266nm激光作用下1,3-二溴苯的多光子电离和解离研究

在波长为266 nm的激光作用下对1,3-二溴苯分子的多光子电离解离过程进行了研究,获得了溴苯分子的MPIF-TOF质谱,并测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系.用这些实验结果分析1,2-二溴苯分子的多光子电离解离机理,得出1,3-二溴苯的MPI过程主要是母体分子解离-中性碎片电离C6H 4,C5H 3,C4H 2,C3H 等碎片离子主要是经过离子离解阶梯模式产生的,并给出了可能的解离通道.     

260-285nm波段苯胺的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了260-285 nm波段气相苯胺分子的共振增强多光子电离／飞行时间质谱(REMPI-TOFMS)。结合在266 nm激发波长下得到的C6H7N 、C5H6 、C4H3 、C3H3 、C2H4 及H2CN 离子的光强指数及不同激光能量下各离子信号强度的分支比,对分子离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在此波段范围内,苯胺分子首先吸收一个光子跃迁至1B2第一激发态,处于激发态的苯胺分子再吸收一个光子电离生成分子离子C6H7N ,分子离子进一步吸收光子解离为C5H6 、H2CN 、C6H5 ,碎片离子C6H5 继续吸收光子解离产生C4H3 、C3H3 、C2H4 ,并给出了可能的解离通道。     

355 nm激光作用下CH3I分子的多光子电离解离

利用飞行时间质谱仪在超声射流冷却条件下研究了CH3I分子在355 nm激光作用下的多光子电离解离机制.得到了分子的飞行时间质谱,质谱中有较强的H 、CH 3和I 信号,较弱的C ,CH 、CH 2和母体离子CH3I 信号,CH3I 的出现表明CH3I分子的多光子电离解离(MPID)属母体离子阶梯模式:CH3I分子由双光子共振激发到里德堡C态,处于该激发态的母体分子继续吸收光子上泵浦至电离态形成母体离子CH3I ,碎片离子可由母体离子解离形成.同时结合母体离子及碎片离子的出现势对CH3I分子的多光子电离解离通道进行分析,提出了可能的解离电离通道.     

飞秒激光场中氯丙烯的光电离/解离机制研究

利用50fs的激光脉冲对氯丙烯在200nm、400nm和800nm下的光电离/解离机理进行了研究. 实验获得了氯丙烯在三种波长下的电离质谱和光强指数,分析了母体和碎片离子强度随波长的变化关系. 在200nm时,C3H5Cl+来源于飞秒脉冲的直接非共振电离,其它碎片离子均来源于母体离子的电离解离过程;在400nm时,部分分子被激发到高里德堡态从而解离产生C3H5,C3H5再次吸收光子电离导致C3H5+的信号增强;在800nm时,部分分子被同时激发到了排斥态nσ*和多个高里德堡态而发生解离.更多通道产生C3H5使得C3H5+产量进一步增加.由于C3H4+来自C3H5Cl+以及C3H5+的电离解离过程,因此,C3H4+产率随波长变化相对较缓.     

260～285nm波段苯胺的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上获得了260～285nm波段气相苯胺分子的共振增强多光子电离／飞行时间质谱（REMPI-TOFMS）。结合在266nm激发波长下得到的C6H7N^＋、C5H6＋、C4H3^＋、C3H3^＋、C2H4^＋及H2CN^＋离子的光强指数及不同激光能量下备离子信号强度的分支比,对分子离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨：在此波段范围内,苯胺分子首先吸收一个光子跃迁至。B2第一激发态,处于激发态的苯胺分子再吸收一个光子电离生成分子离子C6H7N＋,分子离子进一步吸收光子解离为C5H6^＋、H2CN^＋、C6H^＋,碎片离子C6H5^＋继续吸收光子解离产生C4H3^＋、C3H3^＋、C2H4^＋,并给出了可能的解离通道。     

对氯苯酚的共振增强多光子电离研究

在自行研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验研究了气相对氯苯酚分子的共振增强多光子电离飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),获得了在275～285 nm激发波段的母体离子和主要碎片离子(C6H5O ,C5H5Cl C6H5 ,C5H 5,C4H 3,C3H 3)的(I I)REMPI激发光谱.通过质谱光谱分析,结合分子在中间激发态的能级和结构特征,对主要碎片离子的形成机理进行了研究.结果显示:各个碎片离子与对氯苯酚的母体离子具有相似的光激发谱,并且各个谱峰与S,1态的振动能级是一一对应的.说明各个碎片离子和母体离子的产生经历了相同的共振中间态.分子先吸收一个光子到达中间共振态,然后再吸收一个光子到达电离态电离.根据碎片离子光强指数的阶梯形分布和分子在S,1态的结构特点.判断各个碎片离子经历了母体离子的阶梯式离解,并给出了主要碎片离子的离解通道.     

飞秒光电子影像技术对氯丙烯分子的光电离/解离机理的研究

飞秒光电子影像技术结合飞行时间质谱对氯丙烯（C3H5Cl）在200 nm、400 nm、800 nm飞秒脉冲下的光电离/解离机理进行了研究。实验结果表明氯丙烯的光电离/解离机理与激光波长存在依赖关系。分析发现,在短波长200 nm时,母体分子C3H5Cl以双光子电离为主要通道,而其他的碎片离子则来源于C3H5Cl+的解离。当波长向长波方向变化时,例如800 nm时,C3H5Cl中间态的解离就开始占主导地位,碎片离子的信号也相应增强。此外,光电子能谱进一步证实了在400 nm和800 nm时存在来源于中性碎片的光电子,而这些中性碎片又是由C3H5Cl的中间态直接解离而产生的。这意味着,在长波400 nm和800 nm时,母体分子可能被激发到寿命较短的中间解离态,从而解离产生中性碎片,导致光解离过程在长波段占有重要角色。     

丙酮和丙醛分子的多光子电离碎片化机理

用多光子电离一飞行时间质谱法在激光波长为532nm处获得了丙醛和丙酮分子的MPIF－TOF质谱．实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系．并用这些实验结果对两酮和丙醛分子的MPIF机理作了分析．还对H＋、C＋和CH＋等小质量碎片离子的可能形成过程作了讨论．     

其它激光理论与技术

9907284丙酮和丙醛分子的多光子电离碎片机理[刊]/郭文跃//量子电子学报.—1998,15(5).—447～453(A)用多光子电离-飞行时间质谱法在激光波长为532nm 处获得了丙醛和丙酮分子的 MPIF-TOF 质谱,实验测得了各碎片离子占总离子信号的百分比对激光强度的依赖关系,并用这些实验结果对丙酮和丙醛分子的 MPIF 机理作了分析。还对 H~+、C~+和 CH~+等小质量碎片离子的可能形成过程作了讨论。参15     

355nm激光作用下Si(CH3)4分子的MPI质谱研究

在 35 5nm的激光作用下 ,利用扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相Si(CH3 ) 4分子多光子电离 (MPI)质谱分布。测量了Si(CH3 ) + 4,Si(CH3 ) + 3 ,Si(CH3 ) + 2 ,Si(CH3 ) + 及Si+ 离子的激光光强指数 ,检测了这 5种碎片离子的信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系。据此 ,讨论了该分子MPI过程可能经历的通道 ,得到了Si+ 主要来自于母体分子的多光子解离—硅原子的电离 ,Si(CH3 ) + n(n =1,2 ,3)主要来自于中性碎片Si(CH3 ) n(n =1,2 ,3)的自电离 ,Si(CH3 ) + 4来自于母体分子的 (3+1)电离的结论     

355nm激光作用下二甲胺的多光子电离质谱研究

利用多光子电离技术结合飞行时间质谱仪,在355nm激光作用下对二甲胺分子进行了研究,我们认为其主要经历了2＋1的REMPI过程,二甲胺母体离子α断裂产生CH3N＋H=CH2,CH3N＋H=CH2进一步解离产生C2H4N＋,用从头算方法确定了m/e=42的离子是（CH3N≡CH）＋,对m/e=28的离子的可能来源进行了推测：一是（CH3N≡CH）＋离子进一步发生重排,失去CH2游离基;二是CH2=N＋H21,2脱氢。     

醇/水混合团簇的多光子电离质谱及从头算研究

利用多光子电离技术和飞行时间质谱仪实验研究了醇/水混合团簇的光电离质谱。在脉冲激光波长为355nm条件下,观测到以质子化(ROH)n(H2O)H+ 混合团簇离子和(ROH)nH+团簇离子为主的电离产物。醇水混合团簇电离后团簇离子发生内部质子化转移反应是形成质子化团簇离子的主要原因。应用量化计算,构造了质量数较小的几个团簇离子的可能的空间几何构型,发现二元团簇离子(CH3OH)n(H2O)H+是以(CH3OH)H+作为内核离子,再通过氢键与其它分子组合而构成团簇离子。     

XPS Investigation on Surface and Interface Electronic States of Alq3／ITO

The surface and interface electronic states of tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(Alq3)/indium-tin oxid(ITO)were measured and analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).The results indicated that, in Alq3 molecule,the binding energy(Eb)of Al atoms is 70.7eV and 75.1eV,corresponding to Al(O)and Al(Ⅲ）,respectively;The binding energy of C is 285.8eV,286.3eV,and 286.8eV,corresponding to C of C-C group,C-O,and C-N bond,respectively,N is the main peak locating at 401.0eV, corresponding to Natom of C-N=C.Oatoms mainly bond o H atom,with the binding energy of 533.2 eV.As the sputtering time of Ar^ ion bearn increases,Al2p,C1s,N1s,O1s,Ind3d5/2 and Sn3d5/2 peaks slightly shift towards lower binding energy,and Al2p,C1s and N1s peaks get weaker,which contributed to diffusing the oxygen,indium and tin in ITO into Alq3 layr.     

Modeling Molecular-Ion Implantation into Solids

A theoretical analysis of molecular-ion implantation into solids is presented. Major processes, such as molecule dissociation and ion channeling, are covered.