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在沿介质线的180×300mm~2的大范围内,行波产生了2.45GHz 的均匀有源微波等离子体。氩(Ar)等离子体的亮度温度在644±17℃以内。在200帕的气压下,电子温度和密度相应为4eV 和4×10~(11)cm~(-3),与小微波等离子体发生器具有相同的数量级。能容易地扩大等离子体面积。 相似文献
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低温等离子体处理技术在印刷电路板上的应用 总被引:4,自引:0,他引:4
毛志勇 《电子工业专用设备》2003,32(2):75-76
表面改性在最近10年中得到了很大的注意,并开发了新的应用场合。这种方法只改变表面性质而不改变内在性质。由于大量聚合物的应用代替了传统的材料。低压等离子体处理是解决聚合物表面改性一项很有前途的方法。等离子技术是一种干燥、环保和低成本的方法,将表面极细微地进行改性,无须人工操作或利用化学品。1低温等离子技术等离子体是包括离子、电子和中子等物质部分离子化的气体。在真空状态下,等离子作用是在控制和定性方法下能够电离气体。利用真空泵将工作室进行抽真空达到2~3Pa的真空度,再在高频发生器作用下,将气体进行电离,形成等… 相似文献
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理论分析表明,深孔中的等离子体向外喷出时,电子和正离子具有不同的热运动速度,电子速度约为正离子速度的50倍,从而在激光喷嘴和工件间形成一电位差.将喷嘴和工件短路则可产生一等离子体电流,其大小约为10-1 mA量级.在该回路中串联一外加电源,等离子体电流随外加电源电压增大呈线性增大.加入一垂直于激光束方向的磁场,则带电粒子受一侧向电磁力作用而被加速运动离开激光束.
实验采用焊接过程中提升喷嘴的方法,加入辅助电磁场进行焊接可使深熔焊焊缝长度增加,表明驱除熔池上方等离子体后激光效率获得提高.随激磁电流(磁场强度)增大,深熔焊长度增大.随外加电压(电场强度)增大,深熔焊长度在25V外加电压时,达到最大值,过低和过高的外加电压都减小深熔焊长度的增加量.(OE10) 相似文献
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本工作利用光学发射光谱技术对TEACO2激光诱导SiH4等离子体反应碎片的时间特性进行了测量,分析了碎片的产生和反应机制。提出碎片Si,Si^+等主要为一级反应产物,Si2,SiH等主要为二级的产物的结论。对Si390.6mm,SiH412.8mm谱线随实验条件变化的测量,进一步验证了我们的结果。 相似文献
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无声放电等离子体及其应用 总被引:11,自引:0,他引:11
无声放电等离子体是一种非平衡态子体,它可用于等离子体化学、紫外与真空紫外光源以及气体激光器激励等方面。本文将概要介绍无放电及其应用的研究进展。 相似文献
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低温等离子消毒技术因其具有快捷、安全和高效率等优点受到国内外广泛研究,而等离子体的电源在很大程度上又影响着等离子体发生器的性能。针对等离子体高压电源的特殊要求,本文将SPWM脉宽调制技术应用到等离子体发生器电源的设计中,研制了一款原理简单、控制和调节性能好,具有消除谐波、调节和稳定输出电压等诸多特点的单相输出电压可调、频率连续可调的新型等离子体高压电源。 相似文献
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用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术 总被引:6,自引:1,他引:5
针对在MEMS加工中所要求的低温键合,提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温SDB的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的SDB提高近10倍的结论。最后详细探讨了其键合机理。 相似文献
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本文报道一个新的激光与等离子体相互作用的宏观理论.根据宏观流体动力学的双流体模型,计算机数值模拟的结果表明,由于激光等离子体密度条纹的产生和衰减的周期性导致了入射激光反射率的周期性变化,说明激光与等离子体的相互作用过程不是连续的.该理论能成功地解释近年来的实验结果.利用宽频带激光打靶和无规位相片可以抑制密度条纹,提高激光能量向等离子体输运的效率. 相似文献
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等离子体对低温定向生长碳纳米管的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
利用负偏压增强热丝化学气相沉积在低衬底温度(550℃)下催化生长了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它的生长过程,发现低温下碳纳米管能否定向生长依赖于等离子体功率,同时还发现碳纳米管在压强太低时不能够生长.结合有关理论分析,结果表明,当等离子体功率较大时,等离子体形成的强电场对催化剂颗粒的作用导致了碳纳米管的定向生长;而低压下碳纳米管不能够生长是由于碳粒子扩散太快的缘故. 相似文献