氨热条件下锂作矿化剂合成氮化镓纳米晶的研究

本工作在350－500℃的氨热条件下,使用金属锂作矿化剂,由金属镓与氨反应合成出了纤锌矿结构的氮化镓纳米晶,颗粒尺寸为30－70nm,并研究了反应温度和锂含量对合成氮化镓纳米晶的影响,实验发现,高锂含量利于产生小尺寸的纳米晶,高温的效果相反,另外,还发现GaN的晶格参数随颗粒尺寸的减小而增大,并导致Raman散射谱的移动。     

剩余氨水蒸氨工艺及设备探讨

分别介绍了水蒸气直接蒸氨工艺、导热油加热间接蒸氨工艺、管式炉加热间接蒸氨工艺以及水蒸气加热间接蒸氨工艺的工艺流程和特点。国内大多采用水蒸气直接蒸氨工艺,该工艺成熟、简单安全;导热油加热间接蒸氨工艺、管式炉加热间接蒸氨工艺相对较为复杂,但降低了蒸氨废水排放量,在节能减排、增加效益方面有优势。并对蒸氨过程中采用的塔盘形式和性能及塔设备的材质进行了分析比较,可为企业在选择蒸氨工艺及塔设备时提供参考。     

亚氨法常压草甘膦后制备工艺

从含量为10%的草甘膦水剂中分离出(NH_4)2SO_4制取高浓度或固体的草甘膦。     

氨—碳酸铵法生产活性氧化锌工艺研究

本文是利用氧化锌易溶于氨—碳酸铵混合溶液中生成锌氨络合溶液的这一特性,以低级氧化锌或锌焙砂为原料,生产活性氧化锌工艺的研究。     

硬质合金热整形设备的研制及工艺试验

利用特殊设备使硬质合金材料在一定的高温条件下产生可控塑性变形，以此进行材料热加工。     

结晶外冷器热氨Ⅰ母液清洗工艺的研究与应用

介绍一种联碱法纯碱生产过程中结晶工段溴化锂制冷降温及外冷器热氨Ⅰ母液清洗方法与装置,将联碱法结晶外冷器传统热氨Ⅰ母液清洗工艺的高扬程热AI清洗泵取消,改为低扬程、大流量的清洗轴流泵,节约能耗,并且改善外冷器清洗效果.     

热法除水合肼副产盐渣中氨的扩试研究

阐述了热法除水合肼副产盐渣中氨的工艺路线，通过优化试验得出了最佳的工艺条件，得到了供烧碱电解使用的合格盐。     

氨-硫酸铵法烟气脱硫工艺研究进展

介绍了氨-硫酸铵法脱硫工艺的原理和大致流程,论述氨-硫酸铵法脱硫关键环节,这些关键环节是塔内传质、氨逃逸、氧化、结晶。说明了影响氨-硫酸铵法工艺应用的关键是经济性,与经济性相关的是工艺的先进性、氨水来源和硫酸铵销售。指出了氨-硫酸铵法脱硫工艺发展方向是提高吸收剂利用率,降低物料消耗、节能。     

氨法超细活性氧化锌工艺的中试

以锌焙砂为原料，开发了氨法生产超细活性氧化锌新工艺。把实验室氨法超细活性氧化锌工艺进行中试，净化工序摒弃了传统的高锰酸钾除铁锰，改为静置氧化除铁锰和二氧化铅深度除锰，提高了净化液技术指标。同时着重考察上述工艺工业化的各项技术经济指标，优化了工艺路线，为建厂做好技术准备工作。     

基于氯化镁氨法脱水制备无水氯化镁工艺的研究

为了制备得到纯度较高的无水氯化镁,制备高纯度的无水氯化镁需要先将氯化镁氨化,再进行热分解.文章首先使用氯化铵溶液和水氯镁石中的氯化镁作为原材料形成氯化镁氨化合物,然后对其进行加热脱水,使其成为低水氯化镁氨化合物,再使用氨气取代低水氯化镁氨化合物中的水分,最后加热分解为无水氯化镁.然后通过实验分析的方法分析制备工艺中涉及...     

水热条件下针状羟基磷灰石单晶体的均相合成

用水热法制备出结晶度高、纯净均一的针状羟基磷灰石单晶体。从X-射线衍射谱、红外吸收光谱、透射电镜分析等方面确认了所得晶体为羟基磷灰石单晶体。根据透射电子衍射谱测量计算出的晶面间距d值与羟基磷灰石卡片的d值非常接近,由标定的晶面指数计算出的晶面夹角与实际测量值有很好的吻合,从而确定所得晶体为单晶。     

碘化铅单晶体生长工艺分析

在坩埚下降法生长PbI2单晶体的过程中,如何解决晶体中的富碘问题是一个研究关键.本文采用坩埚下降法生长出了三种不同颜色的富碘PbI2单晶体.实验中发现:通过合理的选择坩埚在温场中的生长位置,可最大限度的减轻晶体富碘现象,分析了相关工艺,得出了最优工艺方案.结果表明:在适当的工艺条件下,坩埚下降法设备简单,易于操作,是生长PbI2单晶体的优良方法.     

数值模拟方法在过程设备设计教学中的探索与实践

本文通过具体案例,介绍了数值模拟方法在过程设备设计课堂教学和实验教学的一些应用情况.实践表明,数值模拟方法的引入提高了学生的学习兴趣和知识技能,开阔了学生的学术视野,强化了学生解决实际工程问题的能力.     

导模法生长蓝宝石晶体的退火工艺

采用导模法生长了片状蓝宝石单晶。由于石墨发热体的高温挥发,使晶体尾部产生黑色絮状包裹体,晶体内部生成色心。为了消除片状蓝宝石晶体内的包裹体和色心,在不同气氛下对生长的晶体样品进行了退火处理。退火实验表明,含有包裹体的尾部样品在1500℃空气中退火20h并以50℃／h的速率降温,可消除晶体内的碳包裹体,晶体变为无色、透明。在氢气中1600℃退火37h后,F色心引起的205mm的吸收峰和Fe^3＋所引起的200～230的吸收峰均被消除。表明高温氢气中退火是消除导模法生长蓝宝石晶体内部F色心和Fe^3＋吸收的最佳退火方法。     

大截面溴化钾晶体生长工艺研究

对溴化钾原料进行纯化、成型与热处理,制备出?200 mm×20 mm的多晶料。采用电阻加热Czochralski法,在合理的温场下生长出了?140 mm×100 mm的溴化钾单晶。为了有效解决了放肩过程中晶体表面裂纹等问题,采用了一控(水温)、双变(拉速、转速)微提拉放肩新工艺生长晶体。X射线衍射分析表明,生长的晶体为立方晶系的KBr,空间群Fm3m,晶格常数为a=0.6599 nm。分析了晶体中相互作用力及能量关系,认为溴化钾晶体质点间的相互作用不仅存在离子键的相互作用,同时还存在三体力及Van der Waals力的作用。根据半经验公式计算出熔融状态下的溴化钾的配位数为4。另外,晶体的透光性能测试表明,厚度5 mm的样品的透射率为90%。     

物理气相传输法制备大面积AlN单晶

以自制[0001]正晶向sic衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 nm、厚度700 μm的AlN单晶层.介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌.结果表明:样品中SiC-AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征.Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向.     

水热法在低维人工晶体生长中的应用与发展

水热法是人工晶体生长技术中比较重要的一种方法,是利用高温、高压水溶液使得通常难溶或者不溶的物质溶解和重结晶.随着科学技术的发展,人工晶体越来越向低维化方向发展,本文在介绍水热法晶体生长特点和基本生长设备的基础上,重点介绍了一下水热法在生长纳米晶粒及针状晶体等低维化人工晶体的应用与发展.     

热交换法生长掺锆蓝宝石单晶及其光谱性能研究

采用热交换法(Heat-Exchange Method,HEM)生长出无色透明的掺锆蓝宝石(Zr:sapphire)单晶.通过辉光放电质谱(GD-MS)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外-可见-近红外(UV-VIS-NIR)吸收光谱、紫外-可见(UV-VIS)透过率等测试手段研究了Zr:sapphire的光谱性能.目前研究表明,采用HEM成功地将ZrO2掺入蓝宝石晶体中,掺入量可达3.3 ppm;蓝宝石晶体中掺入ZrO2后能消除晶体的F+色心缺陷,提高晶体在波长257 nm处的透过率;Zr:sapphire晶体在可见、红外波段的透过率分别为83.41％、83.20％,掺入ZrO2后蓝宝石晶体依然保持其良好的可见、红外光学性能.     

掺铈铌酸锂晶体的生长和表征

采用提拉法生长了掺Ce的同成分LiNbO3（Ce：CLN）晶体。X射线粉末衍射表明,掺杂并不影响晶体结构,其空间群为R3c。采用X射线荧光光谱分析方法,计算得到铈离子的有效分凝系数为0.4。室温下,晶体在700～3500nm波段的透过率达75%。利用X射线光电子谱（X-ray photoelectron spectroscopy,XPS）和Raman光谱分别表征了铈离子对铌酸锂的电子和声子结构的影响。XPS结果表明,铌离子仅存在纯的＋5价,铈离子由于浓度较小,未检测到信号。Raman光谱结果显示,除Ce：CLN晶体的A1（TO4）模波数和A1（TO1）模半峰宽较纯的LiNbO3晶体发生明显变化外,其余模都与其基本一致,表明铈离子主要进入晶格的Nb位置。     

用硼泥制备大尺寸氧化镁单晶及其性能研究

介绍用废渣硼泥制取高纯氧化镁粉末来制备大尺寸氧化镁单晶的生长方法.实验结果表明各项性能指标优良.而且,MgO原料的纯度及SiO2和CaO材料的配比与晶体生长技术是我们获得优质晶体的关键因素.同时探讨了晶体的加工和应用前景.