自对准结构α－Si：HTFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制各自对准结构的α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－ＳｉＴＦＴ。它可以有效地提高自对准α－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的开态Ｉ＿（ＯＮ），其通断电流比Ｉ＿（ＯＮ）／Ｉ＿（ＯＦＦ）＞１０￣５。     

自对准结构α—Si：H TFT特性的分析和研究

本文描述了用自对准工艺制备自对准结构的αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ。从理论上分析了有源层α－Ｓｉ：Ｈ的厚度对α－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，据此提出一种新型的双有源层结构的α－Ｓｉ ＴＦＴ。它可以有效地提高自对准αＳｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态ＩＯＮ，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ＞１０＾５。     

a－SiN∶H的退火处理及其对a－Si∶H TFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响．实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理使ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ特性变坏．     

高性能a-Si:H TFT开关器件的研制

介绍了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ开关器件的有源层、栅绝缘层、欧接触层以及界面特性的研究工作。研制了ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ单管器件,其开关电流达到６个数量级,为最终研制ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴＡＭＬＣＤ在奠定了坚实的基础。     

a—SiN：：H的退火自理及其对a—Si：HTFT性能与可靠性的影响

研究了ａ－ＳｉＮ：Ｈ的退火行为及其作为栅介质使用时，退火对ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ工作特性和可靠性的影响，实验事实表明，在３８０℃以下的退火处理ａ－ＳｉＮ：Ｈ介电常数的变化呈单调上升趋势，对ａ－ＳｉＮ：Ｈ ＴＦＴ的工作特性和可靠性有明显的改善，温度进一步升高时，介电常数减小，ａ－Ｓｉ：ＨＴＦＴ的特性变坏。     

VLSI中CVD二氧化硅膜的淀积

介绍了大规模集成电路中两种ＣＶＤ二氧化硅膜的淀积，并对这两种二氧化硅膜的淀积方式及其性能进行了比较。指出ＴＥＯＳ淀积方式，是今后集成电路中ＳｉＯ２淀积的主流工艺。     

a—Si：H TFT自对准工艺的研究

实验研究了自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的制备工艺，对其中关键的底部曝光和顶胶工艺进行了详细的研究和分析，对制备工艺和结构参数进行了合理的优化，成功地制备出自对准结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ。对影响自对准结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的主要因素进行了详细的分析，提出了一种新颖的双有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ，可以有效地改善ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的开态特性，其通断电流比ＩＯＮ／ＩＯＦＦ〉１０＾５。     

氩离子轰击对射频溅射法制备的a-SiC∶H膜退火形成6H-SiC的影响

本文对射频溅射法淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜热退火形成６Ｈ－ＳｉＣ相进行了研究．我们采用红外透射谱、喇曼背散射谱和Ｘ光衍射谱来研究退火形成６Ｈ－ＳｉＣ的过程．在较高的射频功率下淀积的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜经８００℃６０分钟等时退火后转变为６Ｈ－ＳｉＣ相，该温度低于在低功率下制备的ａ－ＳｉＣ∶Ｈ形成６Ｈ－ＳｉＣ的温度（１０００℃）．高功率可导致６Ｈ－ＳｉＣ形成温度的降低与膜中硅及石墨团簇的消失，同时高能量的氩离子轰击可使膜中氢含量减少及各组分均相．通过改变射频功率，本文研究了氩离子轰击对ａ－ＳｉＣ∶Ｈ膜及形成６Ｈ－Ｓｉ     

Si—Si3N4—SiO2钝化工艺及其应用

介绍了ＬＰＣＶＤ法Ｓｉ３Ｎ４膜与ＰＥＣＶＤ法ＳｉＯ２膜的淀积工艺，以及Ｓｉ－Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用，并指出了工艺的适用范围。     

a—Si：H TFT有源矩阵制造技术的研究

对ａ：Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵的一些关键制造工艺进行研究。研究了Ｔａ２Ｏ５／ａ－ＳｉＮｘ双绝缘层的制备技术，提出了一种新的双有源层结构ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ来降低背光源对器件特性的影响，研制的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ有源矩阵实现了彩色视频信号的动态显示。     

光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用

介绍了光化学汽相淀积法的原理以及ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律，特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜，Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。     

用离子束辅助淀积多层薄膜技术合成Co－Si化合物薄膜的研究

本文通过离子束辅助淀积（ＩＢＡＤ）与真空淀积多层膜技术相结合，淀积合成Ｃｏ－Ｓｉ薄膜，ＲＢＳ和ＸＲＤ分析表明：在无离子束轰击条件下利用电子束蒸镀Ｃｏ／Ｓｉ多层膜，得到的是由α－Ｃｏ与非晶Ｓｉ组成的薄膜．薄膜与Ｓｉ（１１１）基底及多层膜各层之间没有明显的相互扩散，而用复合方法镀制的薄膜与Ｓｉ基底以及各层之间都产生了混合和扩散，并已有ＣＯ２Ｓｉ、ＣｏＳｉ相生成．７５０℃退火３０分钟后，无轰击样品只在硅基底与薄膜界面处产生明显的反应和扩散，而复合方法该制的样品则形成均匀的ＣｏＳｉ２薄膜。     

超高真空化学气相淀积法生长的n-Si/i-p~+-i SiGe/n-Si结构的透射电镜和二次离子质谱分析

本文用透射电镜（ＸＴＥＭ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）分析了由超高真空化学气相淀积法（ＵＨＶＣＶＤ）生长的ｎ－Ｓｉ／ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ／ｎ－Ｓｉ结构，发现在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时，在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处存在一个很薄的层，但在ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ上外延生长Ｓｉ时，无此现象产生．此薄层是由在硅上外延生长ｉ－ｐ＋－ｉＳｉＧｅ时硼原子聚集在靠近Ｓｉ的ｉ／ｐ＋ＳｉＧｅ界面处形成的高掺杂薄层．高掺杂的薄层影响由此结构制备的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的ＢＣ结的正向导通电压．     

高性能a-Si∶HTFT开关器件的研制

介绍了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 开关器件的有源层、栅绝缘层、欧姆接触层以及界面特性的研究工作。研制了 ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ 单管器件， 其开关电流比达到 ６ 个数量级， 为最终研制ａ Ｓｉ∶ Ｈ Ｔ Ｆ Ｔ Ａ Ｍ Ｌ Ｃ Ｄ 视频图像显示器奠定了坚实的基础。     

a－SiFET电流－电压特性研究

本文对ａ－ＳｉＦＥＴ的电流－电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入ａ－Ｓｉ隙态密度分布的具体假设模型，采用合理的数学方法，推导出ａ－ＳｉＦＥＴ电流－电压关系的解析表达式，对ａ－ＳｉＦＥＴ电流－电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合，为ａ－ＳｉＦＥＴ的理论分析开辟了一条新途径。     

衬底温度对VUV光直接光CVD SiO2／Si界面缺陷的影响

研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃￣１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ＾－１增加到１０８０ｃｍ＾－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ〉１２０℃后，呈正电性，与位于３．１０ｅＶ的氧空位缺陷相关；在Ｔｓ〈１００℃一侧，呈负电性，与２．８４ｅＶ能级位置     

a—SiFET电流—电压特性研究

本文对ａ－ＳｉＦＥＴ的电流－电压特性的理论研究提出一种新的方法。其不需要引入ａ－Ｓｉ隙态密度分布的具体假设假设模型，采用合理的数学方法，推导出ａ－ＳｉＦＥＴ电流－电压关系的解析表达式，对ａ－ＳｉＦＥＴ电流－电压特性进行合理的解释。并且理论分析结果与实验结果能很好符合，为ａ－ＳｉＦＥＴ的理论分析开辟了一条新途径。     

非晶硅缓冲层在具有Al2O3门绝缘子的多晶SiGeTFT中的作用

ＳｉＧｅ合金具有较高的载流子迁移率与较低的结晶温度,比Ｓｉ更适合用作薄膜晶体管（ＴＦＴ）。最近,我们已证实,利用Ａｌ２Ｏ３作多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的门绝缘子,可使界面得到显著改善。虽然已经证明,由Ｓｉ缓冲层的高温氧化形成的ＳｉＯ２可改善界面质量,但是还不清楚在ＳｉＧｅ有源层与Ａｌ２Ｏ３门电介质之间插入一α－Ｓｉ缓冲层能否进一步提高界面的质量。在本研究中,对于有、无α－Ｓｉ缓冲层的多晶ＳｉＧｅＴＦＴ的性     

薄有源层非晶硅薄膜晶体管特性的研究

本文研究了薄ａ－Ｓｉ：Ｈ有源层结构的ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ的特性，实验结果表明，当ａ－Ｓｉ：Ｈ层的厚度小于一个临界值时，ａ－Ｓｉ：Ｈ厚度的变化对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ静态特性的影响明显增大，本文中详细分析了有源层背面空间电荷层对ａ－Ｓｉ：Ｈ ＴＦＴ特性的影响，从表面有效空间电荷层的概念出发，从理论上分析了有源层厚度与阈值电压的关系，计算的临界有源层厚度为１３０ｎｍ，这与实验结果基本一致。     

用SIPOS-SiO2复合层对4H-SiC n+pp+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）－ＳｉＯ２复合层作为４Ｈ－ＳｉＣｎ＾＋ｐｐ＾＋结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用ＳｉＯ２钝化的不足。在ＬＰＣＶＤ淀积ＳＩＰＯＳ层后,用９００℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在ＳＩＰＯＳ层上生长了一层ＳｉＯ２。实际测量证实了这种新方法的合理性,分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出：在淀积ＳＬＰＯＳ层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高,用此方法钝化的４Ｈ－Ｓ