场发射显示器中消气剂使用的若干问题

在场发射显示器 (FED)中使用消气剂 ,是维持FED内部真空度的最主要的手段 ,对延长FED的工作寿命起着重要作用。本文首先从抽气平衡方程推导得到了检验FED漏率是否合格的判别公式 ,并从此判别公式出发 ,对真空环境和FED工作寿命之间的关系进行了计算。文中提出了一种新型的器件封装结构的方案 ,实现了蒸散型和非蒸散型消气剂 (NEG)的同时使用 ,对延长FED ,特别是大屏幕FED的工作寿命 ,起到了有益的作用     

场发射显示器中消气剂使用的若干问题

在场发射显示器（FEI）中使用消气剂，是维持FED内部真空度的主要的手段，对延长FED的工作寿命起着重要作用。本首先从抽气平衡方程推导得到了检验FED漏率是否合格的判别公式，并从此判别公式出发，对真空环境和FED工作寿命之间的关系进行了计算，中提出了一种新型的器件封装结构的方案，实现了蒸散型和非蒸散型消气剂（NEG）的同时使用，对延长FED，特别是大屏幕FED的工作寿命，起到了有益的作用。     

非蒸散型锆-铝16合金消气剂的研制及在电真空工业中的应用

前言 消气剂是一种装在电真空器件内用来吸收管子封离后的残余气体,以及吸收管子工作时放出的气体的材料。它是电真空器件中的重要部件,对于提高管内真空度,延长寿命及高度可靠的工作起着重要的作用。 消气剂分为蒸散型和非蒸散型二种。蒸散型消气剂是利用蒸散或阴极真空喷镀而生成薄膜镜面用以吸附气体。属于这类消气剂的有Ba-Al,Ba-Ti,Ba-Mg,Ba-N,Ba—Al—Ni等。非蒸散型消气剂是一种容积消气剂,通过整个容积的化学吸附来吸收气体,使用时必须激活才能有效吸气。属于这类消气剂的有Zr—Al,Zr—Ti,Zr—C等合金。其中以Zr—Al合金应…     

APC-自动压强控制器在蒸散式吸气剂S、Q测试中的应用

引言 蒸散型吸气剂早在五十年代我国已广泛用于电真空器件的制造工艺。随着我国科学技术的发展,尤其近年来电视技术的飞跃发展,对蒸散型吸气剂性能提出了越来越高的要求。为推动我国消气剂工业的发展,为配合消气剂研究工作和消气剂产品质量鉴定的需要以及弥补引进检测仪器的不足,创造一套蒸散式吸气剂S、Q性能测定技术是十分必要的。但是,要建立一套较合理的蒸散式吸气剂 S、 Q性能测试装置涉及不少问题。如注入气体的纯度、传递污染及检测;压强的恒定方式及测量误差;隔离伐的密封性能;标准流导大小;真空过渡过程及吸气剂蒸散的工艺条件等…     

消气剂与残气

一、前言 消气剂是由吸气性能好的金属同某些金 属混合冶炼成特制的合金材料,后经破碎、 球磨、筛粉、混料、压制成型而制成。 消气剂技术发展非常迅速,其应用领域很广。如太阳能、核反应堆、核聚变装置和 电子工业的各行业。尤其电真空器件,消气剂 已成为一个不可缺少的零件。如非蒸散型消气剂应用于磁控管、功率管、扫描变象管、真空开关管、存储管、高压整流管、光电倍增管、气体激光管、显示器件和放电灯等;蒸散型消气剂应用于黑白和彩色显象管中以及各类示波管、收讯放大管、高压钠灯等。利用消气剂对活性气体具有良好的吸气性能,改善…     

MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述

MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易产生微小颗粒污染。在器件的真空腔室内镀上吸气剂薄膜,吸气剂薄膜在器件高温键合的同时被激活,就可在后期维持真空腔内的真空度。非蒸散型吸气剂薄膜激活后在室温下即具有优异的吸气性能,应用于MEMS器件真空封装可以提高器件的寿命和可靠性。目前,提高非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能,降低其激活温度是国内外研究的焦点。本文简要介绍了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气原理,从膜系材料和制备技术两方面分析了国内外研究现状。在膜材料方面,目前采用ⅣB族+ⅤB族组合的三元合金作为非蒸散型吸气剂薄膜的膜系材料。另外,在材料中掺入Fe、稀土元素等进行薄膜结构的修饰也是较常用的手段。值得指出的是,TiZrV合金薄膜是兼具较好的吸气性能和最低激活温度的非蒸散型吸气剂(NEG)薄膜。在制备技术方面,MEMS器件用非蒸散型吸气剂薄膜一般采用磁控溅射镀膜,磁控溅射镀膜工艺的关键是制备出柱状的纳米晶结构,该结构存在大量的晶界,可促进原子的扩散,降低激活温度。磁控溅射镀膜工艺的研究围绕靶材选择、基片温度、溅射电压、溅射气氛等。探索综合性能更优的新型材料体系和增大薄膜的比表面积仍然是目前非蒸散型吸气剂薄膜研究的关键。本文最后对非蒸散型吸气剂薄膜的研究趋势进行了展望,指出加入调节层的双层膜的激活性能和吸气性能优于单层膜,但调控机理有待明确,今后可以在TiZrV薄膜研究的基础上进一步进行双层薄膜的研究,也可横向拓展进行新型薄膜体系,如ZrCoRE等新型合金薄膜的研究。     

对国产非蒸散型消气材料锆─铝_(16)的测试

为了赏试在大功率发射管中使用非蒸散型消气剂，我们对北京有色金属研究院试制的锆－铝１６合金的消气性能指标作了初步测试。本文报导用定容法测量消气速率和吸气容量的实验方法和实验结果，并介绍了把锆－铝１６应用于大功率发射管的设想。     

st424蒸散型消气剂吸气性能的测试

本文介绍彩色２２时显象管用消气剂ｓｔ４２４的吸气性能的测试方法、过程和数据处理。通过测试可以判断该种消气剂吸气性能的好坏。此装置是按照美国ＡＳＴＭ标准建立起来的，测试数据可靠．只要更换一下模拟试验玻壳就可测试其它蒸散型ｓｔ４０６、ｓｔ２２４／１３Ｌ、ｓｔ２２４／１２Ｌ消气剂的吸气性能。它正控制着我们厂消气剂的正常生产。确保生产出来的产品有良好的吸气特性和稳定性。     

非蒸散消气剂吸气性能的测试

本文主要介绍使用压差法测量非蒸散消气剂吸气性能的测量装置、测试原理、测试技术和数据处理。最后，对测试误差的来源及减少或避免误差的因素进行了讨论．实践证明，利用此测试装置测量非蒸散消气剂及其它吸气材料的吸气性能，可以得到满意的结果．     

非蒸散型吸气剂的研究进展北大核心CSCD

首先从Zr基非蒸散型吸气剂和Ti基非蒸散型吸气剂这两大分类介绍了非蒸散型吸气剂的发展历程,并比较了Zr、Ti基非蒸散型吸气剂的优缺点,然后从制备与改性方法两个方面,对非蒸散型吸气剂的研究现状进行系统性的介绍,并对非蒸散型吸气剂未来的研究方向进行了展望。研究发现,Zr、Ti基非蒸散型吸气剂的特性导致两者在主要的应用领域有所不同,两者的改性研究方向也有所不同。Zr基非蒸散型吸气剂未来的研究方向应集中在多种改性相结合的方法来扩展锆钒铁合金的应用领域和探索新型锆钒铁合金,Ti基非蒸散型吸气剂未来的研究重点应集中在改进其成膜工艺,或者探究新型的成膜法以代替传统的成膜法。值得注意的是降低Zr、Ti非蒸散型吸气剂的平台压没有引起足够的重视。     

Stable field emission performance of SiC-nanowire-based cathodes

In this paper we report the fabrication and testing of diode-type low-voltage field emission display (FED) devices with SiC-nanowire-based cathodes. The SiC-nanowire FEDs (flat vacuum lamps) were characterized by low emission threshold fields (～2?V?μm(-1)), high current density and stable long-term performance. The analysis of field emission data evidenced that the Schottky effect would have a considerable influence on the field emission from nanowire-based samples, leading to the true values of the field enhancement factor being significantly lower than those derived from Fowler-Nordheim plots.     

Fabrication of high aspect ratio silicon micro-tips for field emission devices

The evolution of higher order {221} and {331} crystal planes during corner undercutting in the anisotropic etching of (100) silicon is discussed, and the occurrence of highly vertical (72.5°) {311} planes unique to KOH etches are demonstrated. Using a combined etching technique, very high aspect ratio micro-tips are formed and their distinct advantages for vacuum microelectronics and field-emission devices (FED) are described. This revised version was published online in November 2006 with corrections to the Cover Date.     

Present and future of vacuum fluorescent display and field emission display

With the advancement of electronics, the role of a display as an interface between man and machine becomes increasingly important. Color liquid crystal displays (LCDs) used for personal computers as alternatives to color cathode ray tube (CRT) displays have helped enhance market awareness of flat-panel displays. Among the flat-panel displays of various types used in many ways, emissive displays hold a key position. This paper explains the vacuum fluorescent display (VFD) and the field emission display (FED) in terms of their current technical aspects and their future.     

场发射平板显示器件的进展

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。     

光电平板显示屏的实验研究

为克服场发射电子源在平板显示屏中存在的不稳定性和不均匀性问题 ,研制了以光电发射源替代场致发射源的光电平板显示屏。本文介绍了光电平板显示屏的结构 ,并对显示屏的组成部分进行了分析讨论     

基于碳纳米管薄膜构建场发射平面显示器的阴极结构

碳纳米管场发射平面显示器具有工作电压低、功耗低和制造成本低等优势,近年来基于碳纳米管场发射平面显示器的研究与应用研发已成为显示技术领域研究的热点之一,并已取得丰富成果。简要回顾了碳纳米管用于场发射的机理以及用于场发射平面显示器的优势,主要介绍了碳纳米管用于场发射平面显示器研究的一些进展和一些亟待解决的问题,包括碳纳米管阴极薄膜的制备、碳纳米管阴极工作稳定性与寿命的改进以及阴极结构的设计等,并展望了碳纳米管用于场发射平面显示器的发展前景。     

Evaporation Ripped Metallurgical Pore in Electron Beam Freeform Fabrication of Ti-6-Al-4-V

A rare metallurgical pore, which has near-spherical contour with ripped inner surface characteristics, is found in Ti-6-Al-4-V deposits during vacuum electron beam freeform fabrication. The pores are characterized with scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectrometry (EDS) in the experiments. The EDS results indicate the mass fraction of Al element reduces to 3.8% on the inner surface of the pore due to evaporation loss. It is shown that the formation of the ripped surface profile of this metallurgical pore is attributed to a particular evaporation process, in which the volatile elements (most likely Al) evaporate in the mush zone of Ti-6-V-4-V alloy during solidification under vacuum. The necessary pressure and temperature conditions of this particular evaporation are theoretically deduced. It is found that the ambient pressure around the metallurgical bubbles in the mush zone should be lower than the pressure at the triple point in the phase diagram of the volatile element (Al or Ti). Moreover, the temperature around the bubbles should be greater than the boiling point of the volatile element (Al or Ti), but smaller than the liquidus temperature of Ti-6-Al-4-V alloy under vacuum.     

二极管型碳基膜场发射显示器的制作(英文)

介绍了一套简单、低成本的制作二极管型碳基膜场发射显示器模块的制作方法.该显示单元模块为16 * 16矩阵型点阵,可根据实际需要拼接成各种尺寸.器件的阴极和阳极均采用丝网印刷技术,包括:阴极导电图形、CNT图形、阳极荧光图形的印刷.各膜层图形经过精心设计以实现矩阵选址.使用低玻粉将阴极和阳极烧结之后,采用超高真空排气台进行排气,然后装配上驱动电路,即实现了单元碳基膜场发射显示器模块的制作.另外,为了改善CRT荧光粉的黏附性差和电阻率低的问题,我们往CRT荧光粉浆料中分别加入了碳纳米管和硝酸镁,得到了更好的发光性能.     

Carbon Nanotubes for Cold Electron Sources

Technological advances in the field of microelectronic fabrication techniques have triggered a great interest in vacuum microelectronics. In contrast to solid‐state microelectronics, which entails scattering‐dominated electron transport in semiconducting solids, vacuum microelectronics relies on the scattering‐free, ballistic motion of electrons in vacuum. Since the first international conference on vacuum microelectronics substantial progress in this field has been made. The first technological devices using micrometer‐sized electron emitting structures are currently being commercialized. Field‐emission flat‐panel displays (FED) seem to be an especially promising competitor to LCD displays. Today there is only one mature technology for producing micro‐gated field‐emission arrays: the Spindt metal‐tip process. The drawbacks of this technology are expensive production, critical lifetime in vacuum, and high operating voltage. Carbon nanotubes (CNT) can be regarded as the potential second‐generation technology to the Spindt metal micro‐tip. In this review we show that the field emission (FE) behavior of CNT can be accurately described by Fowler–Nordheim tunneling and that the field‐enhancement factor β is the most prominent factor. Therefore the FE properties of a CNT thin film can be understood in terms of local field enhancement β(x,y), which can be determined with scanning anode field emission microscopy (SAFEM). To characterize the FE properties of an ensemble of electron emitters we used a statistical approach (as for thin film emitters), where f(β)dβ gives the number of emitters on a unit area with field‐enhancement factors within the interval [β,β + dβ]. We show that the field‐enhancement distribution function f(β) gives an almost complete characterization of the FE properties.