单层陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法研究

为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的升温速率进行烧结,得到的基片平整度高,制得的单层陶瓷电容器电性能好。     

美发明室温单晶金刚石薄膜制造法

据美国《科学》周刊报道,美国北卡罗来纳州立大学和国立橡树岭实验所的研究人员,用一束碳原子流轰击铜基片,使这些碳原子进入基片表层,然后再用激光照射该基片1/10s,使基片表层熔化,冷却后碳原子就在基片表面形成单晶金刚石薄膜,     

半模基片集成波导(HMSIW)三分贝功率分配器

基片集成波导(SIW)具有损耗低、性能好、易于集成等优点,作为一种新型的导波技术已经被广泛地用于微波与毫米波电路.但是对于微波低频段,基片集成波导器件的尺寸偏大.最近,一种新的导波结构--半模基片集成波导(HMSIW)被提出.与基片集成波导相比,半模基片集成波导保留了基片集成波导的优点,同时在尺寸上缩小近一半,损耗也更低.本文提出了两种结合半模基片集成波导与基片集成波导技术的三分贝功率分配器,仿真结果与实验结果一致.     

定向离子清洗对基片表面性质的影响

为提高高功率激光薄膜的抗激光损伤能力，研究了定向离子清洗对玻璃基片表面性质的影响。用End-Hall型离子源在不同清洗参数下对K9玻璃基片进行了清洗，用光学显微镜验证了基片的二次污染和离子的清洗效果，用静滴接触角仪测量了基片在离子清洗前后对水滴的接触角，用原子力显微镜和轮廓仪分别观测了不同参数的离子清洗前后的基片表面形貌和粗糙度，分析了基片清洗后表面性质如清洁、表面能、接触角、表面粗糙度、表面形貌的变化机理。研究表明定向离子清洗可有效去除二次污染、增加基片表面能、控制基片表面粗糙度和表面形貌，是一种有效改善基片表面性质的处理方法。     

电场辅助离子扩散过程中玻璃基片的电导变化

实验研究了玻璃基片在电场辅助离子扩散过程中的电导变化规律。结果发现,由于直流电场在玻璃基片中产生的焦耳热效应,离子扩散过程中玻璃基片的温度会明显升高,玻璃基片的电导也按照相应的规律变化;在通常的离子扩散制备掩埋式光波导的过程中,玻璃基片电导值可以增加到初始值的数倍;这种玻璃基片温度及伴随的电导变化,会给玻璃基离子交换光波导制备工艺带来不可忽略的影响。     

BeO陶瓷基片表面平整化改性工艺研究

采用在BeO陶瓷基片表面被覆玻璃釉的方法实现基片表面的平整化改性,并利用台阶测试仪、扫描电子显微镜(SEM)等手段研究不同烧结制度对被釉基片表面粗糙度的影响。实验结果表明,相较于抛光处理的BeO陶瓷基片的轮廓平均偏差和算数均方根偏差值分别为62.8nm和141.9nm,被釉平整化改性的BeO陶瓷基片的参数值可分别降至18.2nm和24.9nm,可实现高效率、低成本的BeO陶瓷基片平整化改性。     

基片减薄结构的薄膜环行器的仿真设计

利用三维电磁仿真软件HFSS研究了基片减薄结构对微带薄膜环行器性能的影响。提出了一种减薄非磁性介质基片的结构:首先将基片进行减薄处理,再与具有孔洞的硅基片结合,组合成复合基片。研究了复合基片结构对薄膜环行器S参数的影响。研究结果显示这种基片处理过的环行器能显著改善环行器的性能,尤其在器件的工作带宽方面,从原有的435 MHz提高到745 MHz。这为制备出宽带薄膜环行器取代块材环行器,为器件的小型化、轻量化、集成化提供一定的参考。     

DMD-450型镀膜机工件基板温度的升温特征

基片温度对光学薄膜的制备及特性起着重要的作用。为了获得较硬的介质膜层,基片往往要进行加温,常用的氟化镁,基片温度要求加热至300℃,硫化锌最好要加热至150℃。红外方面应用的低折射率膜料氟化钙、氟化钕等,也要求基片加热至300℃。基片温度的高低不但影响膜层坚实的程度,而且对沉积速率影响十分显著。当控制膜厚所用的监控片材料与工件不一致时,为了获得重复的相对膜层厚度,必须考虑基片温度的重复性。测量基片的实际温度很困难,一般都采用     

烧结前厚膜基片洁净工艺研究

用实验方法对烧结前厚膜基片洁净工艺进行了研究,获得了空白陶瓷基片和印有各种湿、干膜浆料的基片的有效清洗方法。     

椭圆仪方程及其应用

本文给出了一个直接测量基片表面膜层厚度和折射率的方程式。由此式,只要适当变更基片和膜层的光学常数,就可测定基片上的吸收膜与非吸收膜的特性。引入“假想基片”概念,可方便地用来测定双层和多层非吸收膜。     

半导体工艺中基片的冷却方法

本文首先叙述冷却基片的各种方法。然后介绍LK—2型离子束蚀刻机所采用的半导体致冷器冷却基片的方法。在典型的工作条件下,对半导体致冷器冷却效果进行了测量,根据基片的温升曲线、表明采用半导体致冷器冷却基片是一个有效方法。     

半导体基片在10.6μm激光局域加热时的温度上升

在激光诱导扩散等激光微细加工技术中，需要用聚焦激光束照射基片表面，以形成局部高温区。为使局部高温区的温度分布满足实验要求，对10．6pm聚焦连续波CO2激光束照射下半导体基片的温度上升进行了数值计算。计算中考虑了基片材料对10．6μm激光的吸收系数随温度的变化。计算得到了温度上升与基片预热温度、入射激光束功率及曝光面积等参数的关系。结果表明，基片初始温度为室温及激光焦斑直径小于100μm时，激光照射形成稳定高温区的最高温度不超过600K。增加基片初始温度，可以在建立满足要求的温度上升的同时，减小基片上高温区分布的面积。在同一初始温度下，在基片高温区分布的面积符合实验要求的前提下，应尽量使用较大的光斑尺寸和激光功率，从而使基片表面热斑的温度分布更易控制。     

利用总积分散射仪研究不同清洗技术下的基片表面粗糙度

为了探讨不同清洗工艺对基片表面微观粗糙度的影响,利用总积分散射(TIS)仪分别对不同条件下超声清洗的K9玻璃基片,End-hall离子源清洗的K9玻璃基片和Kaufmann离子源清洗的熔石英基片的表面均方根(RMS)粗糙度进行了系统表征.结果表明,K9玻璃基片经不同条件下的超声波清洗后,由于清洗过程中表面受到损伤,其RMS粗糙度均有所增加;而对于End-hall离子源和Kaufmann离子源清洗的基片,其表面RMS粗糙度的变化受清洗过程中离子束流、清洗时间和离子束能量等实验参量的影响较为明显,选择合适的实验参量可以降低基片表面粗糙度.     

基于双压电基片油包微液滴微反应器研究

提出了以声表面波为能量源的微反应器.它由两个128°YX-LiNbO3压电基片和弧形聚合物组成,基片A中反应物Ⅰ由其上声表面波驱动经弧形聚合物输运到基片B,并与基片B中的反应物Ⅱ混合,混合反应物在基片B中的声表面波作用下实现反应.实验结果表明,油包封反应物可减少反应物的蒸发速率;声表面波可提高化学反应速率,并随之增大而增大.     

新型半模基片集成波导镜像转接段的研究

本文提出了半模基片集成波导的镜像转接段设计,并对其功率分配方面的应用展开了研究.首先分析了半模基片集成波导应用于功分器设计的局限性,然后提出了通过镜像转接方式来实现具有双侧开口面的新型半模基片集成波导镜像转接段.通过仿真分析和实验测试验证了半模基片集成波导镜像转接段结构及其设计方法的可行性.最后设计了基于镜像转接段且具有对称结构的半模基片集成波导三路功分器.该功分器的仿真结果与实验数据表明,采用镜像连接段的半模基片集成波导器件具有良好的传输性能,有助于拓宽半模基片集成波导在功率分配网络设计方面的应用.     

高热传导率的氮化铝基片已商品化

<正> 热传导率比氧化铝基片大约高8倍的氮化铝基片由日本东北金属工业公司研制成功,并已经商品化,正在进入半导体基片市场,预计在1989年初就可以实现月生产50万个散热器的生产能力。 在热传导率优良的氮化铝基片上,采用薄膜技术,镀上Ti-Pt-Au金属合金,制成     

MPCVD中基片加热材料的温度场摄动模型研究

为改进微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置中的加热系统，提出了用基片加热材料替代常规加热方式的新的技术路线，建立了基片加热材料的微波轴对称温度场模型并得到了一般解，通过对基片加热材料的微波设计，在MPCVD装置中获得大片基片台直径的均匀温度分布区。     

高性能氮化铝陶瓷基片生产关键技术研究

文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。     

等离子体刻蚀时玻璃基片的温度测量

已研究成功用激光干涉法监控透明基片热膨胀的技术,可用它在等离子体刻蚀薄膜集成电路时,测量玻璃基片的温度。曾在气压和气流速率不变的O_2、N_2和湿空气等离子体中,测定了基片温度与等离子体的射频功率和时间的依赖关系。文章还报导了金属刻蚀罩对基片温度的影响。与一般的测温法相比,这种干涉法简单、准确、无接触,并且毋需改动等离子体装置或基片材料。     

基片表面的倾斜度对光学势阱的影响

为了研究原子光刻实验中基片对汇聚激光场的影响,基于几何光学,采用数值仿真的方法,研究了基片表面的倾斜度对光学势阱的影响。结果表明,当基片表面相对于激光驻波中轴线正倾斜时,基片表面会形成一个无光场区,使光学势阱为0,且在z方向上光学势阱会发生一个零值突变;当基片表面相对于驻波中轴线负倾斜时,基片表面永远存在光场,在z方向上光学势阱不会发生零值突变,且光学势阱相对于z=0会出现对称现象。该研究结果对激光汇聚原子沉积实验具有指导意义。