具有更宽工作电压范围的串并口F-RAM存储器

W系列F—RAM存储器带有串口I^2C、SPI接口和并行接口，能够提供2．7～5．5V的更宽电压范围。此外，W系列具有更高的性能，如有功电流（active current）需求降低了25％～50％，串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快20倍。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256Kb串口I^2C与和SPI接口。     

FM W系列：F－RAM存储器

Ramtron Intemational Corporation推出W系列F-RAM存储器,W系列器件带有串口I 2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2．7V～5．5V的更宽电压范围。W系列具有更高的性能,如有功电流和串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256．kbit串口I2 C与和SPI接口。     

两款通过汽车等级认证的串口F—RAM器件

Ramtron International Corporation（简称Ramtronl宣布．其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G，是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器，在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

Ramtron的高功效512Kb和1MbV系列串口F—RAM存储器

Ramtron宣布其新的井口和串口F—RAM系列增添两款产品,这些F—RAM器件提供高速读／写性能、低电压工作和可选器件特性。Ramtron的V系列F—RAM产品之最新型款为512KbFM24V05和1MbFM24V10,是2．0V至3．6V的串口非易失性RAM,采用8脚SOIC封装,使用双线（12C）协议。     

Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件

Ramtron发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口（I2C）的FM24V02和带有串行外设接口（SPI）的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V～3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读／写次数及低功耗等特点．是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256Kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品。     

新型非绝缘DC／DC功率模块PTN04050A/C

10月18日，TI公司推出两种新的非绝缘DC／DC功率模块PTN04050A和PTN04050C，用于通信，工业控制和测量系统，它比以前的器件要小50％，并且是无铅的。器件的输入电压从2．9～5．5V，可调输出电压从5～15V（升压）或-3．3～-15V（降压-升压）。     

L波段150W宽带硅脉冲功率晶体管

设计了一种称之为多晶硅覆盖树技状结构的双极型微波功率晶体管。该器件采用掺砷多晶硅发射极，同时具备有覆盖和树枝状两种图形结构的优点。器件引入扩散电阻和分布式多晶硅电阻组合而成的发射极复合镇流电阻，实现对发射极电流二次镇流，器件表现出良好的微波性能和高的可靠性。经内匹配，在L波段脉冲输出大于100W（36V），脉宽150μs，工作比10％，增益大于7．5dB，效率大于45％，器件最大输出达150W（42V）。     

L波段50W GaAs MESFET

据日本《NEC技报》1997年第3期报道，NEC公司化合物器件事业部最近新开发了L波段的50W大功率GaAsMESFET。该器件的截面结构如图所示，采用了栅长为1．0μm的WSi肖特基栅，工作于B类推挽电路。该器件的饱和输出功率为537W，1dB增益压缩输出功率为51．3W，线性增益13．1dB，最大漏极效率为57％（频率f=1．5GHz，偏置VDS=10V，IDS=3％IDSS）。该器件作为固态功率放大器（SSPA）用于数字移动电话基地局。L波段50W GaAs MESFET@孙再吉     

德州仪器高精度、微功耗运算放大器

德州仪器（Texas Instruments）宣布推出Burr-Brown产品线的新系列高精度、微功耗运算放大器（Op Amp）。OPA379系列的工作电压范围介于1．8V～5．5V之间，并具有高性能单电源操作、超低静态电流（2．9gA）以及低静态电流噪声（80nV／rtHz）等优异特性。该器件采用微型封装，非常适用于电池供电的应用。     

十四引脚逻辑器件

这些通用逻辑器件新品采用了十四引脚TSSOP与SOIC封装，适用于多种电脑、网络及消费性电子产品。新系列包含了10种最常见的逻辑功能，包括四路2输入与门（AND）、与非门（NAND）、配备了施密特（sChmitt）触发器输入的与非门、或门（OR）和异或门（XOR），以及具有开漏极的三款6路反相器和一个6路缓冲器。74LV系列器件提供从2．0～5．5V的宽广供电电压范围，能够支持微小电池供电的便携式及传统5V应用。     

德州仪器针对电池供电应用推出高精度、微功耗运算放大器

日前，德州仪器宣布推出Burr-Brown产品线的新系列高精度、微功耗运算放大器OPA379系列。OPA379系列放大器的工作电压范围为1．8～5．5V，并具有高性能单电源操作、超低静态电流（2．9μA）以及低静态电流噪声（80nV／rtHz）等优异特性。该器件采用微型封装，非常适用于电池供电的应用。     

UMPC超低功耗时钟解决方案

IDT公司推出专门用于超便携PC（ultra—mobilePC，UMPC）的超低功耗时钟器件系列。这些超低功耗时钟器件最低只需1．5V电压，而标准的时钟器件需要3．3V，这将延长UMPC的电池寿命。     

数字控制隔离DC／DC转换器BMR453

BMR453系列四分之一砖DC—DC转换器集成了一个数字控制平台,这一方法承诺释放了真正资源以增加功率密度。器件具有96％的效率,提供400W的输入功率,或高达33A及±2％的精度。输入电压范围为36～75V,输入电压在8．5～13．5V之间可变。目标应用包括必须使用电信输入电压并具有备用电池或－48V和－60V额定输入电压的系统。     

新型1．1mm厚1500W表面贴装瞬间电压抑制器

Vishay日前推出1．1mm厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb瞬态电压抑制器（TVS）--SMPC系列。SMPC系列具有6．7V～42．4V的击穿电压和10．0V～58．1V的优异钳位能力。采用eSMP^TM TO-277A封装,比传统SMC封装的占位面积小27％。SMPC系列的峰值前向浪涌电流高达200A,工作温度为-55℃～＋105℃。     

无滤波器D类音频放大器

无滤波器的D类音频放大器NCP2820能通过5V电源为一个4Q桥式连接负载（BTL）提供2．65W的连续平均功率，或为8Q桥式连接负载提供1．4W功率，而总谐波失真加噪声（THD＋N）小过1％。输入电压为2．5～5．5V，效率为90％，关断电流为0．42μA。可消除启动或关断时的噪声，使用A加权滤波器能确保获得净化的音频输出。     

N888U手持对讲机故障检修

一、性能简介N888U是日本研制生产的优质无线手持对讲机。该机具有体积小、重量轻、造型美观、功能强、耗流小、灵敏度高、操作简单、适用范围广泛等优点，其技术指标符合中国国家无线电管理委员会规定。1．一般指标（1）频率范围：450～469995MHZ：心）频率结构：锁相环方式；（3）频率稳定度（－10～＋60C时5X10s）。2．发射机指标（1）射频输出功率：低功率0．5W，高功率2．2W（电源电压为7．2V时）；低功率0．5W，高功率5．0W（电源电压为13．8V时）。（2）杂波发射：－60dB以下。（3）最大颗偏：±5kHZ。（4）音频失真：2％。（…     

2Mb串口非易失性F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2Mb高性能串口F—RAM器件FM25V20是Ramtron公司V系列F-RAM存储器中的一员。     

Ramtron扩展F-RAM V产品系列新增汽车等级串口128千位器件

Ramtron宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100G r a d e3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0V～3.6V的宽工作电压范围内工作。     

微芯科技推出带有一对256Kb器件的串行EEPROM系列

微芯科技（Microchip Technology）公司推出SPI串行EEPROM系列25AA256和25L C256。新器件带有一对256Kb器件，速率可达10MHz。其中25AA256的工作电压范围在1．8V至5．5V之间，25LC256的工作电压范围在2．2V至5．5V之间，提供一40℃至85℃和-40℃至125℃的温度范围，基于SPI的器件可优化和便于连接微处理器。     

TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

P通道TrenchFET功率MOSFETSi7633DP和Si7135DP采用SO-8封装，可容许比其他SO8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。30VSi7135DP的导通电阻为3．9mΩ（在10V时）和6．2mΩ（在4．5V时）。这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业／通用系统中的负载切换应用。