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氢氧化镁粉的超细化和高分散性是充分发挥其在聚合物材料中的阻燃性的前提。对片状纳米氢氧化镁粉的制备工艺以及几种表面活性剂的种类、用量对纳米氢氧化镁粉的分散性的影响进行了研究,并通过扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(FTIR)对其进行了表征。研究结果表明,制备片状纳米氢氧化镁的最优工艺条件是:镁液中Mg^2+的初始浓度为22.75g/L,沉淀剂用20%的NaOH溶液,反应温度为50℃,反应时间为5min。SEM分析表明:在此条件下制得的片状纳米级氢氧化镁粉片径100nm左右,厚10nm左右,但是颗粒之间团聚严重,团聚颗粒达到微米级。使用硅烷FR-693、钛酸酯YB-502和聚乙二醇对氢氧化镁进行原位改性可以提高其分散性。硅烷FR-693、钛酸酯YB-502和聚乙二醇的最佳用量分别为氢氧化镁质量的1.5%,1.5%,0.75%。FTIR分析表明,3种改性剂都可以吸附在氢氧化镁颗粒表面并形成化学吸附。其中硅烷FR-693与粉体表面形成Si-O-Mg化学键合,钛酸酯YB-502与粉体表面形成Ti-O-Mg键合。 相似文献
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纳米氢氧化镁粉体的制备及热分解动力学研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以氯化镁和尿素为原料,采用均匀沉淀法制备出厚度约为20 nm的片状纳米氢氧化镁粉体。利用热重分析法对片状纳米氢氧化镁粉体在不同升温速率下的热分解动力学进行研究,以期深入认识由纳米氢氧化镁粉体热分解得到纳米氧化镁粉体过程的物理化学本质。分别采用Coats-Redfern方程和Dolye方程,对热重分析数据进行了处理和拟合,得到了片状纳米氢氧化镁粉体热分解反应属于Avrami-Erofeev(n=1)的成核和生长为控制步骤的反应机理,其表观活化能E=131 kJ/mol,指前因子A=1.56×1010。 相似文献
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以我国大储量的高岭土为原料,采用化学沉淀法制备超精细的氧化铝粉末。通过对比试验和SEM等设备的检测结果.考察制备过程中溶液浓度,分散剂,防团聚技术对最终产品的影响,探索出了一套适合工业生产纳米氧化铝的工艺。 相似文献
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以均匀沉淀法作为纳米氧化锌的制备方法,通过单因素实验和正交实验,系统地分析了溶液水解反应温度、水解反应时间、原料摩尔配比、煅烧温度等对氧化锌粉体产率和粒径的影响。结果表明,最佳工艺是:以直接混合的方式混合原料液,聚乙二醇-400作表面活性剂,反应温度90℃,原料摩尔配比c(尿素)/c(硝酸锌)=3:1,反应时间5.5h,前驱体碱式碳酸锌的最佳煅烧温度为500℃。通过所制得纳米氧化锌的XRD、SEM的粒径分析,证明了所制得的纳米氧化锌晶形为六方晶相,纯度大于99.9%、平均粒径约为68nm,产率为89.6%。 相似文献
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纳米二氧化钛制备工艺的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用sol—gel法,以钛酸丁酯为原料制备纳米级二氧化钛溶胶及粉体;研究了水分含量、抑制剂种类、溶剂种类以及焙烧温度等因素对纳米二氧化钛制备的影响,从而进一步优化了粉体制备与负载化的工艺条件;并用X射线、SEM表征了所制纳米TiO2的晶型、粒径和形貌。 相似文献
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以新型的纳米氢氧化镁粉体为分散相研究对象,通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、Payne效应等考察了其在丁腈橡胶、三元乙丙橡胶、丁苯橡胶、硅橡胶中的分散相态和网络结构。结果表明,基体的粘度和表面能对纳米粉体最终的分散状态和网络结构有至关重要的影响。基体的粘度和表面能越高(NBR、EPDM),纳米粉体分散越精细,越容易形成柔性的网络结构,高分子参与比重很大;而在很低粘度和表面能的基体中(硅橡胶),纳米粉体以孤立的大聚集体形式存在,在低填充量下,不能形成网络结构,但在高填充量时,反而由大聚集体直接连成刚性很高的网络结构,高分子参与网络结构形成的程度小。传统的模型不能全面地考虑各种主要因素对粉体聚集体所受外力的影响,本文中提出了一个修正的模型来引入表面能因素的影响。 相似文献
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纳米T-ZnOW的制备及其生长机理研究 总被引:7,自引:0,他引:7
以锌粒为原料,分子筛为催化剂,利用真空控氧高温气相氧化法,制备了纳米四针状氧化锌晶须(T—ZnOw)。利用XRD和SEM、TEM对产物进行物相分析和形貌观察。结果表明:产物为纯六方晶系纤锌矿结构氧化锌;体系压力和反应温度是影响晶须形貌的两个重要因素。当温度恒定为1038℃,而压力低于11083Pa时,均可获得根部直径为20—80nm、针长500nm-2μm、形貌规整的纳米T—ZnOw。TEM研究表明,纳米T—ZnOw的针部为单晶,而核心为多重孪晶结构,其生长遵循气固生长机理。 相似文献
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GaN纳米棒的制备及机理研究 总被引:4,自引:2,他引:2
本文分别用三甲基镓和高纯蓝氨作为Ga源和N源,Ni(NO3)2作为催化剂,在Si(111)衬底上制得针尖状GaN纳米棒.测试结果表明制备的GaN纳米棒是沿<100>方向生长的纯六方相结构.通过对生长过程的分析,我们认为GaN纳米棒的生长过程不仅受到VLS机制的控制,而是多种生长方式共同作用的结果.在反应的初期,GaN纳米棒的生长遵从VLS机制;但是随着GaN纳米棒轴向和径向的生长,GaN纳米结构中纳米棒端部的Ni催化剂纳米球会被"挤"出顶部,在较大的气流流速下被吹落至衬底上,失去催化剂诱导作用的纳米棒随后自行外延生长;而吹落至衬底上的Ni催化剂纳米球成为第二次生长有利的形核位置,且再次生长出粗短的纳米棒.因此不同生长机制得到的GaN纳米棒交织在一起,形成了最终的GaN纳米结构. 相似文献
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纤维素制备碳材料的工艺与机理研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以纤维素作原料,利用水热碳化法,在一定的温度和压强下制备碳纳米材料。通过单因素实验考察了反应温度、反应时间对产物表观形貌的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)及红外光谱仪(FT-IR)对所得碳材料的微观形貌和表面生成的官能团进行表征与测试。结果表明:纤维素水热碳化的起始温度为230℃,290℃为最佳碳化温度;当T=290℃时,反应时间的延长可增大碳颗粒的球化趋势,而对粒径影响较小;经水热碳化制备的碳材料表面含有羟基、羰基和羧基等官能团。 相似文献
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利用高岭土制备纳米氧化铝 总被引:3,自引:0,他引:3
采用高岭土为原料制备纳米氧化铝成本低廉,可以大幅度提高高岭土的产品附加值,提高经济效益.实验以苏州高岭土为原料,通过酸溶、过滤、干燥和煅烧等步骤制备纳米氧化铝粉体.研究了高岭土煅烧温度、分散剂、沉淀剂及干凝胶煅烧温度等因素对氧化铝的浸取率及纳米氧化铝细度、形貌、晶型的影响.实验得出高岭土经700℃煅烧,盐酸浓度20%,AI/HCI摩尔比为1:7,100℃酸浸3h,浸取率达到93.83%,干燥产物在800℃煅烧得到长度为50nm、长径比为10左右的针状γ-Al2O3,1300℃完全转变为α-Al2O3. 相似文献