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巴学杰潘巧生琚斌冯志华 《压电与声光》2016,38(6):888-891
为提高压电驱动器响应速度,提出了一种超快速分时驱动方法。它通过考虑压电堆内部应力波传播对响应速度的影响,对各压电层进行分时驱动以提高其整体响应速度。通过COMSOL Multiphysics有限元仿真软件对所提出的模型进行了仿真分析,并通过实验结果得到了验证。相比于传统的同时驱动,分时驱动下压电驱动器的整体响应速度提高为原来的1.92倍;另外,分时驱动可以实现对各压电层产生应力的线性叠加,在不改变驱动器响应速度的前提下获得更大的输出位移。 相似文献
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《电子产品维修与制作》2014,(17):23-23
在已经到来的大数据的时代,建立跨越传统和新型云计算的混合IT数据中心已成为当务之急。企业管理对IT的依赖程度越来越高,IT成本在快速增长,系统复杂性显著提高,提高需求响应速度迫在眉睫。 相似文献
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针对采煤机传统PID调高技术控制滞后和跟踪性能较差的问题,文中提出一种基于误差状态方程的最优控制调高技术,以改善采煤机滚筒调高的响应速度和跟踪性能。首先建立采煤机调高控制系统的数学模型;其次为便于处理,将数学模型转化为状态空间方程,利用最优控制方法对状态空间方程进行处理,得到采煤机滚筒调高的最优控制器;再根据当前和过去的已知信息对系统进行反馈补偿,改善系统的动态性能。为验证最优控制调高技术的有效性,在Simulink中搭建最优控制仿真模型和传统PID仿真模型,进行阶跃响应和路径跟踪实验。结果表明,与传统PID控制相比,所提方法响应速度更快,路径跟踪性能较好,可为提高自动化采煤技术中采煤机滚筒调高控制智能化水平提供理论支持。 相似文献
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《电子产品维修与制作》2009,(24):34-35
在传统的业务模式中,人们研究了多种手段来检测并提高人员的工作效率。随着网络的普及,计算机成为人们日常办公的主要工具,如何监控、判断、维护并提高员工利用计算机网络的工作效率,一直困扰着很多企事业单位的主管。用户拥有的计算机数量越来越多,管理维护工作量大,服务水平和响应速度不能令人满意,面临的具体管理问题如下: 相似文献
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《现代表面贴装资讯》2005,4(3):58-58
雅马哈发动机将于2005年8月上市模块型表面封装机“YG88”,在保持元件贴片精度的同时,与原来相比,贴片的操作性响应速度提高了15%。通过采用三个贴装头,还可高速封装大型元件。贴片的操作响应速度每芯片为0.48秒。价格为1850万日元(约合人民币142万元,不含税)。与原机型相同,通过使用供料器、视觉系统及选配软件等降低了价格。计划上市第一年销售200台。 相似文献
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基于半导体光放大器(SOA)的高频滤波效应,分析了半导体光放大器的偏置电流,微分增益,输入光功率和模场限制因子与半导体光放大器响应速度(载流子密度响应速度)关系,给出了具有高速响应特性的半导体光放大器各参量的优化设计方法。 相似文献
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《电子工业专用设备》2012,41(1):58-59
日前,英特尔成都芯片封装测试厂第10亿颗芯片下线,标志着成都工厂的累计产量达到了全新的里程碑。同时,英特尔也隆重宣布英特尔中国西部地区分拨中心落户成都高新区,以进一步优化英特尔的供应链,提升对OEM物流响应速度;同时,这一举措将为高新科技的生态系统在成都和四川的进一步完善发挥重要作用。 相似文献
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自动存储柜解决了大量光盘的有效保存和方便查找调用之间的矛盾,媒体资产管理系统以之为存储模块,采用光盘柜离线存放方式与硬盘阵列网络共享数据存储结合的方式,项目投入与离线式存储相近,响应速度与近线式存储相当,尤其适用于需海量信息存储的场合,如广播电视台、图书馆等. 相似文献
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设计了一种具有快速瞬态响应能力的低漏失稳压器,利用提出的一种瞬态响应加速(Transient Response Enhancement,TRE)电路,有效地提高了稳压器的瞬态响应速度,而且瞬态响应速度的提高并不增加静态电流.设计的LDO电路采用0.5μm标准CMOS工艺投片验证,芯片面积为0.49mm2.该LDO空载下的静态电流仅23μA,最大带载200mA.在1μF输出电容、200mA/100ns负载阶跃变化时的最大瞬态输出电压变化量小于3.5%. 相似文献
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电控双折射液晶显示的动力学模拟计算 总被引:2,自引:2,他引:0
对HAN-ECB显示和平行型ECB显示进行了动力学模拟计算。结果表明HAN-ECB在电压作用下具有比平行型ECB更快的响应速度,而在回落过程中具有与平行型ECB大体相同的响应速度。 相似文献
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利用DSP为核心控制器件构建数字化无刷直流电动机位置伺服系统,并应用变结构控制理论实现了对该系统的位置伺服控制,与传统的控制器件与控制策略相比,具有较高的控制精度和较快的响应速度。 相似文献
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毫秒有机聚合物薄膜全光开关 总被引:15,自引:6,他引:9
用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和偶氮染料DRl以一定的比例混合,制成各向同性均匀薄膜样品。用经斩波器调制的线偏振氩离子激光(514nm,CW)作用样品产生光致双折射。作为探测光的线偏振氦氖激光(633nm,CW)经过样品,在与其原来偏振方向垂直的检偏器后的透射光强强度受控制光的调制作用,实现了光控光的全光开关效应。通过改变控制光的光功率及薄膜样品的温度。对样品的开关响应速度和开关调制深度进行了研究。在一定的实验条件下,用毫瓦量级的控制光功率实现了几个毫秒的开关响应速度和60%以上的开关调制深度。 相似文献
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