Tm^3＋离子在YVO4晶体中的光谱特征

本文应用Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了Ｔｍ３＋离子在ＹＶＯ４晶体中的辐射跃迁几率ＡＪＪ′、无辐射跃迁几率ＷＪＪ′，振子强度ｆＪＪ′，荧光寿命τＪ，辐射跃迁截面σｅ和吸收截面σＡ等光谱特征参量．从速率方程得出在不同泵浦几率（１０２～１０５ｓ－１）下，荧光强度最大的掺杂浓度为４．５％～６．６ａｔ．％，并将这些结果与Ｔｍ３＋离子在ＹＡＧ晶体中的特征参量、最佳掺杂浓度进行了比较．     

Cr：KTP晶体生长及其有关性能研究

采用高温溶液法在不同温度下生长了掺质量分别为摩尔原子质量的０．０３％和０．１％的Ｃｒ：ＫＴＰ晶体，确定了它们的最佳生长温度区间，并讨论了不同生长温度区间对Ｃｒ：ＫＴＰ晶体形态的影响。利用光学显微镜和扫描电镜观察了Ｃｒ：ＫＴＰ的３种生长缺陷。利用差热分析法分析了Ｃｒ２Ｏ３对ＫＴＰ晶体分解温度的影响。测定了Ｃｒ：ＫＴＰ品体的吸收光谱和蓝绿波段的荧光光谱，并用间接法估计了晶体中Ｃｒ４＋离子的含量。确定了摩尔原子质量的０．０３％为Ｃｒ：ＫＴＰ晶体的最佳掺质浓度，并用激光激发实验予以证明。     

烧成温度对PTC陶瓷性能的影响

本文通过 Ｂａ０８０ Ｐｂ０．２０）Ｔｉ１．０１Ｏ３＋０．１５ａｔ％Ｎｂ２Ｏ５＋０．１５ａｔ％Ｌａ２Ｏ３＋ｘＦｅ２Ｏ３＋ｙＭｎＯ２形成中的受主物质含量（ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％）的变化做了烧结实验研究,分别讨论了烧成温度对单。双受主掺杂配方的ＰＴＣ陶瓷性能的影响。实验结果表明：在受主掺杂ｘ＋ｙ≤０．０４ａｔ％的范围内存在最佳烧成温度１１５５℃～１１６５℃,使ＰＴＣ陶瓷具有较好的性能。     

不同方法生长的蓝宝石晶体位错缺陷

采用化学腐蚀-显微镜观察法,利用熔融的KOH对泡生法、提拉法、温度梯度法生长的蓝宝石晶体进行了位错腐蚀形貌分析。结果表明:与提拉法生长出的蓝宝石相比,泡生法和温度梯度法生长出来的蓝宝石的位错密度较低,同时位错分布形态比较均匀,双晶摇摆曲线半高宽越窄位错密度越低。因此,在测试蓝宝石晶体时可以通过测试半高宽来间接说明蓝宝石晶体的位错密度情况,并探讨晶体位错缺陷密度、分布与晶体生长工艺之间的关系,对相关机制进行了阐述。     

P_（507）萃淋树脂分离稀土元素的研究（Ⅴ）──重稀土元素Er－Tm－Yb—Lu的分离

在研究ＨＣｌ体系中Ｅｒ（Ⅲ）、Ｔｍ（Ⅲ）、Ｙｂ（Ⅲ）、Ｌｕ（Ⅲ）离子在Ｐ５０７萃淋树脂淋洗行为的基础上，发现Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ各元素的分配系数ｋｄ随酸度增高而递减，各相邻元素分离系数的平均值分别为，在色谱柱的淋洗过程中，按原子序数从小到大顺序被洗脱．用１．０～４．０ｍｏｌ／ＬＨＣｌ进行阶梯淋洗，进料量１．０％～１．５％均能达到基线分离．在色谱柱床中，ＲＥ３＋离子与Ｐ５０７发生化学反应，生成的化合物可认为是ＲＥＡ３．     

掺杂Fe^2＋,Bi^3＋,Cu^2＋的PZT陶瓷低温烧结

在利用水热法合成的粉体低温烧结ＰＺＴ「ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」陶瓷中,掺杂了ＦｅＡ＾２＋、Ｂｉ＾２＋,Ｃｕ＾２＋等无机化合物,使ＰＺＴ陶瓷在８５０℃温度下即可烧成,密度可达理论值９８％,压电性能测定表明,其Ｋｐ值变化不大,而Ｑｍ值有较大提高。     

Sm^3＋：TGS晶体的生长习性,结构及铁电,热电性能

选择Ｓ＾３＋ｍ为掺杂阳离子，ＤＬ－丙氨酸和Ｌ－谷氨酸部分取代甘氨酸分子生长了掺杂ＴＧＳ晶体。生长和测试实验表明，Ｓｍ＾３＋；ＴＧＳ晶体较纯ＴＧＳ晶体易于生长，且对称性不变，是有应用前景的热释电材料。     

电导滴定法测铝铁溶液

研究了用ＮａＦ对Ａｌ＾３＋、Ｆｅ＾３＋络合滴定，以电导法指示终点，测Ａｌ＾３＋标准液浓度为５．００＊１０＾－３－５．００＊１０＾－４ｍｏｌ．ｄｍ＾－３，相对误差０．４０％－１．６０％，相对标准偏差１．８３‰－８．５７‰；测Ｆｅ＾３＋标准溶液浓度为５．００＊１０＾－３－５．００＊１０＾－４ｍｏｌ．ｄｍ＾－３相对误差０．５０％－１．００％，相对标准偏差４．３７‰－６．６４‰；测混合液（Ａｌ＾３＋：ＦＥ     

超软赝势方法对V/TiO2薄膜电子态密度的计算

根据密度泛函理论和＂总体能量—平面波＂超软赝势方法计算了V3＋和V4＋掺杂金红石矿相纳米TiO2的能带结构和电子态密度,分析了V3＋和V4＋掺杂对W/TiO2晶体电子结构和光学吸收带边的影响.还对V3＋和V4＋掺杂的TiO2电子态密度进行了比较分析.     

Ce:Fe:LiNbO_3晶体生长及其在红光波段的体全息存储特性

用提拉法从熔体中生长了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．研究了 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体在 ６３３ｎｍ波段的体全息存储特性,对不同掺杂浓度的 Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３和Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体进行了全息时间常数和吸收光谱的测定与比较．实验表明,Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体对红光的灵敏度优于Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体,它是一种优良的体全息记录材料．     

单分散铕掺杂氧化钇空心微球的荧光性能研究

以单分散三聚氰胺-甲醛微球为模板,通过煅烧除去模板,制备出粒径均一的铕掺杂氧化钇空心微球荧光材料. 利用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、傅立叶变换红外光谱仪、X射线衍射仪、荧光分度计对氧化物空心微球荧光材料进行表征. 结果表明:成功地制备了铕掺杂氧化钇单分散空心微球,铕元素掺杂进入氧化钇晶体后对氧化钇晶型没有影响,随着铕元素含量的增加,晶格常数逐渐增大. 铕掺杂氧化钇空心球在613 nm处均表现出强烈的发射峰,当铕元素掺杂量为原分子数x=5%时,荧光强度最强;随着铕元素含量的增多,电荷迁移带红移,表明铕-氧键共价性逐渐减弱、离子性逐渐增强.     

Gd2O2S:Yb3+,Ho3+上转换发光材料的制备与表征

采用高温固相法制备了Gd2O2S:Yb3+,Ho3+上转换发光材料,并研究了激活剂Ho3+和敏化剂Yb3+之间配比、烧结的温度和烧结时间对上转换发光材料发光性能的影响,得到了最佳离子配比、烧结时间与烧结温度,用XRD、SEM、荧光光谱等对样品进行了表征.采用快进快出的制备工艺,得到的上转换发光材料尺寸约为4μm,粒度均一,具有明显的六方晶形.Gd2O2S:Yb3+,Ho3+在Ho3+/Yb3+摩尔掺杂比为0.5:18,1150℃条件下烧结2h时,发光最强.该粉体在980nm红外光照射下发出耀眼的绿光,光谱峰值位于544nm和548nm两个发射峰,对应于Ho3+离子的5F4,5S2→5I8跃迁.在1064nm红外光照射下,光谱峰值位于548nm处的主峰,对应于Ho3+离子的5S2→5I8跃迁.     

Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电弛豫特征

采用固相反应法制备了Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3(x=0.01,0.02,0.03,0.04)陶瓷,X射线衍射分析表明所有样品均是四方晶体结构,3%mol的Bi3+能够完全溶入钙钛矿晶格中.不同频率下Ba1-xBix(Ti0.9Zr0.1)O3陶瓷的介电温谱显示所有样品均表现出弥散相变的特征,在x≥0....     

晶体生长机理的研究综述

控制晶体生长使材料达到最高的强度可以采取两条相反的途径:一是尽量增大位错密度,非晶态材料就可看成是位错密度极高的材料;二是尽量减少位错密度,晶须就是这种方法的一个实例.晶体生长理论研究包括晶体成核理论、输运理论、界面稳定性理论、界面结构理论和界面动力学理论的体系.揭示了晶体生长的基本过程,介绍了晶体生长的机理,概述了晶体生长理论研究的技术和控制晶体生长的途径及手段,阐述晶体生长研究的发展方向,以及晶体生长与界面相的关系.这将对晶体生长的实践起着一定的指导作用.晶体生长理论研究的发展方向是使晶体生长过程可视化,这也是晶体生长实验技术的最终目标.     

Nd，Yb：YAG晶体生长及性能表征

采用中频感应加热提拉法,生长Nd,Yb：YAG激光晶体．利用XRD、吸收光谱和荧光光谱对晶体的物相结构及光谱性能进行分析,结果表明：Nd,Yb：YAG晶体属于立方晶系,晶格参数a=1．2021nm,在808nm处有较强的吸收能力．室温下,Nd,Yb：YAG晶体荧光光谱的最强荧光发射峰位于1030nm处,归属于Yb^3＋离子的^2F5/2-^2F1／2能级跃迁．     

氧化钆掺杂氧化铈的分子动力学模拟

为了研究氧化钆掺杂的氧化铈( GDC)在不同掺杂浓度下的晶格变化情况及工作机理,以牛顿第二定律为基础,建立了GDC的微观原子模型,采用分子动力学模拟的方法系统计算了工作状态下的GDC.计算结果显示:随掺杂浓度的增加,GDC 晶格常数、O2--O2 -最近邻距离不断增加,Ce4+ -O2 -、Gd3+-O2-最近邻距离却不断减小,且由当前常用的4种势函数计算的晶格构型并无太大差异.在模拟过程中,O2-的扩散系数随掺杂浓度的增加先增大后减小,当氧化钆浓度为8％左右时,扩散系数达到最大.     

第一性原理研究:Mg2+掺杂尖晶石型LiMn2O4的电子结构

尖晶石 LiMn₂O₄ 正极材料是在原有锂电池正极材料 LiCoO₂ 、LiNiO₂ 、LiMnO₂ 的基础上研发出来的优选 正极材料, 它相较于 LiCoO₂ 材料价格更加低廉热稳定性加强且安全性能有所提高。采用 Mg²⁺ 掺杂 LiMn₂O₄正极 材料, 利用基于密度泛函理论的第一性原理对 LiMg_0.5Mn_1.5O₄ 晶格常数与能带结构、态密度进行计算与分析。结 果表明: 新材料 LiMg_0.5Mn_1.5O₄ 的空间群为 F4332, 掺杂后晶胞参数 a 明显减小, 晶胞体积收缩; 掺杂量为 0.5 时明 显比掺杂量 0.125 时 Fermi 能量和能量密度高。Mg ²⁺ 掺杂能影响 LiMn₂O₄ 的晶体结构, 形成更加稳定的共价键。 掺杂量会改变 LiMn₂O₄ 的空间群影响到结构稳定性, 所以掺杂量不宜过大。     

碳纳米管超晶格结构的第一性原理

针对掺杂N、B、Si的碳纳米管超晶格的电子结构及拉伸性能,运用第一性原理进行了相关研究.结果表明,碳纳米管超晶格会形成类似管状结构.不同掺杂元素导致碳纳米管超晶格的结构稳定性有所不同.碳纳米管经掺杂后,能带中的能隙由半导体性转变为金属性,且费米能级处的态密度值增大,表明碳纳米管超晶格的物理化学活性增强,而结构稳定性降低.对于碳纳米管超晶格而言,结构稳定性从高至低依次为3×1碳氮、1×1碳硼和3×1碳硼纳米管超晶格.     

Oxygen defects in Fe-substituted Tl-system superconductors

For Fe-doped T1-1223 phase,the excess oxygen defects induced by Fe dopants are studied by means of Hall coefficient,thermogravimetric measurements,Mossbauer spectroscopy,and the model calculation of the effective bond valence.The extra oxygen defects have effects on carrier density and microstructure of the superconductors.In the light doping level of Fe (x=0-0.05),the superconducting transition and carrier density have significant corresponding relation--the zero resistance temperature Tco and carrier densities decrease linearly with Fe dopants increasing.The thermogravimetric measurements show that the Fe3+ ions' substituting for Cu2+ ions can bring the extra oxygen into the lattice to form extra oxygen defects.The calculation of the effective bond valence shows that the decrease of carrier density originates the strongly localized binding of the extra oxygen defects.The distortion of Cu-O layer induced by the extra oxygen defects decreases the superconductive transition temperature.The microstructure     

Yb~(3+)/Ho~(3+)掺杂纳米氟磷灰石的制备及发光性质研究

利用水热法成功制备了Yb~(3+)/Ho~(3+)掺杂氟磷灰石(FA:Yb~(3+)/Ho~(3+))纳米材料,通过改变稀土离子Yb~(3+)的掺杂比例有效提高了纳米材料的上转换发光强度。利用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射仪(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、荧光光谱仪等表征手段对Yb~(3+)/Ho~(3+)掺杂纳米氟磷灰石的形貌、结晶程度和物相组成、发光性质进行了研究。结果表明,Yb~(3+)/Ho~(3+)掺杂氟磷灰石纳米材料呈棒状并具有六方相结构。通过对稀土离子Yb~(3+)的掺杂比例进行调节,使得材料的上转换发光效率有了明显的增强,Yb~(3+)的掺杂含量为60%时发光最强。因此,这类具有较好上转换发光性能的FA:Yb~(3+)/Ho~(3+)纳米材料可为细胞标记和成像提供良好的条件,有望促进其在生物医药领域中的广泛应用。