Nd~（3＋）：YAG脉冲激光引爆斯蒂酚酸铅的化学反应过程

用脉冲激光光声技术研究在不同激光能量水平下斯蒂酚酸铅被激光引爆的化学反应过程。激光束能量增大能明显地提高斯蒂醋酸铅的分解反应速率，而且在较高的光能量下，分解反应出现明显的阶段性。     

激光对固体推进剂点火形成的二次燃烧现象

利用反应性光声技术检测了Ｎｄ３＋：ＹＡＧ脉冲激光对固体推进剂点火的全过程。检测结果表明除激光作用时形成的一次燃烧外还存在非光支持的二次燃烧。     

钢激光表面淬火后的固相焊接

对钢试样待连接端面进行激光表面淬火预处理后认真清洗,再将两个试样的端面对接置于压接试验装置内并施加一定的预压应力,升温至一定温度,短时保温后以一定的应变速率恒温压接2～5 min,即可实现40Cr-40Cr、40Cr-T10的固相连接,接头拉伸强度可达母材40Cr钢的强度. 试验表明,影响固相焊接效果的主要因素是:钢的激光淬硬层层深及激光束扫描方式,压接面表面洁净度和粗糙度,压接温度,压接应变速率,以及压接时间、预压应力等.在本文试验条件下,若以接头强度与40Cr母材强度之比值在0.9以上为焊接良好的标准,则40Cr-T10固相焊接的主要相关参数为:淬硬层深≥0.35 mm且层深分布均匀;表面粗糙度Ra≤1.6 μm;压接温度720～780℃;应变速率10-4～10-3 s-1;预压应力40～60 MPa. 分析表明,钢在激光表面淬火后获得的超细晶粒非平衡组织,在一定温度、压力、变形速率下极易发生塑性或超塑性流变、相变、再结晶等物理化学变化,并伴随有明显的原子扩散,这是在短时间内实现界面两侧材料固相连接的主要原因.(OE25)     

光声检测叠氮化铅分解的化学反应过程

用YAG脉冲激光引发叠氮化铅的分解反应,并且测试分解过程的声效应,实验结果表明叠氮化铅的分解反应由三个阶段完成。     

Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响

在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜，经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应，通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响. 实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.     

Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。     

快速退火Co/Si固相反应及CoSi_2薄膜特性研究

本文研究了利用离子束溅射、快速退火等技术,通过 Co/Si 固相反应,形成高电导均匀CoSi_2薄膜.对Co/Si 固相反应过程,氧在其中的行为等进行了分析.制备的COSi_2薄膜电阻率达15μΩcm.在快速退火条件下,Co/(111)Si固相反应形成的薄膜具有择优晶向,表明存在固相外延机制.在 4—300 K范围内,对 CoSi_2薄膜的电学输运性质进行了系统研究,CoSi_2具有正值霍尔系数,表明其具有空穴导电机制.低温载流子霍尔迁移率达到 56 cm~2/V.3。     

固体推进剂燃烧驱动连续波CO_2气动激光工作特性的数值计算

配合所建立的固体推进剂燃烧驱动ＣＯ２气动激光实验系统，对固体推进剂燃气与高压空气的掺混特性和该种气动激光的工作特性进行了数值模拟计算，有助于获得较为理想的激光工作介质和较高的激光功率输出。     

室温固相化学法制备掺杂纳米氧化锌

为制备分散性良好的掺杂氧化锌纳米粉体,以硝酸锌、碳酸氢铵及掺杂离子的盐为原料,通过室温固相化学反应先制备出掺杂前驱物——碳酸盐。根据DSC-TGA分析结果,将其在275℃分解2h,得到掺杂氧化锌粉体。采用激光粒度分析、BET、XRD、SEM对产物的粒度、物相组成、颗粒形貌等进行了表征。结果表明:所制备的掺杂氧化锌粉体呈粒状,粒度分布均匀,晶粒度为52.35nm。     

Rt／Si 快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反庆形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５－－２０ｍｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应ＰｔＳｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０－－６００快速退火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基热垒接触。     

Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi2

采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征.结果表明,Co/C/Si多层结构经快速热退火,可以在Si(100)衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的CoSi2薄膜.C层的加入阻碍了Co和Si的互扩散和互反应,从而促进了CoSi2在硅衬底上的外延.     

Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响

在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.     

Ti中间层对超薄Ni膜硅化反应特性的影响

在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层对Ni硅化反应的影响.实验结果证明Ti中间层抑制了集成电路生产最需要的NiSi相的形成.     

用实时全息法配合摄像机研究固体火箭推进剂的燃烧过程

本文采用实时全息法与摄像机相结合的方法来研究固体火箭推进剂的燃烧过程，记录速度为２５帧／秒，曝光快门速度最高可达１／２０００秒。成功率高，条纹清晰，对固体火箭推进剂燃烧器燃烧过程取得了有用的结果。此方法对研究快速变化过程提供了一种简易有效的手段。     

Co/C/Si(100)结构固相外延生长CoSi_2

采用 Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在 Si(10 0 )上制备外延 Co Si2 薄膜 .用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、晶体结构等进行了表征 .结果表明 ,Co/C/Si多层结构经快速热退火 ,可以在 Si(10 0 )衬底上得到导电性能和高温稳定性良好的 Co Si2 薄膜 .C层的加入阻碍了 Co和 Si的互扩散和互反应 ,从而促进了 Co Si2 在硅衬底上的外延 .     

应用光电子谱研究Si／Co／Si系统的固相反应及CoSi2的电子结构

本文介绍了利用俄歇电子能谱、X射线光电子谱和紫外光电子谱,对Si/Co/Si系统的固相反应形成物的组分、化学相和电子结构进行研究的结果。     

Nd:YAG透明陶瓷的制备与性能研究

以Al2O3、Y2O3和Nd2O3为主要原料,采用固相反应法制备出了Nd:YAG(掺钕钇铝石榴石)透明陶瓷,研究了烧结温度、保温时间、升温速率以及成型方法对陶瓷样品性能的影响。结果表明:当烧结温度为1 730℃左右,保温时间为20 h时,所制陶瓷样品晶粒大小分布均匀,致密度高,气孔率低,平均晶粒大小为15μm左右;降低升温速率可以降低陶瓷的气孔率;采用等静压成型方法制备的样品的透过率高于干压成型方法制备的。     

脉冲Nd:YAG激光诱导化学沉积金属Ag和Au

使用脉冲Nd:YAG激光在单晶Si基底光热分解固相诱导化学沉积金属Ag和Au,其中Ag的最高沉积速度接近 10mm/s.SEM结果显示 Ag和 Au球形颗粒均匀分布在沉积线表面,用AES研究了Ag沉积线表面元素含量随深度分布。用X-Ray能谱分析了不同扫描速度沉积线表面金属元素含量。简单总结了固相诱导化学沉积Ag和Au的基本实验规律。     

含CL-20改性双基推进剂激光点火特性

采用CO2激光点火方法,研究了含六硝基六氮杂异戊兹烷(CL-20)改性双基(CMDB)推进剂在不同功率密度作用下的点火特性,探讨了Al粉含量和燃烧催化剂对该类推进剂激光点火性能的影响。实验结果表明,在激光功率密度25.5~127.0 W/cm2范围内,不含催化剂的CL-20-CMDB推进剂点火延迟时间随功率密度增加而递减,且点火延迟时间变化逐渐减缓,点火均首先在推进剂表面产生;而含有催化剂推进剂试样的点火延迟时间和点火过程则与功率密度密切相关:在高激光功率密度时,含催化剂的推进剂点火没有发生在推进剂表面,而是在试样表面的气相中,且点火延迟时间增加。Al粉含量对其点火延迟的影响在低激光功率密度时较大,随着功率密度增加影响减弱。     

烧结温度对Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷的介电性能的影响

锆钛酸钡陶瓷由于具有优异的电学性能广泛应用于多层陶瓷电容器(MLCC)等电子元器件。在传统的固相反应制备工艺中,固相反应的烧结温度直接影响着陶瓷的晶体结构、微观形貌和介电性能等。本文采用固相反应法,通过控制不同的烧结温度,制备出一系列的Ba(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3陶瓷样品。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阻抗分析仪对其晶体结构、微观形貌、介电性能等物理性能进行表征。结果表明烧结温度在1255～1315℃下,X射线衍射图谱显示锆钛酸钡陶瓷样品均为立方相结构,没有出现杂相。当烧结温度为1305℃时,陶瓷样品的结晶最好,密度也最大,相对介电常数达到最大值12295。