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一种基于NAND Flash固态硬盘的坏块管理方法 总被引:1,自引:0,他引:1
基于NAND Flash的固态硬盘存在坏块,坏块无法用于存储数据,需要对其进行管理。每个块用1位信息与之对应建立坏块表,根据坏块表建立逻辑块转变为物理块表,一个逻辑块对应多个不同的物理块。逻辑块转变为物理块表可排除上层对于坏块的操作,保证了数据存储的安全性和可靠性。 相似文献
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文章针对NAND Flash在大容量数据存储时对可靠性的要求,提出一种基于逻辑一物理块地址映射表的大容量NAND Flash动态坏块管理算法。该方法可彻底屏蔽对坏块的操作,实现对NAND Flash的有效存储,具有较高的实际应用价值。 相似文献
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在当今数字时代,NAND Flash由于其非易失性和读写速度快等原因而在大容量存储中的应用越来越广。但由于Flash中不可避免的会出现坏块,对大容量存储的速度与精度都造成了影响,针对大容量存储中NAND Flash存在坏块对其造成的影响,我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行的分类,并提出了相应的管理方案。实践证明,经过对坏块的管理,Flash存储数据的安全性和存储速度都有了很大的提升,提高了系统的整体性能。 相似文献
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开放式大容量NAND Flash数据存储系统设计与实现 总被引:2,自引:0,他引:2
完成了一种基于NAND Flash存储介质的开放武大容量数据存储系统设计,包括硬件系统以及软件系统的设计,并在软件设计中重点提出了应用于NAND闪存的数据管理算法,通过二级地址映射,按块中的脏页数回收脏块和按时间标记转移静态信息实现坏块管理,均匀损耗.该设计能为各种存储器件提供底层的NAND闪存存储系统,使其能方便快速地存储数据而不需要考虑NAND闪存的物理特性. 相似文献
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提出了NAND flash型高速大容量图像记录系统的高效坏块管理方案。针对坏块表的快速检索和可靠存储问题,提出了基于位索引的坏块信息快速检索结构;为解决坏块快速匹配问题,提出了基于滑动窗口的无效块预匹配机制;对于突发坏块造成写入速度下降问题,提出了滞后回写机制。系统架构全部用硬件方式在FPGA中实现,实验结果表明:检索8个物理块坏块信息仅耗时2个时钟周期;预匹配和正确物理地址生成耗时都为0个时钟周期;突发坏块发生时系统写入速度不受影响,滞后写回在最差情况下耗时也仅22.280 36 ms;系统持续写入速度最大为848.65 MB/s,读取速度为1 265.5 MB/s,擦除速度为9 120.245 MB/s,系统存储容量为160 GB,坏块管理保留容量为8 GB,纠错能力为1 bit/512 B。 相似文献
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介绍了如何从未知参数NAND Flash芯片中,获得相应参数的一种通用方法,从而打破了这个界限,使得没有获得NAND Flash的datasheet的情况下仍然可以使用. 相似文献
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NAND Flash具有高存储密度和高存储速率的特点,在嵌入式系统领域得到了广泛应用.但其固有的擦除机制和存在有坏块这一致命弱点,成为其在应用中的主要障碍.本文提出了一种应用于FAT文件系统上的坏块处理方法,使用Flash上其他的空闲块或者空闲空间来代替坏块,并将坏块在FAT表中作出标记以后不作使用.这种方法彻底屏蔽了坏块对上层应用的影响,并对存储介质没有造成任何不良影响,从而很好地克服了上述障碍.工程项目中的应用证明了其较高的可靠性. 相似文献
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根据NAND Flash硬件设备的工作原理和过程,利用线性时态逻辑建模语言描述该硬件设备读写状态的性质,分析了NAND Flash软件仿真模块的设计与实现,并通过移植u-boot及ARM Linux内核到仿真器中,验证上述性质是否满足,以保证软件仿真模块设计的正确性. 相似文献
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本文提出了在一款片上系统(SOC)芯片设计中的多通道NAND闪存控制器实现方案。在对NAND闪存控制器的结构和实现方法的研究上,闪存控制器利用带两个16K字节缓冲器的高效率缓冲管理控制器来管理4个通道,每个通道可以连接4片闪存芯片。控制器内嵌16比特BCH纠错模块,支持AMBAAHB总线与MLC闪存。文中还介绍了行地址计算与快闪存储器存储单元的初始化。结果分析里给出了控制器的仿真波形、功耗分析和综合结果。在一个存储组与一个通道的配置条件下,控制器的实现只需要71K逻辑门。 相似文献