表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb∶YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb∶YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为1 0 W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率2 0 0 MHz,锁模脉冲平均输出功率为70 m W.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4 .35 ps     

用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模

研制了一种新型的80 0 nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到4 0 fs,光谱带宽为5 6 nm,后者意味着它可以支持2 0 fs的锁模.脉冲序列的重复率为97.5 MHz,泵浦源为4 .4 5 W下平均输出功率为30 0 m W.     

用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模

利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为375MHz,输出功率为45mW.     

用高反射率型半导体可饱和吸收镜实现半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模

利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为375MHz,输出功率为45mW.     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.     

表面态型半导体可饱和吸收镜实现Yb:YAG激光器被动锁模

制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得了连续锁模脉冲序列,重复频率200MHz,锁模脉冲平均输出功率为70mW.在未加任何色散补偿的情况下,脉冲宽度为4.35ps.     

用离子注入GaAs晶片实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器中的被动调Q(英文)

对半绝缘Ga As晶片进行As+ 注入,注入能量为4 0 0 ke V ,剂量为10 1 6 cm- 2 .用这种注入条件下的Ga As晶片作为吸收体和输出镜,在被动调Q闪光灯泵浦的Nd∶YAG激光器上获得了6 2 ns的单脉冲宽度.这是迄今为止国内最好的报道结果.     

半导体致冷复合相变硅镜光照热有限元模拟

为克服高能激光用相变致冷镜两次出光时间间隔长的缺点,设计了一种新型半导体致冷复合相变硅镜,并采用ANSYS有限元程序模拟了实心硅镜、相变镜和半导体致冷镜的光照热行为.由最大温度-时间曲线可知,在净吸收热量为100W、环境温度为0℃,制冷量为5W时,半导体致冷复合相变硅镜只需5s就可使镜体的温度和弹性变形恢复至初始状态.     

半导体可饱和吸收镜实现高频脉冲激光研究进展

介绍了作为固体激光器、半导体激光器和光纤激光器被动锁模吸收体的半导体可饱和吸收镜(SESAM)的基本原理和制作方法。详细阐述了利用半导体可饱和吸收镜对同体激光器和光泵垂直外腔面发射半导体激光器进行被动锁模，获得重复率为几吉赫到几百吉赫的超短脉冲激光的方法。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法，阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理，并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。     

半导体可饱和吸收镜运用于军用脉冲激光测距

摘要本文对激光测距系统中应用的几种主要波长脉冲光源的应用领域和特点进行了比较。介绍了一种国际上正在流行而国内还未发现有报道的实现固体激光器和光纤激光器被动锁模和调Q的新型半导体材料吸收体——半导体可饱和吸收镜。     

在平凹腔Nd∶YAG激光器中Cr4+∶YAG被动锁模的特性研究

在平凹稳定腔中用Cr4+∶YAG作为可饱和吸收体实现了脉冲Nd∶YAG激光器的被动锁模运转,得到平均脉宽为190 ps,输出能量为22 mJ的脉冲序列.理论上分析了Cr4+∶YAG被动锁模的动力学过程以及Nd∶YAG的克尔透镜自聚焦在被动锁模中的作用.     

基于氧化石墨烯与半导体可饱和吸收镜的锁模飞秒掺铒光纤激光器

分别将氧化石墨烯可饱和吸收镜(GOSAM)与半导体可饱和吸收镜(SESAM)作为可饱和吸收体,在同一掺铒光纤激光器中均实现了全光纤结构、稳定的锁模飞秒脉冲输出。实验用抽运源为中心波长974 nm的半导体激光器,抽运1.4 m长的吸收率为7 d B/m的掺铒光纤,谐振腔总腔长约为12 m。以GOSAM作为可饱和吸收体,当抽运功率为29 m W时,激光器产生稳定的锁模脉冲输出,脉冲宽度最窄为703 fs,光谱中心波长为1557.67 nm,3 d B带宽为3.91 nm。使用调制深度为18%的SESAM作为可饱和吸收体,当抽运功率为32 m W时也可得到锁模脉冲,脉冲宽度为542 fs,光谱中心波长为1561.5 nm,3 d B带宽为5.41 nm。实验表明,新型激光锁模器件氧化石墨烯的可饱和吸收效应可与SESAM媲美,且兼具价格低廉、制备简单的优势,在实现超短脉冲运转方面具有广阔的实际应用前景。     

用800nm表面态方法和低温方法结合吸收区的半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光克尔镜锁模

研制了一种新型的800nm布拉格反射镜型半导体可饱和吸收镜,其吸收区是低温方法和表面态方法相结合.用该吸收体实现了氩离子激光器泵浦的掺钛蓝宝石激光器被动锁模,脉冲宽度达到40fs,光谱带宽为56nm,后者意味着它可以支持20fs的锁模.脉冲序列的重复率为97.5MHz,泵浦源为4.45W下平均输出功率为300mW.     

Cr4+:YAG被动调Q激光器脉冲波形数值模拟及优化

为了研究被动调Q激光器脉冲的波形对称特性,采用数值求解Nd:YAG晶体Cr4+:YAG被动调Q激光耦合速率方程组的方法,获得了激光脉冲的波形,绘制出了"脉冲对称因子"与饱和吸收体初始透过率和输出镜反射率的关系曲线图;并根据脉冲波形的不对称性,更精确地计算了脉冲宽度,及其与饱和吸收体初始透过率和输出镜反射率的关系.得到参数b=0.6时,脉冲波形对称;b=0.78时,脉宽最小的结论.结果表明,可以通过调整b参数来优化被动调Q脉冲波形对称性和脉宽.     

用半导体可饱和吸收镜对掺钕晶体激光器进行被动调Q和锁模

较全面地介绍了几种掺钕激光晶体的光学性质。就掺钕激光晶体主要的三个波长探讨了用一种新型的吸收体(半导体可饱和吸收镜)进行被动调Q和锁模。     

未抽运掺杂光纤在掺Yb~(3+)窄线宽光纤激光器中的作用

采用一种新的连接方式使一段掺Yb3 + 光纤处于未抽运位置。以这段掺Yb3 + 光纤作为对信号光的吸收体 ,利用它在驻波场中的可饱和吸收作用 ,再结合带通滤波器 ,在掺Yb光纤激光器中获得了波长 10 5 4 5 6nm ,3dB带宽小于 0 0 7nm的窄线宽激光输出。对未抽运掺杂光纤吸收体在掺Yb3+ 窄线宽光纤激光器中的作用进行了较为详细的研究     

半导体激光器端面泵浦Nd:YAG激光器用In0.25Ga0.75As吸收体被动锁模兼做输出镜

用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体--低温InGaAs (LT-In0.25 Ga0.75 As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz.     

半导体激光器端面泵浦Nd:YAG激光器用In0.25Ga0.75As吸收体被动锁模兼做输出镜

用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体--低温InGaAs (LT-In0.25 Ga0.75 As).用这种吸收体兼做输出镜,实现了1.06μm半导体端面泵浦Nd∶YAG激光器被动锁模,脉冲宽度为皮秒量级,重复率为150MHz.