ULSI掩模缺陷检查技术研究

本文以KLA－221型自动掩模缺陷检查系统硬件资源为研究工具。详尽地描述了ULSI掩模缺陷检查的实际意义、缺陷检查的原理、检查模式。提出了如何保证缺陷检查的捕俘率以及降低伪缺陷的方法。对单层掩模版的图形品成率和整套掩模版图形成品率的正确预测做了分析研究，并可由预测的结果揭示出IC芯片生产中的成品率应达数。还讨论了掩模秧陷的分类和产生的工艺因素。     

掩模缺陷的数理分析

本文主要根据半年来，成套的30批缺陷检查的结果，进行一定的数理分析，以便从中获得改进工艺的效益。     

KLA-221掩模缺陷自动检查系统

KLA-221系统用于掩模版缺陷的自动检查。本文着重对该机的工作原理、光学系统及自动调焦系统作了介绍。     

大规模集成电路掩模缺陷激光修正技术

本文介绍了用激光投影系统汽化C_r板的技术。可在C_r板上汽化出3μm×3μm至80μm×80μm的矩形方孔,最细线宽1μm的线条,最小直径φ1.5μm的园形孔。汽化质量已达到修正LSI掩模缺陷的使用要求。讨论了汽化质量与激光参数的关系。     

光刻掩模缺陷对IC成品率的影响

本文叙述了光刻掩模的缺陷对IC成品率的影响，着重介绍了缺陷产生的原因及消除的方法，并对国内外光刻掩模生产现状作简要介绍。     

激光光刻与相移掩模

本文评述了激光光刻可能采取的方式及其待解决的问题,并对相移掩模技术作了概要的介绍。     

i线相移掩模检查装置

为了采用曝光波长为０．３６５ｍ的光源制作０．３５－０．３０μｍ图形。采用了ｉ线步进方法，并研制了相移掩模。该掩模是由相移法构成图形，同时采用了光的干涉方法进行曝光形成微细图形，最重要的是相移器率和相移，其通过相移器的透过率与玻璃的透过率进行比较而测定，该测定重复性达±０．０５％，测定相移量应用微分干涉显微镜原理，为了获得高精度相移量，采用了条纹扫描干涉法，测定重复性达到±１°，相对应的模厚为±０．     

光掩模激光修补技术

本文论述了掩模缺陷成因、类型，掩模修补的重要性和掩模修补（包括相移掩模修补）的原理和方法。比较详细地介绍了中科院光电所研制的ＬＭＲ－１型掩模缺陷激光修补仪的主要性能指标，给出了实验结果。对于激光气化法修补时溅射物产生原因和改善修补质量的方法做了分析，并对用于透明缺陷激光修补的激光化学气相沉积方法和装置作了介绍。     

基于掩模图像的磁环表面缺陷提取研究

磁环表面缺陷图像具有对比度低、纹理背景复杂 、缺陷种类多和亮度不均匀等特点,提出了一种 基于掩模图像的磁环表面缺陷提取方法。首先,通过分析磁环表面图像中不同缺陷区域与正 常区域的灰度 差别,将磁环表面缺陷划分为两类,第1类为缺陷灰度值与正常区域差别大易分割,第2类为 缺陷灰度 值与正常区域灰度值差别小不易分割;其次,根据两类表面缺陷的成像特点以及与背景的 关系,利用掩 模技术分别设计了相应的缺陷提取方法;最后,在不同的光照、规格、缺陷类型及大小等方 面,利用开发 的样机进行了大量的在线实验。实验结果表明,本文缺陷提取算法稳定性好,鲁棒性强,能 够准确、快速 地提取出磁环表面图像各区域的缺陷,表面缺陷检测的准确率为95.3%。     

精密光掩模的激光修整技术

通过对掩模缺陷和激光特点的分析,提出用激光气化法修整掩模缺陷中多余铬缺陷的技术,对LMT型激光修版机进行了改进。给出了改造和更新的技术要点,在该机上进行了工艺实验,并对结果进行了分析,提出了改进激光修版技术的有关措施。实验表明：当物镜与待修模板之间的距离为1．604mm,激光泵浦灯管的预燃电压为300V时,可以达到最佳的修版效果。     

KLA-221掩模缺陷自动检测仪简介

本文简要介绍了KLA-221掩模版缺陷检查仪的组成,对其电控部分的头放大器、伺服系统,自动聚焦系统和对准系统的整体考虑及采用的技术作了较详尽的叙述。     

相移掩模清洗结晶控制

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。     

钼金属掩模的选择性化学腐蚀

本文主要叙述薄膜集成电路所用的钼金属空花掩模的制备。简述了制备工艺流程,阐明了用硝酸、磷酸、醋酸的混合液选择性化学腐蚀的机理,讨论了化学腐蚀的主要影响因素,从而制定了腐蚀液的最佳配方和腐蚀的工艺条件。     

掩模的矩阵乘法表示及其应用

通过对掩模的作用原理进行研究,首先给出了行列成比例的二维掩模的矩阵乘法表示,进而得到了掩模的矩阵乘法实现方法,该方法不仅提高了掩模实现的速度,而且避免了处理图像时的加边运算;其次,提出了基于边界的掩模概念,并给出了相应的矩阵乘法表示,在保持原图像大小不变的前提下,避免了算术均值掩模处理后图像的黑边现象;最后,仿真实验验证了以上结论的正确性。尽管以上结论是针对行列成比例的掩模得到的,但仍不失一般性,因为大部分的掩模均可转化为行列成比例的掩模的和或差。     

缺陷对极紫外掩模多层结构反射场的扰动研究

极紫外光刻掩模具有特殊的多层膜堆叠的反射式结构,在工艺制造过程中极易产生缺陷,引起多层膜结构变形,从而对掩模反射场产生干扰。这种掩模缺陷是制约极紫外光刻技术发展的难题之一。建立了含有缺陷的极紫外掩模多层膜结构模型,在此基础上采用时域有限差分(FDTD)法分析了缺陷尺寸和缺陷位置对掩模多层膜结构反射场分布的影响。结果表明,多层膜结构反射场受干扰程度是缺陷的高度和宽度综合作用的结果,并且与缺陷结构的平缓程度有关。反射场受干扰程度也与缺陷在多层膜结构内部的高度位置有关,引起多层膜结构靠近底层变形的缺陷对反射场的影响较小,而引起多层膜结构靠近顶层变形的缺陷对反射场有明显的干扰。     

相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟

本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法：相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理，提出了相移掩模成像的模拟思想，推导了数学公式，并实现了计算机模拟，给出了一些初步结果。     

EB制作1：1UT Stepper掩模的工艺技术研究

一、前言UltratechStepper1500是一种比较特殊的1：1投影光刻机。它只能使用3”X5”的掩模，掩模上除用户提供的主芯片图形和PCM图形外，还要由掩模制造厂附加许多辅助图形。UltrachStepper1500对俺模的特征尺寸控制、套准精度、缺陷检查、保护膜安装等都有很严格的要求。国内使用UltratchStepper1500光刻机的用户以前只能委托台湾或国外的掩模生产厂家制作掩模，制作周期长，成本也比较高。掩模工厂引进ZBA23电子束以后，客观上基本具备了制作1：IUTStepper掩模的条件。八年初开始。在用户的配合下，据模工厂开始研究1：IUTSteppe…     

用于投影光刻机掩模自动对准的锁相干涉技术

<正> 本文叙述了用于投影光刻机中的一种掩模对准技术。在片子与掩模的对准中,通过一种锁相干涉法确定其偏移量。此方法采用的对准图形是一种交叉的栅格,用氦氖激光束照明。经过衍射和干涉后得到了一种谐波强度信号,信号的相位表示了掩模与片子的相对位移。用一个电流计扫描仪驱动一块可倾斜的玻璃片来实现相位调制和精密对准。包括套准和精密对准在内总的对准操作用一个PC单元控制,具有毫微米的套准精度和低于0.3秒的对准周期。此方法特别适用于缩小步进投影光刻机中的逐场对准。最后讨论了其理论研究与试验的结果。