-on-insulator 1×2 Y-junction Optical Switch Basedon Waveguide-vanishing Effect

Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ１×２Ｙ－ｊｕｎｃｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＳｗｉｔｃｈＢａｓｅｄｏｎＷａｖｅｇｕｉｄｅ－ｖａｎｉｓｈｉｎｇＥｆｅｃｔ①②ＺＨＡＯＣｅｚｈｏｕ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅ...     

硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究

分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。     

卫星用AlGaAs／GaAs太阳能电池

介绍了ＧａＡｓ太阳能电池的基本原理，结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了ｐ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ｐ－ｎ－ＧａＡｓ结构的太阳能电池。在ＡＭＯ，１００ｍＷ／ｃｍ＾２２５℃的测试条件下，开路电压（Ｖｏｃ）为９９４ｍＶ，短路电流密度为２３．２ｍｃｍ＾２，填充因子（ＦＦ）为０．７９４，光电转换这１８．２5.     

X波段功率AlGaAs／InGaAs p－n－p异质结双极晶体管（HBT）

Ｘ波段功率ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓｐ－ｎ－ｐ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）＝Ｘ－ｂａｎｄｐｏｗｅｒＡｌＧａＡｓ／Ｉｎ－ＧａＡｓｐ－ｎ－ｐＨＢＴ’ｓ［刊，英］／Ｈｉｌｌ．Ｄ．Ｇ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３．１４（４...     

Research on the Passivation Function of Si＿3N＿4 Film to YBCO Superconducting Film

ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅＰａｓｓｉｖａｔｉｏｎＦｕｎｃｔｉｏｎｏｆＳｉ＿３Ｎ＿４ＦｉｌｍｔｏＹＢＣＯＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇＦｉｌｍＺｈａｎｇＹｕｔｉａｎ；ＪｉｎＢｏＡＮＤＱｉａｎＰｉｎｇｋａｉ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＳｃｉｅ...     

On the Design of Nonlinear Neural Networks for Associative Memories

ＯｎｔｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＮｏｎｌｉｎｅａｒＮｅｕｒａｌＮｅｔｗｏｒｋｓｆｏｒＡｓｏｃｉａｔｉｖｅＭｅｍｏｒｉｅｓＸｕＳｈｕｎｄｏｕ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＢａｓｉｃＣｏｕｒｓｅｓ，ＳｈｉｊｉａｚｈｕａｎｇＰｏｓｔａｌＣｏｌｅｇｅ，Ｓｈｉｊｉａｚｈ...     

SIMOX结构隐埋氧化层的体电学传导

ＳＩＭＯＸ结构隐埋氧化层的体电学传导＝ＢｕｌｋｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｉｎｔｈｅｂｕｒｉｅｄｏｘｉｄｅｏｆＳＩＭＯＸｓｔｒｕｃｔｕｒｅ［刊，英］／Ｒｅｖｅｓｚ，Ａ．Ｇ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．－１９９３，１４０（１１...     

硅上自然氧化物的表征和控制

硅上自然氧化物的表征和控制＝Ｃｈａｒ－ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎａｎｄｃｏｎｔｒｏｌｏｆｎａｔｉｖｅｏｘｉｄｅｏｎｓｉｌｉｃｏｎ［刊，英］／ＯｈｍｉＴ．∥Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｂ．－１９９４，３３（１Ｂ）．－３７０～３７４描述了室温和直线升温...     

Photoelastic Fabry－Perot Optical Modulator Based on a Silicon－on－Insulator Structure

ＰｈｏｔｏｅｌａｓｔｉｃＦａｂｒｙ－ＰｅｒｏｔＯｐｔｉｃａｌＭｏｄｕｌａｔｏｒＢａｓｅｄｏｎａＳｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ＩｎｓｕｌａｔｏｒＳｔｒｕｃｔｕｒｅ￥ＹＵＬｉｓｈｅｎ（ＢｅｉｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１００８７１，ＣＨＮ）ＧＵＡ...     

高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响

本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时,Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小,迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响,本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ,发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变,Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

THE OUTPUT OPTICAL FIELD INTENSITY DISTRIBUTION FORMED BY AN OPTICAL FIBER END

ＴＨＥＯＵＴＰＵＴＯＰＴＩＣＡＬＦＩＥＬＤＩＮＴＥＮＳＩＴＹＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮＦＯＲＭＥＤＢＹＡＮＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲＥＮＤ￥ＹＵＡＮＬｉ－Ｂｏ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＨａｒｂｉｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...     

Sn Oxide States of SnO_x Films Induced by Vacuum Annealing

ＳｎＯｘｉｄｅＳｔａｔｅｓｏｆＳｎＯｘＦｉｌｍｓＩｎｄｕｃｅｄｂｙＶａｃｕｕｍＡｎｎｅａｌｉｎｇＨ．ＹａｎＧ．Ｈ．ＣｈｅｎＧ．Ｙ．Ｃａｏ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，ＢｅｉｊｉｎｇＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...