WDM系统中的光纤非线性效应及其对系统的影响

光纤非线性效应是限制波分复用（WDM）通信系统发展的主要因素，文章系统地讨论了WDM光纤系统中各种光纤非线性效应，着重于多信道非线性效应及其对系统的影响，提出了各种有效地抑制非线性效应的措施，供系统设计者参考。     

微波非线性光学效应及应用

介绍了微波非线性光学效应产生的可能性及产生非线性效应的数理模型。对微波非线性光学效应在理论研究和工程方面应用的可能性进行了讨论。     

矢量光场激发三阶非线性光学效应的研究进展（特邀）

具有偏振结构分布的强激光与非线性光学材料相互作用导致了多种新颖的非线性光学效应,反映了材料的非线性光学特性,调制了光场的传播行为。笔者概述了矢量光场激发三阶非线性光学效应的研究进展。首先简要介绍了任意偏振光激发三阶非线性光学效应的理论,如非线性薛定谔方程、光束传播方程、各向同性和各向异性三阶非线性光学系数。也简要介绍了表征三阶非线性光学系数的 Z-扫描技术。在弱聚焦条件下,给出了诸如径向偏振光、杂化偏振光和柠檬型庞加莱光束这三种类型矢量光场的焦场表达式。其次,重点回顾了多种矢量光场激发的各向同性/各向异性三阶非线性光学效应,包括径向偏振光激发的各向异性非线性光学效应、杂化偏振光激发的各向同性和各向异性非线性光学效应、柠檬型庞加莱光束激发的各向同性/各向异性非线性光学效应。最后,简要讨论了矢量光场在非线性偏振旋转、光束整形、可控光场塌缩与成丝和光限幅方面的应用。     

喇曼放大对色散控制孤子系统非线性效应的影响

研究了色散控制高速光孤子通信系统中的非线性效应，对比分析了分别采用集总放大和分布放大两种放大模式对系统非线性效应的影响，并通过数值模拟分析了在这两种情况下非线性效应导致的定时抖动和振幅抖动随传输距离而变化的规律，证明了分布放大对抑制系统非线性效应的优越性能。     

强度防护型激光防护机制

论述了非线性吸收、非线性折射、非线性散射等基于非线性效应以及基于相变效应的激光防护机制,分析了每种防护机制的优势和局限,指出了强度防护型激光防护技术的发展趋势。     

红外场景中成像系统非线性效应的动态模拟

红外成像系统非线性效应对红外图像的成像质量影响较大,也是制约目标识别精度的关键,如何实时高效地模拟成像系统非线性效应已成为当前三维红外视景仿真研究的热点和难点。提出了一种红外仿真场景成像系统非线性效应的动态添加方法,分析了渐晕、扭曲、噪声、离焦等典型非线性效应的计算过程,利用渲染到纹理(RTT)技术为仿真视口添加“镜头”,在Unity平台的基础上利用顶点和片段着色器将非线性效应在“镜头”上模拟,并与零视距红外仿真场景进行逐像素叠加运算,从而实现非线性效应的动态仿真。实验结果表明,该方法具有较高的真实感和可靠性,仿真开销较小,满足成像系统非线性效应的仿真需求。     

光纤非线性效应对光OFDM信号的影响研究

正交频分复用信号在光纤中传输会受光纤非线性效应影响。利用分步傅里叶方法求解OFDM信号传输的非线性薛定谔方程,分析光纤非线性效应对光纤中OFDM信号的影响,获得了非线性效应影响下子载波数、QAM调制与系统平均误码率的关系。     

光纤中5阶非线性效应对光脉冲传输的影响

为了研究5阶非线性效应对光脉冲在光纤中传输的影响,采用分步傅里叶算法数值求解了含5阶非线性项的扩展非线性薛定谔方程,并进行了理论分析和数值模拟。计算结果显示,负的5阶非线性效应使光脉冲峰值减小,脉冲展宽,正的5阶非线性效应使峰值增大,脉冲被压缩。较小的5阶非线性效应产生较小的调制不稳定性,因而光脉冲能保持基本的形状,忽略光纤的损耗时,光脉冲保持绝热传输。对正的5阶非线性效应,适当小的损耗可以减缓调制是不稳定性。结果表明,在5阶非线性系数固定的情况下,初始入射脉冲的峰值会显著地增加5阶非线性项的贡献。     

晶体管非线性失真分析

本文从器件物理和结构上提出双极型晶体管非线性失真模型。模型包含8个参量:(1)有效基区展宽效应;(2)发射极电流集边效应;(3)基区电导调制效应;(4)发射结电阻的非线性效应;(5)发射结电容的非线性效应;(6)集电结电容的非线性效应;(7)寄生电容的非线性效应;(8)电流放大系数和雪崩倍增效应与电压的非线性关系。利用Taylor级数展开分析各模型参数,并编制了计算程序,定量计算了互调失真与工作频率、发射极条宽、基区宽度、发射极线电流密度,基区掺杂浓度等重要参数的关系。计算结果与实验结果基本吻合。     

高阶克尔效应非线性折射率的变化对激光脉冲在氮气中传输的影响

强飞秒激光脉冲在氮气传输时会受到线性和非线性效应的影响,其中非线性高阶克尔效应颇为重要。基于一个二维轴对称激光传输模型对强飞秒激光在氮气中的传输进行数值模拟,研究了高阶克尔效应各项非线性折射率的变化对激光传输的影响。     

改善ZnO压敏元件温度特性的研究

从实验上探索了降低ＺｎＯ压敏陶瓷元件泄漏电流温度系数的途径和方法，研制了特殊添加物，在通常的ＺｎＯ压敏瓷料中添加适量特殊添加物，可以改变ＺｎＯ压敏陶瓷泄漏电流的温度特性，达到降低泄漏电流温度系数的目的。泄漏电流随温度变化在３１～３４°Ｃ出现极大值可能是杂质离子对电子的散射作用所致。     

基于广义回归神经网络的阳极效应自动预测

摘要：针对当前阳极效应预测方法存在精度低、过拟合等缺陷,根据阳极效应的非线性、时变性等变化特点,设计了一种基于广义回归神经网络的阳极效应自动预测模型。首先采集阳极效应预测的样本,并对样本数据预处理,建立阳极效应预测的学习样本,然后将阳极效应的学习样本输入到广义回归神经网络进行学习,构建阳极效应自动预测模型,最后进行了具体的阳极效应预测仿真实验,并与其它模型进行了阳极效应预测的对比测试。结果表明,广义回归神经网络可以有效的拟合阳极效应变化特点,提高了阳极效应预测精度,而且预测误差明显要小于当前其它阳极效应预测模型,具有较高的实际应用价值。     

压电陶瓷在外力作用下的多次压电效应研究

分析了多次压电效应的产生过程,利用有限元法得出了压电陶瓷在外力作用下的多次压电效应仿真分析结果.采用PZT-5叠堆进行了正压电效应开始的多次压电效应的实验研究,通过改变PZT-5叠堆的边界条件进行信号的解耦和分离,得到了实验结果.实验数据表明,二次逆和三次正压电效应均与所施加的外力具有线性关系.     

N-LDMOS热载流子注入效应的分析和优化

研究了一种N-LDMOS器件的热载流子注入效应,分析了热载流子效应产生的机理、对器件性能以及可靠性的影响,提出了改进方法.为了降低此器件的热载流子注入效应,我们利用华润上华公司提供的ISE软件对N-LDMOS高压工艺进行模拟,根据模拟结果调整了器件结构,通过增大器件的场板长度、漂移区长度以及增加N阱与有源区的交叠长度等措施,使得相同偏置条件下,表征热载流子注入强度的物理量——器件衬底电流降为改进前的1/10,显著改善了该器件的热载流子注入效应.     

The negative differential resistance characteristics of an RC-IGBT and its equivalent circuit model

A simple equivalent circuit model is proposed according to the device structure of reverse conducting insulated gate bipolar transistors （RC-IGBT）. Mathematical derivation and circuit simulations indicate that this model can explain the snap-back effect （including primary snap-back effect, secondary snap-back effect, and reverse snap-back effect） and hysteresis effect perfectly.     

红外成像系统仿真

基于红外设备外场试验可以获得很多系统参量,提出红外成像系统效应仿真应基于设备外场试验参量进行.分析了红外成像系统的像差效应、离焦效应、空间积分效应和噪声分布,分别就红外成像系统的光学系统效应和探测器效应进行了仿真.结合红外系统试验参量给出了红外成像系统效应仿真结果.     

The role of self in third-person effects about body image

This study examines the perceived effect of idealized media images on self and classmates for three levels of outcome undesirability: perception of ideal body weight, effect on self-esteem, and likelihood of developing an eating disorder. A significant third-person effect was observed, which widened as the outcome increased in social undesirability. Those with high self-esteem exhibited stronger third-person effect than those with low self-esteem. The overall pattern of findings suggests that two related but distinct processes might be involved in the third person effect: (a) a general process associated with self-esteem, which explains perceived effect of media both on self and others; and (b) a specific process tied to situational personal vulnerability, which explains perceived effect on self, but does not explain perceived effect on others.     

浴帘效应的模型发展及应用扩展（特邀）

散斑（自）相关和波前调制等成像技术是克服非均匀介质散射影响的高效并重要的光学成像手段。而该类技术依赖于光学记忆效应,因此视场有限且动态介质会退化其成像质量。浴帘效应是一种常见且不受散射介质动态变化和视场限制的效应。近年来,随着多种计算成像技术的发展,浴帘效应也被融合到其他克服散射的成像恢复技术中并应用于不同散射成像场合,已经展现出相较传统散射成像技术的独特优势。文中概括浴帘效应的物理模型演变,从调制传递函数出发,综述光学厚度、孔径大小等因素对浴帘效应的影响,介绍浴帘效应和傅里叶域浴帘效应在散射成像领域的应用。讨论傅里叶域浴帘效应与其他基于相位迭代算法成像技术的区别与联系,展望其与其他计算成像技术结合的可能。     

霍尔效应和霍尔传感器的教学方法研究

磁电效应(电磁感应、霍尔效应、磁致电阻效应)是磁场与物质之间的重要的物理效应。只有深入理解电磁学原理,才能进一步学好霍尔传感器。本文针对现有教材状况,强调从理解电磁学中带电粒子在磁场、电场中的运动规律开始,进而深入学习霍尔效应和霍尔传感器。本文还介绍了用形象生动的教学方法,使学生扎实牢固地掌握该知识。     

The Safe Operating Area of GaAs-Based Heterojunction Bipolar Transistors

The safe operating area (SOA) of GaAs-based heterojunction bipolar transistors has been studied considering both the self-heating effect and the breakdown effect. The Kirk effect induced breakdown (KIB) was considered to account for the decrease of the breakdown voltage at high currents. With reasonable emitter ballastors, the KIB effect was shown to be the major cause for device failure at high currents, while the thermal effect controls the low current failure. The effect of emitter resistance and base resistance on device stability was also studied. While the emitter resistance always improves the device stability by expanding the SOAs, the base resistance degrades SOAs when the KIB dominates the failure mechanism. The effect of the base resistance on SOAs was explained by its control on the flow of the avalanche current. Since the KIB effect depends on the collector structure, it was shown that a nonuniformly doped collector can effectively improve the SOAs