共查询到18条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
CCD 图像传感器内线转移结构的设计,采用有溢出漏的光电二极管 P 阱结构,选用四相二次时钟脉冲驱动方式,埋沟和相关双重取样输出放大器。这种器件获得了最佳光谱响应,其峰值为550nm,噪声等效信号降低到50个电子以下;动态范围达到60分贝。电晕现象将受到抑制,饱和电平寄生信号可得到消除。 相似文献
2.
3.
采用行间转移型面阵CCD KAI-1020作为图像传感器,以现场可编程门阵列(FPGA)为核心控制器,设计并实现了一个完整的成像系统。FPGA产生驱动时序、控制CCD上电顺序、调节曝光时间,并实现数据缓存。CCD模拟视频信号经过预处理,通过同轴电缆传输到CCD专用视频处理器进行相关双采样和模数转换,以10位像素深度输出到FPGA,数字视频信号经过差分芯片驱动以低压差分信号(LVDS)格式输出到数据采集卡。集成化视频处理电路提高了系统的信噪比,改善了成像质量。实验表明,CCD成像系统工作稳定可靠,像素读出时钟为10 MHz时,帧频为10帧/s。设计的CCD成像系统性能好、可靠性高、实现周期短,具有很强的可扩展性。 相似文献
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
在大量的实验基础上,提出了一种新的棉纤维长度分布的测量方法。该方法基于图像测量,用气流把棉纤维试样固定在风洞中,使面阵CCD通过扫描的方法,捕捉纤维图像,有效地解决了纤维制样、光学成像和图像快速处理等问题。根据棉纤维的特性,光学成像系统利用了透射光成像技术,避开了衍射极限障碍,提高了图像的分辨率,保证了测量速度与精度。 相似文献
11.
12.
分析了激光功率密度增加到原来的10倍的时候, 激光干扰行间转移CCD的串扰图像部分的灰度值并不是成比例地增加, 并对串扰图像进行了仿真。由于光电二极管的溢出是不断进行的, 垂直CCD的每个像元都获得所有超过阈值的像元溢出的光生载流子之和。每个超过阈值的像元溢出的光生载流子等于垂直CCD向下移动一个像元所需的时间内溢出的光生载流子。通过求解感光部分中光生电子遵守的方程, 得到电子浓度增量和入射光功率的关系, 进而仿真出串扰图像。仿真了激光能量为串扰阈值10倍和100倍量级时的串扰图像, 仿真结果和实验结果可比。 相似文献
13.
分析了激光功率密度增加到原来的10倍的时候,激光干扰行间转移CCD的串扰图像部分的灰度值并不是成比例地增加,并对串扰图像进行了仿真。由于光电二极管的溢出是不断进行的,垂直CCD的每个像元都获得所有超过阈值的像元溢出的光生载流子之和。每个超过阈值的像元溢出的光生载流子等于垂直CCD向下移动一个像元所需的时间内溢出的光生载流子。通过求解感光部分中光生电子遵守的方程,得到电子浓度增量和入射光功率的关系,进而仿真出串扰图像。仿真了激光能量为串扰阈值10倍和100倍量级时的串扰图像,仿真结果和实验结果可比。 相似文献
14.
提出了一种在反应离子深刻蚀中既可以加强热传递又可以抑制notching效应的方法,尤其适用于含有细长梁结构的刻蚀.通过在硅结构的下表面溅射一薄层金属,以加强刻蚀过程中产生的热量的消散,降低了硅结构的温度.用有限元仿真和实验分别验证了该方法的有效性.同时,金属层也抑制了刻蚀离子所带电荷在绝缘介质层上的积累,防止了自建电场的产生,抑制了notching效应.该方法通过扫描电子显微镜的测量也得到了实验验证.加工了一个SOI梳齿驱动器,检验了本方法的有效性和适应性. 相似文献
15.
运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析.结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550 keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600 keV,剂量控制在4.0×1012~8.0×1012 cm-2,器件弥散特性最佳. 相似文献
16.
17.