硅片加工及材料发展趋势

尽管半导体工业最近呈现严重下降趋势,但器件、电路和加工技术的改进,在过去两年却加快了步伐。当前经过的一切重大事件和近期未来的一些预兆就是表明这种重大发展的实例。 本文只限于预测今后五年内半导体制造中一些主要发展趋势和不断变化的要求,以及一些与材料和设备有关的问题。     

BiCMOS—硅片加工的新浪潮

目前,有股新的浪潮正在与CMOS加工技术进行激烈的竞争,这就是Bi CMOS技术。明智的人都将乘着它进入新的世纪;而那些忽略了它迅速聚积起来的力量的人,将像八十年代初期忽略了CMOS强人力量的半导体公司一样被淘汰掉。     

高精度划片机零件的加工工艺

扼要介绍高精度划片机零件的工艺难点，工艺流程、变形因素及其对策、研磨余量及研磨工艺等。     

武汉凌云光电激光划片机技术国内领先

由武汉凌云光电科技有限公司和德国某著名大学合作开发的专门针对太阳能电池行业硅片、半导体等原材料的划片、划槽加工的50W，70W激光精细划片机，主要是针对目前国内激光划片机存在的技术应用领域的缺陷而研发的。在技术领先、品质卓越的研发制造理念指导下，该划片机具有高效率、外观时尚新颖、操作方便、性能稳定的特点。     

划片机空气静压电主轴材料选用及加工工艺研究

从划片机空气静压电主轴的结构出发,分析了主轴的技术要求,提出了主轴材料选用的基本原则,介绍了划片机主轴的常用材料,重点论述了划片机主轴的加工阶段划分、热处理安排和定位基准选择,给出了划片机主轴的加工工艺路线图,并在实践中进行了验证。     

硅片在线检测的发展趋势

在过去的几年里,用于晶片加工的工艺控制技术的改进已迅猛增加。 设备研制的投资,传统上主要是以晶片工艺设备的改进为目标,但现在越来越多地把投资集中在开发能够更好地管理和控制品片工艺生产的仪器上。 这种趋势的原因源于经济和技术的考虑。因为工艺控制提高了器件的成品率和性能,所以这是很经济的,同时这也使半导体生产厂家能生产出更为复杂的集成电路,反过来这也需要更好的工艺控制。     

硅片键合制备SOI衬底

硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自身的灵活性。相同的或不相同的，抛光的半...     

硅片的磨割加工

<正> 硅片的切割质量对集成电路制造过程有很大影响。集成电路制造业的发展,又促进了硅片磨割加工的发展。目前,国内外普遍采用的是内圆磨割工艺与钢丝锯割。 内圆磨割的基本关系 内圆磨割采用特殊的内圆刀片作切割工     

一种适用于LSI及浅结器件的硅片表面加工技术

通过氧本征内吸杂工艺前后硅片的实际器件制管试验，少子寿命测试及吸杂硅片的纵向解剖，制管性能大大改善，管芯平均制造合格率提高５％￣１５％，硅片表面少子寿命提高一个数量级以上，另外研究还表明，吸杂硅片经高温氧化，扩散等器件工艺后，硅片表面清洁区厚度及吸杂区内缺陷密度基本是稳定的。     

硅片双面研磨加工技术研究

介绍了硅片双面研磨的目的,重点分析了不同工艺参数对硅片研磨速率及表面质量的影响。通过不同粒径磨料的对比试验,得出减小磨料粒径能够有效改善硅片表面质量,减小损伤层深度,为后道抛光工序去除量的减少提供了条件,并且对实际生产工艺具有指导意义。同时分析了助磨剂在提高硅片表面质量中的作用。     

硅片焊接机拾起硅片时序测定方法

目的 通过对硅片焊接机在拾起硅片时焊接头与顶针的时序进行分析,以了解设备的状况,解决在焊接过程中出现的品质问题,如:硅片漏焊接、焊接后角度偏差、硅片表面裂及硅片背面顶裂。(以下以NEC焊接机CPS-500SP予以说明)     

现代硅片加工过程中的沾污控制

随着器件尺寸的不断缩小，沾污控制变得日趋关键，就目前的技术水平而言，只能在硅片的净化间存放、传递及加工环境等方面进行治污控制。为满足将来的需要，ＭＭＳＴ工程研制了一种专门的微环境，用来进行硅片处理。硅片的传递在一封闭的容器中进行，人们称之为“真空载体”，它既可封闭于真空状态或大气状态，亦可封闭于惰性气体环境中。在设计上使该载体可用于作为常规设备承片台上的花兰，也可用于设备的真空锁。它的真空容量可对     

激光加工中硅片晶圆的自动对准切割研究

针对激光加工设备在硅片晶圆切割过程中的效率提高问题以及客户需求, 通过图像识别功能,研究并设计实现硅片晶圆的自动旋转校位与自动切割功能,提高了晶圆的切割效率,提升设备的自动化程度.     

"魔法"激光划片-MAHOH

划片工艺概述划片工艺隶属于晶圆加工的封装部分,它不仅仅是芯片封装的核心关键工序之一,而且是从圆片级的加工(即加工工艺针对整片晶圆,晶圆整片被同时加工)过渡为芯片级加工(即加工工艺针对单个芯片)的地标性工序。从功能上来看,划片工艺通过切割圆片上预留的切割划道(street),将众多的芯片相互分离开,为后续正式的芯片封装做好最后一道准备。划片工艺的发展历程在最早期,人们通过划片机(Scriber)来进行芯片的切割分离,其过程类似于今天的手工划玻璃,用金刚刀在被切割晶圆的表面刻上一道划痕,然后再通过裂片工艺使晶圆沿划痕分割成单个芯…     

新一代晶圆划片技术

随着半导体及电子业技术的发展和消费市场无止境的需求,传统的划片(Dicing)技术,在许多方面已经无法满足业者的需求,代之而起的是激光划片(Laser Dicing)技术。而激光固然有某些优势,却亦有其缺陷。无论如何,激光引领划片的潮流,来势汹汹,难以抵檔。     

对1006A型砂轮划片机电气控制系统的可靠性分析

<正> 1006A型砂轮划片机是美国MAI公司70年代末、80年代初研制出的大规模集成电路加工设备。它只所以能在国际上有广泛的市场,除它的功能强、精度高外,工作可靠性、稳定性高也是它的主要特点。从这次我厂引进该机散件并通过组装和消化其技术资料,我们深有体会。     

Q-Cells为LDK加工冶金级硅片

Q—Cells日前表示，已与LDK太阳能公司签署了一份将升级冶金级硅加工成太阳能晶圆的协议。同时，Q—Cells还获得了另外加工约2万1000公吨硅的选择权，并与LDK就2009—2018年间硅晶圆的追加供应签署了谅解备忘录。     

MEMS划片技术的现状与技术革新

MEMS独特的结构和特性,给划片工艺带来了巨大的挑战.介绍了传统砂轮划片技术在MEMS芯片生产中的局限性,指出了隐形激光划片技术的优越性,综述了激光划片技术在MEMS划片中的应用,对几种较成熟的先进激光划片技术进行了比较,对各自的工作原理、特点、工序作了重点阐述,并对MEMS划片技术的发展前景作了展望.     

适用于制作绝缘体上硅的硅片粘合技术

本文从几个方面探讨了一种应用粘合二氧化硅片制作绝缘体上硅的新技术。粘合是通过将一对亲水表面相互贴合的硅片置于惰性气体中加热来实现的。提出了一种以裂解传播理论为基础的适用于计算粘合表面能的定量方法。研究发现粘合强度随着粘合温度的升高而增加,从室温下的60～85尔格/cm~2升到1400℃时的2 200尔格/cm~2。粘合强度基本上与键合时间无关。通过800℃退火10分钟达到的机械强度,足以承受为获得所需厚度而对上面硅片进行的机械或化学减薄加工以及随后的器件制作工序。提出了一种模型解释在实验温度范围内粘合的三种明显状态。采用金属-氧化物-半导体(MOS)电容器来测试粘合的电特性,其结果与在粘合界面处的负电行密度约10~(11)cm~(-2)一致。采用两次深腐蚀工艺将芯片低薄到希望的厚度,其厚度均匀性在 4英寸硅片上为± 20nm。剩余硅层中的线位错密度是10~2～10~3cm~(-2),残留的掺杂剂浓度少于5×10~(15)cm~(-3),两者都是腐蚀阻挡层的剩余物。在20～100mm厚的硅层上制作的互补金属-氧化物-半导体(CMOS)器件具有 60mV/dec亚阈值斜率(包括n沟和p沟MOS晶体管)。有效载流子寿命在80nm和300nm厚硅膜中是15～20μs。在硅膜覆盖的氧化层界面上的界面态密度是≥5 ×10~(10)cm(-2)。