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相似文献
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聚酰亚胺LB绝缘薄膜的制备及表征   总被引:4,自引:0,他引:4  
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最子尺度结构薄膜的进展:纳米半导体薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
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由于光电子器件的迅速发展,对光电子器件应用的薄膜提出了很高的要求。本文简要地论述了光电子薄膜制备技术的重要进展,同时扼要地介绍了本实验室在这方面所开展的初步工作。  相似文献   

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用溅射的方法来制备ITO膜已应用于平板显示技术,特别是高速磁控溅射技术的出现,又使ITO膜实现大量生产成为可能。本文详细论述了ITO膜生产线的设计要点,总体方案及其技术性能,并分析了各种工艺参数对ITO膜的透光率、面电阻等主要技术指标的影响。  相似文献   

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硬质薄膜附着力的研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
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片式化薄膜无源元件蜂拥入市   总被引:1,自引:0,他引:1  
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薄膜材料     
光学薄膜技术是在1940年以后随着真空蒸镀法的发展开始普及的.进入六十年代,随着电子枪的发展,其应用领域进一步扩大.装置的进展,促使光学薄膜所用材料也从低熔点的金属和氟化物、硫化物等向高熔点的氧化物方向发展.跨入七十年代,光学薄膜也与其他的领域同样向高功能化、多功能化方  相似文献   

12.
本文叙述了化学气相沉积金刚石薄膜过程中,金刚石在光滑非金刚石衬底表面的成核行为,讨论了目前用于提高金刚石成核密度的一些典型方法的优点和不足。  相似文献   

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纳米硅薄膜分形凝聚模型   总被引:8,自引:3,他引:5  
从分析纳米硅(nc-Si:H)薄膜生长过程的特点出发,提出与扩散限制凝聚(DLA)模型不同的nc-Si:H薄膜分形凝聚模型:扩散与反应限制凝聚(DRLA)模型.获得的结果与实验结果符合得很好.nc-Si:H薄膜是利用等离子体增强气相淀积方法制备的.文中讨论了nc-Si:H薄膜的结构特点与分形凝聚之间的关系.  相似文献   

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钱文生  刘融 《电子器件》1997,20(1):715-719
本文研究了利用YSZ膜作缓冲层Si衬底上溅射BSCCO高温超导薄膜的生长工艺,分析了生长条件对Bscco高温超导相的影响,并提出了YSZ/Si上制备相BSCCO膜的工艺参数。  相似文献   

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跨世纪信息领域中的新型薄膜半导体材料   总被引:2,自引:0,他引:2  
  相似文献   

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本文先简单的介绍TN型LCD的显示原理和结构而后再叙述了NCAP液晶薄膜的结构、特点、显示原理及其应用。  相似文献   

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本文对红外探测器进行理论分析的基础上,设计并研制了液氮温度下的GdBa2Cu3O7薄膜红外探测器,系统地测试了器件的特征参数。  相似文献   

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在热—冷利用中的能效薄膜   总被引:1,自引:0,他引:1  
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