一种带有改进的25%占空比本振产生电路的WCDMA/GSM高线性度接收机射频前端分析与设计

本文提出了一种满足WCDMA/GSM系统要求的全集成接收机射频前端。WCDMA模式下无需声表面波滤波器。为了提高包括IP3和IP2指标在内的线性度性能,射频前端包括电容减敏的多栅低噪声放大器、带有本文提出的IP2校准电路的电流模式无源混频器以及似Tow-Thomas结构的双二阶可重构跨阻放大器。本文提出了一种新的低功耗、低相噪、可产生四相25%占空比本振信号的多模分频器。同时,本文通过采用带有片上电阻的恒定gm偏置电路,减小工艺和温度对转换增益的影响。本文中的射频前端电路集成在一个0.13um CMOS工艺下实现的带有片上频率综合器的接收机中。测试结果显示,在这个高线性度射频前端的帮助下,对于所有的模式和频带,接收机可以获得-6dBm的IIP3和至少 60dBm的IIP2。     

一种高线性度CMOS有源混频器的设计

设计了一个用于数字电视ZERO-IF结构接收机射频前端的CMOS下变频混频器。基于对有源混频器的噪声机制及线性度的物理理解,对传统的有源混频器电路采用电流注入技术,实现了增益,噪声和线性度折中。电路采用UMC0.18RFCMOS工艺实现,SSB噪声系数为18dB,1/f噪声拐角频率100kHz。电压转换增益为5dB和8dB两档增益,输入1dB压缩点为0dBm,IIP3为15dBm（5dB增益）,7dBm（8dB增益）。全差分电路在1.8V供电电压下的功耗不到7mW,可以满足数字电视零中频结构射频前端对高线性度、低闪烁噪声和可变增益的要求。     

一种新型超高频射频识别射频前端电路设计

设计了一种低功耗高线性度的新型超高频射频识别射频前端电路.在LNA的设计中,通过在输入端采用二阶交调电流注入结构以提高线性度,在输出端采用开关电容结构以实现工作频率可调;在混频器的设计中,在输入端采用同LNA相同的方法以提高线性度,而在输出端采用动态电流注入结构以降低噪声.该电路采用0.18μmCMOS工艺,供电电压为1.2V,仿真结果如下:输入阻抗S11为-23.98dB,IIP3为5.05dBm,整个射频前端电路的增益为10dB.     

一种低噪声高线性度CMOS上变频混频器

设计实现了一种采用开关跨导型结构的低噪声高线性度上变频混频器,详细分析了电路的噪声特性和线性度等性能参数,本振频率为900 MHz。芯片采用0.18μm Mixed signal CMOS工艺实现。测试结果表明,混频器的转换增益约为8 dB,单边带噪声系数约为11 dB,输入参考三阶交调点(IIP3)约为10.5 dBm。芯片工作在1.8 V电源电压下,消耗的电流为10 mA,芯片总面积为0.63 mm×0.78 mm。     

433MHz ASK接收机射频前端电路设计

设计了一款应用在433MHz ASK接收机中的射频前端电路。在考虑了封装以及ESD保护电路的寄生效应的同时,从噪声、匹配、增益和线性度等方面详细讨论了低噪声放大器和下混频器的电路设计。采用0.18μm CMOS工艺,在1.8V的电源电压下射频前端电路消耗电流10.09 mA。主要的测试结果如下:低噪声放大器的噪声系数、增益、输入P1dB压缩点分别为1.35 dB、17.43 dB、-8.90dBm;下混频器的噪声系数、电压增益、输入P1dB压缩点分别为7.57dB、10.35dB、-4.83dBm。     

一种多频带高线性度CMOS单边带混频器

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计实现了一种多频带高线性度的单边带(SSB)混频器。该混频器以经典的电流换向结构为基础,采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要求,并节省了面积。通过集成有源巴伦将混频器输出差分信号转换成单端信号,提高了发射机的系统集成度且有利于降低功耗。测试结果表明:在2.3～2.4 GHz及3.4～3.6 GHz工作频带内,IP1dB大于0 dBm,带内增益平坦度小于0.5 dB,本振泄漏小于-47 dBm,镜像信号抑制大于36 dB,为LTE标准的无线射频前端芯片的进一步研究提供了参考。     

一种低噪声高线性度射频前端电路设计

介绍了超高频接收系统射频前端电路的芯片设计。从噪声匹配、线性度、阻抗匹配以及增益等方面详细讨论了集成低噪声放大器和下变频混频器的设计。电路采用硅基0.8μm B iCM O S工艺实现,经过测试,射频前端的增益约为18 dB,双边带噪声系数2.5 dB,IIP 3为+5 dBm,5 V工作电压下的消耗电流仅为3.4 mA。     

用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路

提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈可以控制接收机等效输入阻抗实部与虚部的变化,进行阻抗匹配,省去了片外匹配网络。在SMIC 0.13μm CMOS混和信号工艺下进行流片。测试结果表明,核心模块的电源电压为3 V,电流为7.3 mA,混频器的转换增益为21.8 dB,输入1 dB压缩点为-5.11 dBm,IP3为4.6 dBm,芯片核心面积为0.83 mm×0.56 mm。     

用于UHF RFID读写器的射频前端CMOS混频电路北大核心CSCD

提出了900 MHz频段下射频识别(RFID)读写器芯片射频前端接收器混频器模块,给出了读写器芯片的前端混频电路结构。采用单平衡无源混频器的特殊结构,降低了载波泄漏的干扰,后级接跨阻放大器,抑制了后级电路的噪声。通过电路内部复数反馈可以控制接收机等效输入阻抗实部与虚部的变化,进行阻抗匹配,省去了片外匹配网络。在SMIC 0.13μm CMOS混和信号工艺下进行流片。测试结果表明,核心模块的电源电压为3 V,电流为7.3 mA,混频器的转换增益为21.8 dB,输入1 dB压缩点为-5.11 dBm,IP3为4.6 dBm,芯片核心面积为0.83 mm×0.56 mm。     

一种高性能宽带直接变频射频前端设计

提出一种宽带(250 MHz~4.7 GHz)无电感BiCMOS射频前端结构,包含低噪声跨导放大器(LNTA)、带电阻无源混频器和跨阻级。低噪声跨导放大器使用了噪声和线性度消除技术,例如输入交叉耦合结构、互补输入和电流复用技术。带电阻无源混频器采用退化电阻来提高线性度。仿真结果表明, 当电源电压为3.3 V时,总电流为9.38 mA, 噪声系数为9.8 dB(SSB),电压转换增益为20 dB,输入3阶交调为+11.8 dBm。     

移动IP与蜂窝IP的结合

文章介绍了一种将移动IP与蜂窝IP相结合（MIP-CIP）的系统，用仿真的方法分析了移动节点在CIP网络内部移动和网络间移动时的服务质量（QoS）性能指标，提出并比较了MIP-CIP应用的2种方案。     

接入IP

首先分析信息时代的接入特点,讨论了在ＩＰ网上承载不同业务的方法,研究了支持ＩＰ结构信号传送的方式,并说明适于ＩＰ接入的传输技术．最后介绍了ＩＴＵ－Ｔ对ＩＰ接入的研究要点。     

宽带IP网络

高速宽带化是目前 ＩＰ网络发展的主要方向和技术热点。文章阐述了宽带 ＩＰ网络的发展目标及其所涉及的关键技术,并介绍了宽带ＩＰ网络在中国的发展概况。     

IP电话与移动IP技术综述

简要介绍了IP电话的工作原理与技术方法 ,同时对支持主机和网络移动性的IP协议RFC2 0 0 2作了比较明确的阐述 ,以及该领域的现状与有关问题。     

IP网络技术发展若干问题探讨

近几年ＩＰ网络迅速发展,成为当今技术发展的热点之一。 本文简要论述了ＩＰ与ＡＴＭ的结合技术、 ＩＰ承载技术、高 速路由器、 ＩＰ ＶＰＮ以及ＩＰ电话等几项ＩＰ网络技术及其发 展情况。同时也对今后网络走向谈了几点认识。     

宽带IP城域网的建设

介绍了城域网的层次化网络结构、传输方式及关键设备，在此基础上对城域网业务进行了分析，并指出了其在IP网络上的实现方法。     

下一代无线IP移动通信网中的IP微移动性协议

与Internet无缝连接和IP基的移动性是下一代移动通信网的重要特点。为了减少移动IP中的时延和信令开销，减少包丢失，提出了支持快速、 可靠切换和IP寻呼（IP paging)的IP微移动性（micro-mobility)协议。本文研究了提交到IETF移动IP工作组（MIP WG)的几种关键IP微移动性协议，分析了协议的动机、特点，比较了性能、信令复杂度和实用性，给出了可能的优化途径。     

IP网络分组传送性能讲座 第1讲:IP网络性能参考模型

随着IP技术的发展,其应用领域不断扩大.现有的IP网络能够较好地支持非实时数据业务,为r使它也能够支持各种实时业务与多媒体业务,就必须研究和规范IP网络传送信息的性能.本讲座在研究和分析ITU-T关于IP网络性能的标准和实际解决工程技术问题的基础上,讨论和介绍了IP网络性能方面的有关内容.其中包括:IP业务性能描述的参考模型、IP业务性能测试的环境与条件、IP业务的性能参数、IP业务的可用性等.     

IP VPN—基于IP网络的虚拟专用网

ＩＰ ＶＰＮ能为用户在ＩＰ网络之上构筑一个安全可靠、方便快捷的企业专用网络，并为企业节省资金。本文从ＩＰ ＶＰＮ的概念、分类、组建ＩＰ ＶＰＮ的隧道技术，以及在ＶＰＮ上传送的数据的安全性保证等几个方面介绍了ＩＰ ＶＰＮ技术。