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通信领域中的MEMS器件及发展动态 总被引:2,自引:0,他引:2
微电子机械系统(MEMS)技术在通信领域中有着广泛的应用前景,本文介绍了在无线通信和光通信中的MEMS器件如MEMS电感、电容、开关、滤波器、光检测器等MEMS器件的原理、结构和发展概况,指出了MEMS器件发展所面临的问题和方向。 相似文献
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无线通信领域MEMS器件的研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
无线通信技术的发展对系统小型化提出了要求,用IC技术制造的电路无源器件的性能无法满足要求,利用MEMS技术不仅能将器件小型化,与,电路集成实现单片化,并且器件性能也能达到要求。近年来,用MEMS技术制作电容、电感、开关以及谐振器等无源器件成为MEMS的又一个新的研究领域。文章简单介绍了无线通信领域MEMS器件的研究进展。 相似文献
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基于MEMS平面螺旋电感和MEMS可调平行板电容设计并制作了一种宽可调范围的集成可调带通滤波器。理论分析并计算了可调滤波器电感和可调电容的取值范围,利用HFSS设计得到各元件结构参数,并使用AnsoftDesigner分析软件对可调滤波器电路进行了模拟仿真。设计得到的可调滤波器中心频率调节范围为400~700MHz,可调率达75%,实现了宽范围可调,3dB相对带宽范围为5%~10%,插入损耗小于5dB,芯片尺寸为20mm×6mm×0.4mm。给出了一套基于MEMS平面工艺的MEMS集成可调滤波器的制作流程,实现了MEMS集成可调滤波器的工艺制作及测试。测试结果表明,获得的可调滤波器实现了通带频率宽范围可调。 相似文献
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新型悬空结构射频微电感的制作与测试 总被引:1,自引:0,他引:1
利用MEMS(Micro Electro-Mechanical System:微机电系统)工艺中的牺牲层技术制作了一种新型悬空结构微电感,在此悬空结构中,微电感的线圈制作在与衬底平行的平面上,线圈与衬底之间有立柱支撑;此新型微电感的制作工艺流程简单,与集成电路工艺相兼容,且其高频性能较好。并对此结构微电感的性能进行了测试,测试频率范围在0.05~10 GHz之间,结果表明:当悬空结构微电感的悬空高度为20 靘,工作频率在3~5 GHz范围内时,其电感量达到4 nH,其Q值最大可达到22。 相似文献
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采用微机电系统(MEMS)技术制作了磁芯螺线管微电感,该技术包括UV-LIGA、干法刻蚀技术、抛光和电镀技术等。研制的微电感大小为1500μm×900μm×100μm,线圈匝数为41匝,宽度为20μm,线圈之间的间隙为20μm,高深宽比为5∶1。测试结果表明:在1~10MHz频率下,其电感量为0.408~0.326μH,Q值为1.6~4.2。 相似文献
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利用HFSS仿真软件对一种基于电感耦合的新型磁芯螺线管微电感进行设计,并优化得出其结构参数,该电感尺寸为7 mm×6.6 mm×0.44 mm。利用Agilent E4294A射频阻抗/材料分析仪对微机电系统(MEMS)工艺实现的该新型螺线管微电感进行了性能测试分析。测试结果表明:该电感在1 MHz~20 MHz频率范围内保持较高的电感值和品质因数Q,测试结果与仿真结果较好的吻合,电感值是相同几何结构参数下空心电感的16倍以上,在10 MHz频率时,微电感的电感值为1.17μH,Q值达到50。 相似文献
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硅MEMS器件加工技术及展望 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了几种典型的硅基MEMS加工技术以及应用,并简单展望了MEMS加工技术发展趋势。硅基MEMS加工技术主要包括体硅MEMS加工技术和表面MEMS加工技术。体硅MEMS加工技术的主要特点是对硅衬底材料的深刻蚀,可得到较大纵向尺寸可动微结构,体硅工艺包括湿法SOG(玻璃上硅)工艺、干法SOG工艺、正面体硅工艺、SOI(绝缘体上硅)工艺。表面MEMS加工技术主要通过在硅片上生长氧化硅、氮化硅、多晶硅等多层薄膜来完成MEMS器件的制作,利用表面工艺得到的可动微结构的纵向尺寸较小,但与IC工艺的兼容性更好,易与电路实现单片集成。阐述了这些MEMS加工技术的工艺原理、优缺点、加工精度、应用等。提出了MEMS加工技术的发展趋势,包括MEMS器件圆片级封装(WLP)技术、MEMS工艺标准化、MEMS与CMOS单片平面集成、MEMS器件与其他芯片的3D封装集成技术等。 相似文献
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Microelectromechanical systems (MEMS) technology has been used for realizing G-band (140-220 GHz) distributed MEMS transmission line components. Novel dielectric-less MEMS components, as well as switched MEMS capacitors, have been fabricated with CMOS compatible surface micromachining, and experimental results are presented up to 220 GHz. 相似文献
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综述了微机电系统(MEMS)加速度计辐照效应与辐照机理国内外现状,阐释了其加固技术研究的必要性。介绍了不同类型MEMS加速度计的辐射敏感性及材料的辐射退化机理、不同材料的辐射损伤表现及硅材料的辐射效应;重点分析了MEMS加速度计国内外辐照试验研究,最后给出了MEMS加速度计辐射加固研究方向的建议。 相似文献
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X. Lafontan F. Pressecq F. Beaudoin S. Rigo M. Dardalhon J. -L. Roux P. Schmitt J. Kuchenbecker B. Baradat D. Lellouchi C. Le-Touze J. -M. Nicot 《Microelectronics Reliability》2003,43(7):1061-1083
An overview of the MEMS activity at the French Space Agency (CNES) is presented. At present, MEMS are in the introduction phase and failure analysis and quality assurance (FA/QA) activities are underway for a large variety of MEMS technologies. This paper presents the CNES roadmap and methodology developed to assess the reliability of MEMS for space applications. The presented approach focuses, in particular, on the use of advanced analytical models, test vehicles, process control monitoring test structures and simulation tools to control and validate the quality of a technology. It also discusses the FA know-how and associated techniques acquired by CNES to observe, characterize, prepare and test in controlled environment MEMS processes. Finally, case studies illustrating the CNES MEMS FA/QA strategy are presented. 相似文献
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