纳米GaAs—SiO2镶嵌复合薄膜的制备

利用射频磁控共溅法制备了纳米ＧａＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜，通过Ｘ射线衍射，透射电镜和Ｘ射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系，结果表明，薄膜由晶态的ＧａＡｓ及非晶ＳｉＯ２组成，ＧａＡｓ在沉积过程中未明显氧化，且以纳米颗粒形成的均匀地弥散在ＳｉＯ２中；ＧａＡｓ的平均粒径依赖于沉积时的基片温度，获得了ＧａＡｓ的平均粒径在３～１０ｎｍ的ＧａＡｓ→ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜。     

溅射共沉积GaAs—SiO2复合薄膜的XPS研究

采用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了由ＧａＡｓ和ＳｉＯ２组成的复合靶共溅射沉积的ＧａＡｓ－ＳｉＯ２复合薄膜的Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ的化学结合状态及其沉积时的基片温度对其影响。结果表明：Ｇａ、Ａｓ和Ｓｉ分别主要是以ＧａＡｓ和ＳｉＯ２的化学组态存在于复合薄膜之中，但当沉积时基片温度上升到一定值后（我们实验中为４００℃），有部分的Ｇａ和Ａｓ被氧化，其氧化量随着基片温度的进一步升高而上升。沉积的ＳｉＯ２中存在着少量的缺氧缺位。     

砷化镓中掺硅元素的SIMS定量分析

通过对体均匀掺硅和离子注入硅样品的二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深度剖面分析，采用均匀体标样法、剖面二次离子强度积分法和ＬＳＳ理论关系计算获得了比较一致的、且与手册值接近的ＧａＡｓ中硅元素相对灵敏度因子值。将相对灵敏度因子法应用于双能量、双剂量硅离子注入ＧａＡｓ样品及分子束外延多层ＧａＡｓ膜渗硅的ＳＩＭＳ定量分折中。从实验结果初步讨论了ＧａＡｓ中氧和碳元素的存在对２８Ｓｉ－、１０３ＳｉＡｓ－二次离子信号强度的影响，２８ＳｉＡｓ－和１０３Ｓｉ－二次离子信号强度的线性关系和可靠性。     

GaAs颗粒镶嵌薄膜的制备及光吸收特性的研究

采用复合靶共溅射技术制备纳米ＧａＡｓ晶粒镶嵌在ａ－ＳｉＯ２中的复合薄膜。通过控制淀积时基片的温度，调节靶面ＧａＡｓ的百分比，可制备出不同ＧａＡｓ晶粒尺度与体积百分比的薄膜。     

局域电子态密度的俄歇电子谱分析

采集ＧａＡｓ／Ｓｉ界面的各个深度剖面的俄歇线形，试图获得局域态密度变化的信息。俄歇信号经过小心处理和一系列修正以消除失真，同时俄歇线形分析藉助因子分析来进行。发现在界面中两咱化学态并存，某些Ｓｉ原子与Ａｓ原子键合，并且每个Ｓｉ原子将有０．３个Ｐ电子转移至Ａｓ原子上，而其他Ｓｉ原子保持纯Ｓｉ元素的Ｓｉ－Ｓｉ键。     

气体工业名词术语

高纯气体（ＨｉｇｈＰｕｒｉｔｙＧａｓｅｓ）通常指利用现代提纯技术能达到的某个等级纯度的气体。对于不同类别的气体，纯度指标不同，例如对于氮、氢、氩、氦而言，通常指纯度等于或高于９９．９９９％的为高纯气体；而对于氧气，纯度为９９．９９％即可称高纯氧；对于碳氢化合物，纯度为９９．９９％的即可认为是高纯气体。高纯气体应用领域极宽，在半导体工业，高纯氮、氢、氩、氦可作为运载气、保护气和配制混合气的底气。医用气体（ＭｅｄｉｃａｌＧａｓｅｓ）用于医学诊断和生命救助的气体称医用气体。医用气体包括２０余类，其中主…     

AlxGa1—xAs外延层中Si平面掺杂的SIMS研究

利用二次离子质谱系统地研究了生长温度，Ａｌ组分Ｘ值和Ａｓ４夺强对Ｓｉδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。     

Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。另外，我们还发现Ａｓ＿４压强高于１．５×１０￣（－５）ｍｂａｒ时，Ａｓ＿４压强对δ掺杂空间分布影响不大，而Ａｓ＿４压强低于此压强时，Ｓｉ掺杂分布峰宽度增加很快，这主要由杂质扩散作用引起。生长温度对掺杂分布峰影响最大，其次是Ａｌ组份影响，而较小Ａｓ＿４压强的影响不可忽视。这些研究结果对外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料是有价值的。     

Ga－Al－As－Si系统中Si的两性掺杂行为的研究

对Ｓｉ在电液相外延Ｇａ－Ａｌ－Ａｓ－Ｓｉ系统中的两性掺杂行为进行了研究。提出了一种恒温生长Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ：Ｓｉｐ－ｎ结的新方法，对这种ｐ－ｎ结的成因作了定性的解释，并对这种ｐ－ｎ结的电特性加以观察。     

分子束外延生长GaAs中δ掺杂研究

利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和电化学剖面Ｃ－Ｖ方法研究了生长温度对ＧａＡｓ中理想Ｓｉδ掺杂的结构的偏离和掺杂原子电微活效率的影响。实验发现，外延生长Ｓｉδ掺杂，ＧａＡｓ时，随着生长温度的升高，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰非对称展宽。表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子扩散。另外，Ｓｉ施主电激活效率随着生长温度的提高而增大。     

Diagnosis System for Journal Bearings on the Basis of Spectrograph and Ferrography Analysis

ＤｉａｇｎｏｓｉｓＳｙｓｔｅｍｆｏｒＪｏｕｒｎａｌＢｅａｒｉｎｇｓｏｎｔｈｅＢａｓｉｓｏｆＳｐｅｃｔｒｏｇｒａｐｈａｎｄＦｅｒｒｏｇｒａｐｈｙＡｎａｌｙｓｉｓＸｉｅＸｉａｏｐｅｎｇＸｉｅＹｏｕｂａｉＴｈｅｏｒｙｏｆＬｕｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄＢｅａｒ...     

缓冲包装的系统分析

缓冲包装的系统分析胡世俊，孙永中ＳｙｓｔｅｍＡｎａｌｙｓｉｓＢａｓｅｄｏｎＣｕｓｈｉｏｎｉｎｇＰａｃｋａｇｉｎｇ￥ＨｕＳｈｉｊｕｎ；ＳｕｎＹｏｎｇｚｈｏｎｇＡｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｒｅｌｅｖａｎｔａｎａｌｙｓｅｓｏｆｔｈｅｃｕｓｈｉｏｎｐａｋａｇｅｓ...     

δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性

本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料。     

Time-Frequency（scale） Analysis and Diagnosis for Nonstationary Dynamic Signals of Machinery

ＴｉｍｅＦｒｅｑｕｅｎｃｙ（ｓｃａｌｅ）ＡｎａｌｙｓｉｓａｎｄＤｉａｇｎｏｓｉｓｆｏｒＮｏｎｓｔａｔｉｏｎａｒｙＤｙｎａｍｉｃＳｉｇｎａｌｓｏｆＭａｃｈｉｎｅｒｙＨｅＺｈｅｎｇｊｉａＭｅｎｇＱｉｎｇｆｅｎｇＺｈａｏＪｕｙｕａｎＬｉｕＸｉｎｍｉｎｇＤｅ...     

A-B 7300 CNC Machine Tool Rebuilding

Ａ－Ｂ７３００ＣＮＣＭａｃｈｉｎｅＴｏｏｌＲｅｂｕｉｌｄｉｎｇＬｉＣｈｅｎｇｒｅｎＭａｒｉｎｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＮｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＸｉ’ａｎ，７１００７２，Ｐ．Ｒ．Ｃｈｉｎａ...     

Technical Innovation in a Balancing Machine with Microcomputer

ＴｅｃｈｎｉｃａｌＩｎｎｏｖａｔｉｏｎｉｎａＢａｌａｎｃｉｎｇＭａｃｈｉｎｅｗｉｔｈＭｉｃｒｏｃｏｍｐｕｔｅｒＺｈａｎｇＪｉｎＤｏｎｇｆｅｎｇ－ＣｉｔｒｏｅｎＡｕｔｏｍｏｂｉｌｅＣｏｍｐａｎｙＬｔｄ．ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｉｓｐａｐｅｒｄｉｓｃｕｓｅｓ...     

浅析影响瓦楞纸箱粘合强度的因素

浅析影响瓦楞纸箱粘合强度的因素ＴｈｅＦａｃｔｏｒＡｆｅｃｔｉｎｇＡｄｈｅｒｅｎｃｅｏｆＣｏｒｒｕｇａｔｅｄＢｏｘｅｓ胡文堂＊ＨｕＷｅｎｔａｎｇＡｄｈｅｒｅｎｃｅｉｓｏｎｅｏｆｔｈｅｍｏｓｔｉｍｐｏｒｔａｎｔｐｈｙｓｉｃａｌｐｅｒ－ｆｏｒｍａｎｃｅｆｏ...     

纳米GaAs—SiO镶嵌复合薄膜的发光特性

采用射频磁控共溅射法制备了纳米ＧａＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜。通过Ｘ射线衍射、透射电镜观察和Ｘ射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积过程中基片温度间的关系。测量了薄膜的光致发光特性。表明,薄膜由晶态的ＧａＡｓ及非晶Ｓdisplay status两相组成,ＧａＡｓ在沉积过程中未明显氧化且以纳米颗粒形式均匀地弥散;ＧａＡｓ的平均粒径依赖于沉积时的基片温度。通过控制基片温度,成功地获得了ＧａＡｓ的平均粒径分     

Study on Fault Dictionary

ＳｔｕｄｙｏｎＦａｕｌｔＤｉｃｔｉｏｎａｒｙＬｉＢａｏｗｅｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｃａｌＦａｃｕｌｔｙｏｆＭａｉｎｔｅｎａｎｃｅＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＧｕａｎｇｚｈｏｕＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＧｕａｎｇｚｈｏｕ，５１００９１，Ｐ．Ｒ．ＣｈｉｎａＡｂｓｔｒａ...     

数据库管理系统汉字拼音首字母检索码的生成与使用

叙述了在Ｖｉｓｕａｌ Ｂａｓｉｃ ５．０＋Ｏｆｆｃｅ９７的Ａｃｅｓｓ环境下,利用开发的数据库软件生成汉语词仁拼音首字母检索码,及其在数据库管理系统中的应用。