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本文论述在常压CVD硅外延系统中,通过e_qP=B-A/T,分别计算出SiH-Cl_3、PCl_3和BCl_3的A和B二常数值。采用低温深冷工艺,进一步提高硅源的纯度,通过控制SiHCl_3的蒸汽压,在晶向为(111)和(100),掺硼电阻率(4~8)×10 ̄(-3)Ω·cm的抛光衬底硅片上,生长出外延层电阻率为350Ω·cm(杂质浓度3.5×10 ̄(13)/cm ̄3),外延层厚度达120μm的p/p ̄+/硅外延片,制成器件的击穿电压可达1000V。 相似文献
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测量了ZnSe,Zn0.84Mn0.16Se合金和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格的10~300K的变温光致发光谱.发现ZnSe的带隙在10K时比Zn0.84Mn0.16Se合金的带隙小,而在300K时比合金的带隙大.预计ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转.在ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近.超晶格中Zn0.84Mn0.16Se层的应变可能是反转温度变低的原因. 相似文献
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ZnSe制备技术研究进展 总被引:4,自引:0,他引:4
ZnSe是一种很有应用前景的半导体光电材料,得到了广泛的关注,制备高质量的ZnSe已成为光电技术领域重要的研究课题之一,本文详细叙述了近年来ZnSe的各种制备技术的研究进展及其特点。 相似文献
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在ZnSe/GaAs外延层中观察到完全的不完全的层锚四面棱锥体,层错梯形和层错管。本文提出一个模型:虽然这些层错的几何形状不同,但它们都起始于同一个源-界面处Se二聚体链构成的矩形环。 相似文献
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ZnSe是一种很有应用前景的半导体光电材料,得到了广泛的关注,制备高质量的ZnSe已成为光电 技术领域重要的研究课题之一.本文详细叙述了近年来ZnSe的各种制备技术的研究进展及其特点. 相似文献
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物质减薄到和原子差不多的厚度时,将出现许多新的特性。利用它可以开发出各种新的半导体元件和各种人工材料。原子层外延技术便是实现物质这种减薄的方法,本文将介绍它的现状和展望。 相似文献