CMOS专用IC—步进电机分配器

ＣＭＯＳ专用ＩＣ──步进电机分配器毕玉国随着ｃＭＯＳ集成电路设计和制造技术的发展，制造一片新的ＩＣ的周期越来越短，成本也越来越低，加之ＣＭＯＳ工艺ＩＣ本身的优点，要求定制ＣＭＯＳ专用ＩＣ的用户正在增加，使ＣＭＯＳ专用ＩＣ成为ＣＭＯＳ集成电路领域中一个...     

MOS集成电路生产过程中防静电的讨论

本文介绍了ＭＯＳ集成电路的静电击穿机理，提出了在ＭＯＳ集成电路生产过程中的一些防静电措施。     

一种双扩散p阱nMOS器件新结构

本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理电路与衬底间的ｐｎ结隔离，并且隔离电压接近ＶＤＭＯＳ管的耐压。通过调节源、漏扩散窗口间距，可以在小范围内调整ｎＭＯＳ管的阈值电压。这种双扩散ｎＭＯＳ器件结构，特别适合于制作单驱动器件的ＭＯＳ功率集成电路。     

HCMOS集成电路的特性

ＨＣＭＯＳ集成电路的特性曾庆贵本文介绍ＨＣＭＯＳ集成电路的直流特性＄ｉｆ交流特性，并且和ＣＭＯＳ、ＬＳＴＴＬ等电路进行比较。一、功耗ＣＭＯＳ集成随路的最大优点是低功耗。ＨＣＭＯＳ保留了这个特点．它的功耗包括协态功耗和动态功耗。ＨＣＭＯＳ电路的静态功耗...     

HCMOS集成电路的接口和使用

ＨＣＭＯＳ集成电路的接口和使用沈毅使用ＨＣＭＯＳ集成电路的目的，是要充分利用它功耗低和速度高等优点．如果有可能的话，整个系统都应该全部选用ＨＣＭＯＳ器件。如果为了使系统达到最佳性能不得不刀Ｄ人一些其他器件时，即ＨＣＭＯＳ和其他系列器件的混合使用，就会...     

MOS集成电路电过应力损伤的模式和机理

电过应力是造成MOS集成电路损坏的主要原因.本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力损伤的模式和机理.     

CMOS数字集成电路的高温电学性能分析

本文给出了ＣＭＯＳ倒相器的高温等效电路，分析了它的高温直流传输特性和瞬态特性，文章还讨论了ＣＭＯＳ静态数字集成电路高温电学特性的分析方法。本文提出了的ＣＭＯＳ数字集成电路的高温学特性模型和实验结果相接近。     

PWR—SMP系列开关式直流电源变换器

ＰＷＲ－ＳＭＰ系列开关式直流电源变换器陈小牧，李东星ＰＷＲ－ＳＭＰ系列电源控制器是美国ＰＯＷＥＲＩＮＴＥＧＲＡＴＩＯＮ公司新近推出的单片集成电路高频开关式直流电源变换器。该系列芯片有如下几个主要特点：１．单片化，在ＰＷＲ－ＳＭＰ系列芯片内集成了开关电...     

ZMR SOI结构的电物理特性：研究方法与试验结果

ＺＭＲＳＯＩ结构的电物理特性：研究方法与试验结果＝〔刊，俄〕－１９９４，２３（６）－１８～３１要制作ＳＯＩ器件和集成电路，就必须了解硅薄膜和硅／介质界面的电物理特性。但是，由于ＳＯＩ结构有一系列特殊的特性（具有导电衬底，两个硅／电介质界面，在一定条件...     

元器件文摘卡

元器件文摘卡通讯类新型可编程语音集成电路ＭＳＳ１０６１／涉及主要元器件：ＭＳＳ１０６１、８０３１单片机／《电信技术》４年第２期本文从原理上分析了台湾ＭＯＳＥＬ公司生产的不怕掉电型语音集成电路ＭＳＳ１０６１，这种集成电路为一次性可编程固定语音输出，最长...     

CMOS运算放大器的质子辐照效应

本文报道了ＬＦ７６５０ ＣＭＯＳ运算放大器在４Ｍｅｖ、７Ｍｅｖ和３０Ｍｅｖ三种不同质子能量辐照下的损伤特性和变化规律，并通过对其损伤机理的分析，探讨了引起电参数失效的机理。结果表明，由于质子辐照引起多数载波子迁移率的降低，导致ＭＯＳＦＥＴ跨导下造成ＣＭＯＳ运放电路失效的主要原因，同时，比较了三种不同能量质子的辐照结果，表明电路的损伤与能量有一定的关系。     

新型可编程语音集成电路MSS1061

新型可编程语音集成电路ＭＳＳ１０６１河北省长途电信传输局吴明台湾ＭＯＳＥＬ公司推出了一种不怕掉电型语音集成电路ＭＳＳ１０６１。这种集成电路为一次性可编程固定语音输出，最长固化语音的放音时间为６ｓ。ＭＳＳ１０６１外接４个触发端子，可以分段放音，也可根据...     

薄膜全耗尽CMOS／SOI—下一代超高速Si IC主流工艺

本文较为详细地分析了薄膜全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ技术的优势和国内外ＴＦ ＣＭＯＳ／ＳＯＩ器件和电路的发展状况，讨论了ＳＯＩ技术今后发展的方向，得出了全耗尽ＣＭＯＳ／ＳＯＩ成为下一代超高速硅集成电路主流工艺的结论。     

MCBiCMOS门阵列的母片设计

本文介绍ＭＣＢｉＣＭＯＳ门阵列的母片设计技术。由于采用了先进的ＭＣＢｉＣＭＯＳ工艺和设计技术，ＭＣＢｉＣＭＯＳ更适合地制作高性能，大规模的专用集成电路。在２μｍＣＭＯＳ和３μｍ双极相结合的设计规则基础上，我们设计了ＭＣＢｉＣＭＯＳ２０００门门阵列母片，并利用ＭＣＢｉＣＭＯＳ宏单元库，成功地完成了ＣＧＢ２００３     

HCMOS模拟开关及多路转换器/信号分离器

ＨＣＭＯＳ模拟开关及多路转换器／信号分离器曾庆贵开关类集成电路在ＣＭＯＳ和ＨＣＭＯＳＩＣ中占有很重要的地位，它和其他工艺的开关相比，ＣＭＯＳ＄拟开关的优点是功耗低，输入电压范围宽、开关于扰ＣＭＯＳ传输门，如图１所示。它的导通电阻Ｒ。。随输入电压Ｖｉ变...     

氮氧化物栅介质抗辐射性能研究

本文利用具有氮氧化物栅介质的ＮＭＯＳ、ＰＭＯＳ和ＣＭＯＳ集成电路研究氮氧化物栅的抗γ总剂量性能，结果表明氮氧化物多层栅介质有比纯ＳｉＯ２更好的抗辐射性能。     

采用混合模式晶体管(BMHMT)构成低温BiCMOS集成电路

本文介绍采用与ＣＭＯＳ工艺完全相容的双极／ＭＯＳ混合模式晶体管（ＢＭＨＭＴ）构成新型的低温ＢｉＣＭＯＳ集成电路．理论分析表明该电路与ＣＭＯＳ相比，在电压摆幅相同，静态功耗相近的条件下，具有更大的驱动能力，尤其在较低的工作电压下，其特点更加突出．我们用统一的标准和相同芯片面积设计了３９级带负载的ＢｉＣＭＯＳ和ＣＭＯＳ环形振荡器．实验样品经室温和低温平均门延迟时间测试，表明在相同工作电压下ＢｉＣＭＯＳ优于ＣＭＯＳ．若两种电路都采用ＳＯＩ结构，预计ＢｉＣＭＯＳ可以获得更好的结果     

高性能BiCMOS制造技术及I/O电路优化

本文报导一套先进的ＢｉＣＭＯＳ集成电路制造技术，建立在ＣＭＯＳ工艺基础上的ＢｉＣＭＯＳ制造工艺，增加了双埋层，２．５微米本征外延层，双阱，基区，多晶硅发射区，深集电区和平坦化双层金属布线等工艺技术。器件性能测试和扫描电镜检查结果表明，双极器件和ＭＯＳ器件性能优良，ＢｉＣＭＯＳ器件的抗锁定性能比ＣＭＯＳ器件提高了一个数量级。     

合并互补BiCMOS集成电路的研究

分析了几种常规ＢｉＣＭＯＳ门电路的特性，对合并互补（ＭＣ）ＢｉＣＭＯＳ集成电路的二输入与非门和１１级环形振荡器进行了实验研究，并与常规ＢｉＣＭＯＳ进行了比较。实验结果说明，ＭＣＢｉＣＭＯＳ具有电路结构简单，芯片面积小，工作速度高，负载能力强和低压工作特性好等优点。     

IDDQ测试技术及其实现方法

ＩＤＤＱ测试是近几年来国外比较流行的ＣＭＳＯ集成电路测试技术。ＩＤＤＱ测试能够２检测出传统的固定值故障电压测试所无法检测的ＣＭＯＳ集成电路内部的缺陷、所以,能够明显提高ＣＭＯＳ集成电路的使用可靠性。本文叙述了ＩＤＤＱ测试的基本原理和ＩＤＤＱ测试在集成电路测试系统上的实现方法及测试实例。