挠性板市场及下游应用需求分析

分析了目前的挠性板市场,对中国挠性板市场2003年以及2004年的快速扩张提出了忧虑,可能会导致2005年的产能过剩、利率下降,分析了未来中国挠性板的技术发展方向;同时对挠性板下游应用需求进行了分析。     

多层挠性板

概述了多层挠性板,它适用于要求小型、轻量、薄型、高性能和高密度安装的携带电子机器。     

挠性基板材料简介

应用于IC封装（Integrated Circuit,集成电路）的FPC（F1exible Printing Circuit,挠性印制电路）称为挠性基板。随着电子产品向高密度、小型化、高可靠性方向发展,挠性基板因其优良的弯折性能,可实现三维互连的优点,已广泛应用于军事航天、医疗、汽车及消费类电子等领域。     

值得思索的中国FPC生产状态

中国的FPC应走向以刚-挠性PCB为主的新产品上。     

最新挠性基板材料的技术动向

概述了基体材料、导体材料、覆铜箔板和涂覆材料等挠性基板材料的最新技术动向,适用于制造高密度挠性印制板(FPC)。     

挠性PCB用基板材料的新发展（1）——FCCL发展的综述与特点

该文主要阐述2003年￣2004年间挠性覆铜板在生产厂家及在所用材料(包括PI薄膜、铜箔)、新技术、新产品方面的新发展。     

挠性PCB用基板材料的新发展（3）——二层型挠性覆铜板的开发新成果

主要阐述2003年~2004年FPC用挠性覆铜板在生产厂家方面及在所用材料(包括PI薄膜、铜箔)、新技术、新产品方面的新发展。     

挠性PCB用基板材料的新发展（2）——三层型挠性覆铜板的开发新成果

主要阐述2003年￣2004年FPC用挠性覆铜板在生产厂家方面及在所用材料(包括PI薄膜、铜箔)、新技术、新产品方面的新发展。     

挠性PCB用基板材料的新发展（5）——FPC用电解铜箔的新成果

主要阐述FPC用挠性覆铜板2003年￣2004年在生产厂家方面及在所用材料(包括PI薄膜、铜箔)、新技术、新产品方面的新发展。     

应用领域迅速扩大的挠性印制板

挠性印制板已从传统的应用领域迅速扩大到灵活性、小型化和HDI/BUM产品应用领域,明显地扩大了挠性印制板进步和发展的空间,大大地加快了挠性印制板的发展速度。     

柔性有机电致发光器件制备及光电性能研究

制作了结构为ITO／PVK：TPD／Alq3／Al、分别以PET为衬底的柔性的和以玻璃为衬底的普通的有机电致发光二极管（OLED）,对两种器件的电流密度-电压曲线、光电流-电压曲线及量子效率-电流密度曲线进行了测量与分析。结果表明,它们的光电特性非常接近,但柔性OLEDs（FOLEDs）的开启电压略高;在20V电压驱动下,FOLEDs的亮度达到1000cd／m^2,量子效率为0．27％。对器件进行了抗弯折性能的测试。     

挠性PCB用基板材料的新发展（4）——FPC用压延铜箔的新成果

主要阐述FPC用挠性覆铜板2003年~2004年间在生产厂家方面及在所用材料(包括PI薄膜、铜箔)、新技术、新产品方面的新发展。     

柔性印制电路市场发展动态

从柔性印制电路的市场驱动力、应用领域以及未来柔性电路技术等方面概述了柔性印制电路的市场发展趋势。     

功率LED柔性封装结构的设计与热特性分析

根据功率LED的柔性封装要求,提出了基于贴片式(SMD)封装的功率型LED柔性封装结构。对各层结构进行了优化设计,采用有限元分析(FEA),模拟了柔性封装结构LED的热场分布。对比研究了柔性LED与传统封装结构LED的热特性,并对弯曲状态下柔性衬底材料对芯片的应力进行了分析。结果表明,采用金属Cu箔衬底的柔性封装结构,其散热特性较好;Cu/超薄玻璃复合衬底替代Cu箔衬底,可以减少弯曲的应力,减少幅度达到2.5倍,散热特性基本相同。SMD柔性封装的LED不仅具有较好的热稳定性,且具有柔性可挠曲特性,其应用潜力很大。     

基于银纳米线的柔性透明电极的制备及性能研究

有机发光二极管(organic light emitting diodes, OLEDs)可以柔性制备,在未来的可穿戴应用上有广阔的发展前景,而柔性透明电极(flexible transparent electrode, FTE)的性能直接影响着柔性OLED的性能。本文基于银纳米线(AgNWs)和聚(3,4-乙烯二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)制备了FTE,并采用甲醇浸渍、氩等离子处理、紫外辐射3种不同的方式对该电极进行处理,优化FTE的光电性能。研究发现：甲醇浸渍,可减少AgNWs上聚合物的包覆;等离子体处理和紫外辐射,可对AgNWs进行焊接;而两种方式的协同作用则可以对FTE的光电性能进一步优化。实验获得最优FTE的方阻为14.18Ω/sq,在550 nm处的透过率可达到84%以上。经过500次弯曲测试后,FTE的方阻变化率低于15%。本文的工作对FTE的制备及优化提供了可行性方案。