一种制备大面积超导薄膜的激光扫描淀积方法

本文报道了一种制备大面积超导薄膜的激光扫描淀积方法。这种方法是通过一光学变换传输系统使激光束能绕一定的半径旋转,旋转的激光束去扫描消融超导靶材来淀积大面积超导薄膜。实验表明用这种激光扫描淀积方法可使超导薄膜的均匀区域扩大10倍左右。     

脉冲激光沉积薄膜专家系统

脉冲激光淀积技术是制备薄膜的先进技术之一,具有膜成分容易做到与靶成分一致、便于控制淀积条件、适用面宽、淀积速率高、易于引入新技术等特点.为了使脉冲激光淀积技术智能化、简便化,研究开发出了"脉冲激光淀积薄膜专家系统".该专家系统具有薄膜基片选择、淀积参数确定、实验结果总结、相关数据查询等功能.本文首先阐述了该专家系统的设计思想和工作原理,然后介绍了该专家系统的功能和结构;最后对该专家系统的适用条件和进一步拓展的目标进行了讨论.利用该专家系统,成功地指导了掺钛氧化钽薄膜和钛酸锶钙薄膜的制备.(OH16)     

激光扫描制备大尺寸超导薄膜的理论分析

提出了利用激光扫描剥离靶材,沉积膜厚分布均匀的大尺寸高温超导薄膜分析模型。利用这模型取得的结果表明:激光扫描方法沉积的薄膜厚度分布依赖于激光扫描半径、靶面与基片的间距。对于一定均匀性程度要求的薄膜,存在一个能获得最大尺寸薄膜的最佳激光扫描半径。实验结果与理论分析基本一致。     

激光溅射淀积Y-Ba-Cu-O超导薄膜

利用准分子激光束辐照Y-Ba-Cu-O超导靶体,使之元素溅射出来,喷到平行于靶面的基片之上而淀积成膜,然后通过适当的退火过程,所制薄膜在液氮温区具有超导性。制取了零电阻温度85K的高温超导薄膜;讨论了淀积条件与退火过程对薄膜超导性能的影响。     

在InP表面淀积Si_3N_4薄膜的研究

本文报导了用CVD的方法在InP、InGaAsP四元层表面淀积Si_3N_4薄膜的工艺。并对影响Si_3N_4薄膜的淀积速率、折射率、腐蚀速率的各种因素进行了实验和分析。实验结果表明:用该方法所淀积的Si_3N_4薄膜,重复性、均匀性都较好,该薄膜已较好地用于激光器的研制中,作为窄条光刻腐蚀保护膜和扩散掩蔽膜,得到了理想的效果。     

高性能ZnS：MnEL显示器制作新技术

为了制得高性能 ZnS:Mn EL 显示器,国外研究人员作了不少努力,下面介绍几种技术。1.用 MOCVD 技术生长高亮度 ZnS:Mn 层MOCVD 优点是能大面积淀积优质薄膜,淀积温度低,适合碱玻璃基片。还有,荧光层和介电膜可相继连续淀积,可省掉退火工艺,显示板生产率大为提高。日本用 MOCVD 技术     

LPCVD制备二氧化硅薄膜工艺研究

采用TEOS源LPCVD法制备了SiO2薄膜,采用膜厚仪对薄膜的厚度进行测试.通过不同条件下SiO2薄膜的厚度变化,讨论了TEOS源温度、反应压力及反应温度等工艺条件对淀积速率和均匀性的影响.结果表明,在40℃,50 Pa左右,淀积速率随TEOS源温度、反应压力基本呈线性增大.通过多次试验改进,提出了SiO2膜淀积的典...     

超导电子学初探

本文叙述了几种超导晶体管模型,并提出在无缓冲层的Si及GaAs衬底上淀积高温超导体YBCO薄膜是困难的,只有缓冲层材料才能改善超导薄膜的质量。     

充电技术导致高分辨率刻光术

联合王国Teddington国家物理实验室(简称NPL)发展了一种简单的光刻技术,该技术利用电子束或离子束在绝缘基底上书写一充电线路图。在镀膜过程中,真空汽化淀积形成的薄膜只附着在基片上已充电的区域。基片充电后48小时就制成了满意的膜层。NPL的Suni P·Talim说:“我相信这一工艺在集成电路和集成光学、超导陶瓷、高分辨率电视和衍射光     

硒化锌薄膜的射频溅射淀积

描述了射频溅射淀积ZnSe薄膜的研究工作,实验给出了淀积速率与各溅射参数之间的关系曲线,找出了在φ20mm内光学镀层均勺性在98%以上的工艺条件,讨论了影响溅射均匀性的若干因素,并与热蒸发ZnSe薄膜进行比较.证明用溅射法,其淀积的薄膜的填充系数比热蒸发法高。     

用于剥离光刻的补偿掩蔽层

描述了一种用单一掩蔽层的光刻剥离工艺制作亚微米薄膜图形和简单的多层结构的技术。此技术采用在衬底上的掩蔽层补偿及倾斜淀积薄膜的方法。它提供一个制作小面积的Josephson结和厚度变化的超导桥的简单方法。对于制作电路中的这类器件,此法也是适用的。作为例子,强调了它在超导技术中的应用,但是在其它领域里也可找到它的用途。     

PECVD制备非晶硅薄膜的均匀性控制方法研究

针对用于制备非晶硅薄膜的PECVD设备反应室的流体场进行了模拟仿真,并实验制备了相对应条件下的非晶硅薄膜,利用台阶仪完成了对薄膜厚度的测量,对比仿真结果,发现薄膜的厚度分布情况与基片表面附近的气流分布情况密切相关,获得均匀性优于2.5％非晶硅薄膜.     

PVD淀积速率理论

本文建立了PVD淀积速率与光源功率以及淀积时间关系的理论,发现理论与薄膜厚度关于淀积时间关系的实验结果相符合。     

微透镜阵列用于线列红外探测器的研究

采用离子束刻蚀制备了线列长方形拱面熔凝石英微透镜阵列，用准分子激光扫描消融法淀积了性能均匀而且稳定的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，用湿法刻蚀制备了超导薄膜器件，用微透镜阵列与超导薄膜器件耦合构成组合式红外探测器。     

类金刚石新型薄膜材料

本文讨论了用气体离子化淀积技术制作类金刚石薄膜的方法,并研究了使用乙炔气体时的工艺条件。薄膜的性能与加速电压、基片温度、磁感应强度等淀积条件密切相关。在合适的条件下薄膜的威氏硬度可大于蓝宝石,有良好的导热性,且在电绝缘、耐腐蚀性等方面均接近金刚石的性能。电子衍射图像表明,薄膜中含有微小的金刚石晶粒。     

薄膜蒸镀

由Plasmatron Coatings & Systems公司生产的UHV型X多室薄膜蒸镀系统可用于在低温下生产高温超导器件,基片加工室以原地、大面积、高密度、抗等离子体装置等为特色,这样就可以让基片在淀积期间浸没在高密度的氧原子等离子体中。     

等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究

用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量之间的一些关系;根据实验获得的Si LVV和CKLL俄歇谱比较和讨论了不同[Si]/[C]浓度比薄膜的化学特征.     

640×480 TFT-AMLCD有源层的制备

从理论上分析了a-Si∶H薄膜晶体管(TFT)有源层——a-Si∶H薄膜的光电特性、厚度及淀积均匀性、稳定性、重复性对TFT工作性能的影响.并根据此分析,在实验的基础上对a-Si∶H淀积工艺进行了优化,找到了最佳淀积工艺,并介绍了淀积室电极结构.用此工艺,作者在美制备出高质量的640×480象素的a-Si∶H薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD),其对比度为100∶1,灰度24级,开口率大于50%,开关比大于1e7.     

在GaAs衬底上射频溅射SiO_2薄膜研究

一、引言自从一九六二年应用射频溅射技术成功地溅射了石英、蓝宝石和金刚石以来,今天它已经广泛地用来溅射金属(如钛、金等),半导体(如硅、砷化镓等),绝缘体(如二氧化硅、三氧化二铝和氮化硅等)。由于射频溅射具有如下优点:(一)它具有多面性,任何材料(导电的或非导电的)都可以朋作靶子;(二)容易精确控制淀积速率和薄膜厚度;(三)在大片面积上薄膜厚度均匀性和化学计量比都是优良的;(四)淀积薄膜一般具有优良的机械性能(如粘附性强等)。     

聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型

在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子束电流和反应气体流量下 ,影响淀积速率的主要因素是离子束的照射时间和扫描周期 .模型的计算结果与实验结果比较取得了较好的吻合 ,说明该模型比较精确地反映了聚焦离子束辅助淀积的物理过程 .