基体对SnO_2 UPF成膜结构的影响

对不同基体上采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法（ＤＣ－ＧＤＡＲＥ）制备的氧化锡超微粒薄膜的晶相结构进行了分析。结果表明：不同的基体对此类薄膜的生长有极重要的影响作用。     

基体以SnO2 UPF成膜结构的影响

对不同基体上采用直流气体放电话化反应蒸发沉积法（ＤＣ－ＧＤＡＲＥ）制备的氧化锡超微粒薄膜的晶相结构进行了分析。结果表明：不同的基体对此类薄膜的生长有极重要的影响作用。     

SnO_2／ZnO UPF的复数阻抗谱研究

对超微粒ＳｎＯ２／ＺｎＯ复合薄膜进行了复数阻抗谱法的分析研究。用实验验证了所提出的内部模拟等效电路，并利用表面科学理论加以定性解释，为超微粒子复合薄膜的气敏机理和导电机理的进一步研究提供了新的实验依据。     

电场对SnO_2/ZnO UPF的电性质及气敏性质的影响

研究了用直流气体放电活化反应蒸发沉积法技术制备的超微粒子复合薄膜的电学性质及气敏性质，并对其作用机理进行了分析解释．     

掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜，然后在高于450℃条件下进行氧化、热处理（玻璃衬底）获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800℃温度条件下进行液态源掺杂，获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明，掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善，有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻，同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善。     

稀土La掺杂SnO_2薄膜气敏特性

用真空热蒸发两步法在玻璃衬底制备SnO2和La掺杂SnO2薄膜。研究氧化、热处理工艺和La掺杂含量对SnO2薄膜结构、气敏特性的影响。结果显示:经T=550℃,t=45 min氧化、热处理后,得到n型金红石结构SnO2薄膜。适当掺La可改善SnO2薄膜结晶状况,掺La后SnO2薄膜对气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善,在气体体积分数为1×10-2时,掺La(5%)的SnO2薄膜对乙醇的灵敏度为12;掺La(3%)的SnO薄膜对丙酮的灵敏度可达到14。     

SnO_2/ZnO双层膜的表面界面及气敏特性

用溅射法制备了SnO_2/ZnO薄膜,采用XPS,AFS,SEM,等手段研究了薄膜的表面及界面,发现在薄膜中,锌与锡存在不同深度的相互扩散,从SEM的断面观察可看到有一个明显的界面存在。XRD分析则表明:ZnO极易沿(002)面择优取向生长。并且SnO_2/ZnO膜具有良好的气敏性质。     

SnO_2-ZnO复合膜特性研究

用真空蒸发的方法,在1.33×10-3Pa的真空中,蒸发SnO2,ZnO获得超微粒结构的SnO2-ZnO复合膜。当复合膜中ZnO质量分数为20%时,SnO2-ZnO复合膜对乙醇气体的灵敏度为40,膜的方电阻值也较低,为0.01×103Ω/□。复合膜经热处理后,其电学性能也得到改善,当温度t=600℃时,ZnO质量分数为20%的SnO2-ZnO复合膜热处理后,其膜对乙醇气体有较高的选择性,灵敏度为60。当t=400℃时,对掺有Sb2O5质量分数为450×10-6,ZnO质量分数为20%的SnO2-ZnO复合膜进行热处理,其方电阻仅为0.003×103Ω/□,具有优良的导电性能。     

磁控溅射纳米SnO_2薄膜的气敏特性

采用磁控溅射制备SnO2薄膜气敏元件,测试了气敏元件的性能,研究了SnO2薄膜气敏元件薄膜厚度、元件加热功率和环境温度和湿度对元件的影响,气敏元件具有很好的灵敏度和选择性特性,对其敏感机理进行了探讨。     

SnO_2/SiO_2双层薄膜的湿敏特性

本实验是在单晶硅片上热生长一层ＳｉＯ２，然后用真空淀积的方法获得一层超微粒ＳｎＯ２薄膜，通过对ＳｎＯ２／ＳｉＯ２薄膜电阻与相对湿度关系的测试，发现阻湿的线性特性和灵敏度明显优于ＳｎＯ２薄膜和ＳｉＯ２薄膜，测湿范围明显展宽。     

超微粒锌、锡氧化物薄膜的阻温特性

报道了锌、锡氧化物超微粒子薄膜的阻温特性，并根据氧表面吸附模型和截流子穿越势垒理论对其结果加以解释。     

UKF、PF与UPF跟踪性能的比较

无迹卡尔曼滤波器(UKF)是用一系列确定样本来逼近状态的后验概率密度,对任何非线性高斯系统都有较好的跟踪性能。粒子滤波器(PF)是用随机样本来近似状态后验概率密度函数,适用于任何非线性非高斯系统,但当似然函数出现在转移概率密度函数的尾部或者在高精度测量的场合,PF的跟踪性能降低。针对强非线性、非高斯系统、高精度测量的环境,文中提出采用UPF算法进行跟踪,并对PF、UKF和UPF三种跟踪算法进行了仿真,结果表明,UPF的跟踪精度要远高于PF、UKF的精度。     

超微粒氧化锌薄膜的制备及表面STM观测

作者在大气、常温环境条件下，对采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的超微粒氧化锌薄膜的表面构象进行了扫描隧道显微镜观察，获得了一些用传统电子显微镜所难以观察到的新现象，并结合工艺条件对其构象作了一定程序的解释，提出了热处理对其表面构象的影响。     

电场对二氧化锡纳米薄膜电性质 和气敏性质的影响

本文研究了用直流气体放电活化的反应蒸发制备的二化锡纳米薄膜的表面性质、电学性质以及气敏性质，重点研究正反向电场对其电学性质和气敏性质的影响，从理论上探讨了它的气敏机理。     

ZnO/SnO2双层膜的结构及敏感特性研究

将ＳｎＯ２及ＺｎＯ粉末压制成靶材，采用溅射衍制备了ＺｎＯ／ＳｎＯ２双层薄膜，用ＸＰＳ，ＸＲＤ，ＳＥＭ等手段对制得的薄膜进行分析测试，发现双层膜表面有一定量的吸附氧存在，双层膜中锌、锡有一定的相互扩散，比较了单层ＳｎＯ２及ＺｎＯ膜与双层膜的气敏特性，结果表明双层膜在灵敏度及选择性方面都优于单层膜。     

Structural, optical and electrical properties of CdO/Cd(OH)2 thin films grown by the SILAR method

Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) was used to form Cd(OH)₂ thin films from aqueous cadmium–ammonia complex on glass substrates at room temperature and the thermal annealing effect on thin films was studied. The as-deposited films were annealed at 200, 300 and 400 °C for 1 h in an oxygen atmosphere for conversion from Cd(OH)₂ to CdO and change in the structural, optical and electrical properties of the films and the effect of the light on the electrical properties of the films were investigated. The structural and surface morphological properties of the films were studied using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). It was found that Cd(OH)₂ phase is converted into the cubic CdO films by annealing. The band gap energy values of films decreased from 3.59 to 2.13 eV through increasing annealing temperature. It was found that the current increased with increasing light intensity and CdO films were more conductive than the as-deposited films.