同步接口电路时序检测实用方法

根据我国航天测控通信网中设备现状,针对同步数据传输中存在的因接口设计不规范、不匹配而引发的异常现象,从实际需要出发,通过国内外多个相关标准的综合分析研究,确定了与标准相适应的时序关系判断依据,结合以往工程经验,提出了简便实用的检测方法和时序关系异常判定原则,制定了切实可行的解决措施。应用方法解决了多个数据传输异常问题,并在后续设备联试和接口排查中得到推广应用和检验,取得良好效果。     

减小CMOS电路同步开关噪声的设计方法探讨

随着集成电路的快速发展，同步开关噪声对系统电学性能的影响越来越大。本文介绍了一种减少同步开关噪声的设计方法，即基于对同步开关噪声简化模型的分析，采取先去除直通电流再降低输出级的电压变化率方法减小同步开关噪声，并通过时序控制逻辑电路和可控电压变化率电路来实现。     

时序逻辑电路设计的经典案例教学探究

围绕时序逻辑电路设计中串行数据检测器这一教学案例进行探讨,分析了传统和两种改进型电路的设计缺陷及其逻辑抽象本质,通过将传统设计方法和实用的电路设计相结合,能够把时序逻辑电路设计中涉及的逻辑抽象、状态等价、状态化简等概念实例化,教学内容的理论体系更完整、教学过程的逻辑性更强,有助于激发同学们夯实理论知识体系、解决实际问题的创新性思维能力。     

基于FPGA时序同步检测的电视信号自动检测算法

采用FPGA对电视同步信号时序进行监测,采用数字图像分析技术对电视图像内容进行监测,可以发现同步时序异常变化并进行自动信号切换;同时应用FPGA设计实现对电视同步信号的实时检测,并给出检测程序;使用图像分割方法建立电视信号初始模板,研究了建立精确图像模板的动态更新方法。     

现场可编程门阵列中数据接口的同步设计

在现场可编程门阵列(FPGA)的设计中，完全同步的设计应该自始至终由同一个时钟的同一个时钟沿来驱动所有的触发器。同步设计应当遵循这两个原则，以保证系统的完全同步，避免由异步产生的毛刺和时钟延迟等与时序相关的问题。列举了主机与硬盘之间的数据接口的设计，探讨同步设计的原则与方法。     

串行数据检测器的设计

分析了时序逻辑电路设计中的状态化简问题,指出了状态化简不会改变电路的逻辑功能,不可能使电路产生错误输出。讨论了串行数据检测器的米里型电路设计和摩尔型电路设计,提出了一种在输入数据稳定的区段进行检测、确定电路状态,在输入数据改换为下一位时输出状态信息,确保系统正常工作的米里型电路设计方法,这种方法对米里型电路的设计有通用性。     

电流型变参数同步混沌电路

本文运用微分动力学的基本理论,得到了基于蔡氏电路的同步混沌电路的数学模型,计算了此同步混沌电路的平均收敛速率．之后,用电流型器件ＯＴＡ（跨导运算放大器）综合了此同步混沌电路,并进一步从计算机仿真和实验两个方面分析了该同步混沌电路的收敛特性和参数灵敏度特性．     

同步整流降压型DC-DC过零检测电路的设计

同步整流降压型DC-DC工作在不连续电感电流模式(DCM)下会出现的电感电流倒灌现象,这种情况会使得整个系统处于一种超过放状态,从而使系统的效率大幅度地下降。针对这一问题,设计实现了一款电感电流过零检测电路。该电路利用失调电阻抵消同步管关断延迟,达到了快速关断同步管的目的,有效地降低了电流倒灌。且该电路正常工作时的静态电流为5μA,其面积仅有0.005 mm2。采用此电路的一款同步BUCK型DC-DC已在韩国Hynix公司的0.5μm CMOS工艺线投片,测试结果证明过零检测电路效果良好。     

时序数据错误检测与修复研究综述

随着数据应用对数据质量要求的提高,时序数据清洗问题得到研究领域和应用领域的更多关注.在数据清洗过程中,错误数据检测和修复是两个关键步骤.近年来,研究人员在这两方面进行了诸多研究与探索.本文从时序数据质量问题、错误数据检测,以及错误数据修复步骤对当前研究技术等进展情况进行介绍,分析了当前时序数据清洗所存在的难点与不足.     

基于TPS40055控制的新型同步BUCK电路设计

针对传统电源驱动电路启动慢,效率低,工作电流小,而目前光纤激光电源技术进入高集成化、高响应发展趋势的特点,提出了一种基于TPS40055控制的新型同步BUCK电路设计,可实现PWM及电流可调3路直流电源输出,各路电压分别为3.3V、5V、10 V,电流为0～11 A可调,能驱动不同型号大功率光纤激光器工作.从电路总体方案、工作原理、参数设计及优化等方面介绍此新型电源电路设计.结果证明,该设计能提供高效、可靠、稳定的激光器直流电源.     

基于光电二极管检测电路的噪声分析与电路设计

光电二极管可以将光信号转化为电信号,它主要是通过半导体PN结的光电效应来实现这一转化步骤的.通过光电二极管对电路的噪声进行检测具有重要意义,就主要分析光电二极管对电路的噪声检测的价值,同时简单的分析相关的电路设计问题,希望所得结果能够为相关领域提供有价值的参考.     

TRAPATT-diode model for circuit design

A simple model of a diode operating in the TRAPATT mode is proposed which should be useful in the design of TRAPATT circuits. The model consists of only two elements; a nonlinear capacitance shunted by a voltage- and current-controlled switch. Initial simulations using this model have yielded good results without the use of excessive computer time.     

噪声检测与报警电路设计分析

文章介绍了一种利用运放LM358作为放大器并通过单片机检测、设置噪声大小产生报警的电路。通过驻极体采集声音信号,经运放两级放大后送入电压比较器,当外部噪声大于设定的数值时,运放输出高电平对电容充电,从而使三极管导通一段时间后,继电器吸合,接通报警电路进行报警。报警灵敏度可通过调节电位器的大小实现。     

刍议数字电路在线故障检测技术

随着科技不断发展,社会经济不断进步,数字电路在各行各业有了广泛的应用。但由于设计方式,制造工艺、工作环境等原因,数字电路在使用过程中常常发生不同原因的故障,影响电路的正常运行。文章就数字电路特点出发,对在线故障检测技术对数字电路故障检测进行探讨分析。     

混沌电路系统的模型仿真与电路实现

通过对混沌电路系统的分析方法的介绍,指出模型仿真和电路实现的重要性;以二个典型混沌系统为例,阐述了基于Matlab/Simulink环境下的仿真方法,同时介绍基于Multisim 8平台的电路仿真和实现过程;最后指出混沌电路的发展前景和研究方向.     

微弱光信号的光电探测放大电路的设计

分析了微弱光信号放大电路的基本工作原理,针对光电探测中对微弱信号放大带来的信噪比和稳定性问题,设计了一种低噪声光电信号放大电路,并给出了电路参数选择方法。     

An MOS transistor model for analog circuit design

This paper presents a physically based model for the metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor suitable for analysis and design of analog integrated circuits. Static and dynamic characteristics of the MOS field-effect transistor are accurately described by single-piece functions of two saturation currents in all regions of operation. Simple expressions for the transconductance-to-current ratio, the drain-to-source saturation voltage, and the cutoff frequency in terms of the inversion level are given. The design of a common-source amplifier illustrates the application of the proposed model     

Noise model of InP-InGaAs SHBTs for RF circuit design

A scalable small-signal and noise model of InP-InGaAs single heterojunction bipolar transistors was developed. Effects which become important at higher frequencies such as the correlation between base and collector current noise and frequency-dependent base current noise are taken into account. We will show that these effects are significant at frequencies higher than 40 GHz and can no longer be neglected. Our model also includes the effects of the different emission coefficients of the base and collector currents. Using this improved model, a direct-coupled, lumped broad-band amplifier was designed. We completely characterized the fabricated circuit with respect to small-signal, noise, and linearity behavior. A -3-dB bandwidth of 50 GHz with a dc gain of 9.8 dB and a gain-peaking of only 1.2 dB were achieved. All these values agree very well with the simulation results. The noise figure is 7.5 dB over a large frequency range. In the frequency range from 2 to 50 GHz, the third-order intercept point IP₃ and 1-dB compression point at the output have values from 17 to 10 dBm and 3 to 0 dBm, respectively     

A compact model of MOSFET mismatch for circuit design

This paper presents a compact model for MOS transistor mismatch. The mismatch model uses the carrier number fluctuation theory to account for the effects of local doping fluctuations along with an accurate and compact dc MOSFET model. The resulting matching model is valid for any operation condition, from weak to strong inversion, from the linear to the saturation region, and allows the assessment of mismatch from process and geometric parameters. Experimental results from a set of transistors integrated on a 0.35 /spl mu/m technology confirm the accuracy of our mismatch model under various bias conditions.