电力电子器件知识讲座(五) 功率场效应管的驱动电路

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以电力电子器件知识为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(六) 功率场效应管的应用电路

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(六) 功率场效应管的应用电路

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以电力电子器件知识为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(四) 功率场效应管的结构与特性

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(四) 功率场效应管的结构与特性

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以电力电子器件知识为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(三) 晶闸管

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(七) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(一)

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(一) 电力电子器件的分类及应用概述

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件技术"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座（十四） MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路（三）

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以＂电力电子器件知识＂为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座（十五）MOSFET及IGBT栅极专用驱动电路（四）

【编者按】电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座（十二） MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路（一）

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以＂电力电子器件知识＂为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(八) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(二)

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座（十三） MOSFET及IGBT栅级专用驱动电路（二）

3IGBT栅极驱动电路的抗干扰措施栅极驱动电路的合理布局是很重要的。减少噪声,提高可靠性,提高抗干扰能力,在合理布局中都能得到体现。（1）驱动电路的连线尽可能短,一般推荐小于500mm,而且还需采用双绞线,绞线密度最好在每10mm长度绞两次,另外,还需正确放置驱动电路板或屏蔽驱动电路,以防止驱动电路,控制板与主电路的相互干扰。     

理解功率MOSFET体二极管反向恢复特性

半桥、全桥和LLC的电源系统以及电机控制系统的主功率MOSFET、同步Buck变换器的续流开关管、以及次级同步整流开关管,其体内寄生的二极管都会经历反向电流恢复的过程。功率MOSFET的体二极管的反向恢复性能和快恢复二极管及肖特基二极管相比,其反向恢复速度要低很多,反向恢复电荷也要大很多,因此反向恢复的特性较差。这样,导致二极管的开关损耗增加,降低系统的效率,同时,也会产生较高的振铃,影响功率MOSFET的安全工作。功率MOSFET数据表中,通常给出了一定条件下的Qrr和反向恢复的时间,并没有给出和实际应用相关     

SiC新一代电力电子器件的进展(续)

5 SiC JFETSiC JFET利用p-n结耗尽区来控制沟道电流,可全面开发SiC的高温性能,适合高温高功率开关。SiC JFET通常是常开的,关断需加负栅压,其具有本征安全的栅驱动控制。SiC JFET具有低开关损耗、高开关频率的特点。1999年,P.Friedrichs等人[46]研发了第一代4H-SiC JFET,浪涌电流能力为200 A/cm2,到2004年经历三代SiC JFET技术     

电力电子器件知识讲座(九) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(三)

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子器件知识"为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座(九) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(三)

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以电力电子器件知识为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

电力电子器件知识讲座（十） 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）（四）

电力电子器件是半导体功率器件的总称,是构成电力电子设备的基础,是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从去年4月份开始以＂电力电子器件知识＂为题开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。     

正向稳态到零输入态P~+-N-N~+功率二极管瞬变研究

从半导体器件物理角度,分析了从正向恒定电流IF(3A)转变到零输入的P+-N-N+功率二极管的瞬态响应,解释了瞬态过程中电流反向并达到反向峰值IR-peak(IR-peak>IF)的原因。通过在检测电路中采用反向平衡电流源,减小被短路的正向恒流电源对零时刻二极管瞬态响应的干扰,并利用仿真软件Silvaco-Atlas进行瞬态仿真,对结论进行了验证。     

电力电子元件知识讲座(二) 新型电阻器

电力电子元件是"无源"元件的总称,是构成电力电子设备的重要组成部分,是从事电力电子元件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以"电力电子元件知识"为题与前述"电力电子器件知识"同时开展讲座,以满足广大读者增长知识和用好这些元件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿,并望提出宝贵意见。