热处理对白色有机电致发光器件发光性能的影响

为获得优质的有机电致发光器件．它的发射光谱是一个关键的因素。传统的方法是采用红、绿、蓝色多层叠合产生白光,但难以控制各基色的峰值强度。制备了利用混合型聚合物作为白色发光层的单层结构有机电致发光器件((OLED),其制备过程比多层结构器件简单得多。一种热处理方法(180℃,1h)用来控制此类白光OLED中各主要电致发光光谱峰值强度间的比例。经过热处理后,这种白光器件的电致发光光谱很接近于Nichia公司的无机白色发光二极管产品的电致发光光谱。由此可推测器件的色坐标接近于白色等能点,而且其阈值电压比热处理前降低了1V。     

白光有机电致发光器件发光稳定性研究

基于红绿/蓝双发光层,制作了结构为ITO/MoO ₃(10nm)/NPB(40nm)/TCTA(10nm)/CBP:R-4B(2%):GIR1(14%,X nm)/mCP:Firpic(8%,Y nm/BCP(10nm)/Alq₃(40nm)/LiF(1nm)/Al( 100nm)的白色全磷光有机电致发光器件(OLED),通过 调节红绿发光层的厚度X与蓝光发光层的厚度Y,研究了不同发光层厚度器件发 光性能的影响。研究发现:当X 为23nm、Y为7nm时,器件的光效和色坐标都具有 很高的稳定性,在电压分别为5、 10和15V时,色坐标分别为(0.33,0.37)、(0.33,0. 37)和(0.34,0.38);在电压为 5V时,电流密度为0.674mA,亮度为158.7cd ,最大电流效率为26.87cd/A;利用电子阻 挡材料TCTA和空穴阻挡材料BCP能够显著提高载流子的复合效率。分析认为:发光层顺序 为红绿/蓝时,更有利于蓝光的出射,从而使白光的色坐标更稳定。     

利用辅助掺杂改善红光有机电致发光器件的性能

以Coumarin(C545)做辅助掺杂剂,制作了结构为氧化铟锡(ITO)/N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4,-4′-二胺(NPB)/8-羟基喹啉铝(Alq3):C545:4-二氰亚甲基-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)/Alq3/LiF/Al的红光有机电致发光器件(OLED).研究了不同掺杂质量分数对器件性能的影响,结果发现,掺C545和DCJTB的器件性能与只掺DCJTB的器件相比较,其色纯度、亮度及效率均有所提高,器件性能的改善主要是由于掺入的C545提高了由基质Alq3向红光染料DCJTB进行能量传递的效率.     

双发光层白光有机电致发光器件的研究

将DCJTB掺杂入Alq3中,作为黄光发光层,制作了一种基于新型蓝光材料PAA的白光有机电致发光器件(OLED).器件的结构为ITO/NPB/PAA/Alq3:DCJTB/Alq3/Mg:Ag,通过PAA层的蓝光与Alq3:DCJTB层的黄光混合实现了很好的白光发射.结果表明,器件在4.6V时启亮,在5.2V时达到最大...     

加入电子阻挡层的黄色磷光有机电致发光器件

使用绿色磷光材料GIr1和红色磷光材料R-4B作 为掺杂剂,制备了一种黄色磷光有机电致发光 器件(OLED),其结构为ITO/MoO₃(60nm)/NPB(40nm)/TCTA(x nm,x＝0、5、10和15)/CPB:GIr1:R -4B(30nm,14%,2%) /BCP(10nm) /Alq₃(40nm)/LiF(1nm)/Al( 100nm)。其中x＝0,5,10,5nm。通过在发光层与空穴传输层之间增 加电子阻挡层TCTA,使器件的效率得到提高。当TCTA厚为10nm时, 起亮电压为4V左右,器 件的最大发光效率为20.2cd/A,最高亮度可以达到21840cd/m²,器件的色坐标 为(0.42,0.53)。器件的EL主峰位于524nm 和604nm。并且当电流 密度为2.49mA/cm²时,10nm厚的TCTA 电子阻挡层的器件发光效率是不加入TCTA的器件发光效率的2倍。发光效率的提高是由于电 子阻挡层的加入限制了空穴传输层NPB的发光,从而使更多的激子在发光层中复合。     

间隔层提高有机电致发光器件的性能

使用不同的有机材料作为间隔层,制备了基于CB P材料的一系列红绿双发光层有机 电致发光器件(OLED),其结构为ITO/MoO₃(50nm)/NPB(40nm)/TCTA(10 nm)/CBP:R-4B(20nm,2%)/ 间隔层(3nm)/CBP:GIr1(30nm,14%)/BCP(10 nm)/Alq₃(20nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),其中间隔 层材料使用BCP、TPBi和TCTA。实验比较了加入不同间隔层后OLED的发光特性,结果显 示,对发光面积为0.8cm²的器件,当器件加入间隔层后,电流效 率和亮度有很大提高,用 TCTA作间隔层时得到器件的最大效率为39.98cd/A,最大亮度为29790cd/m²;并且使用间隔 层后OLED发光性能稳定,电致发光(EL)光谱和色坐标不随驱动电压的变化而产生变化。     

基于MCzHQZn的有机电致发光器件

通过结构为ITO/2T-NATA(20nm/NPBx(20nm)/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(20nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm/MCzHQZn(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(20nm/MCzHQZn(30nm)/NPBx(16nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED),证明了MCzHQZn既具有空穴传输特性,又具有较好的发光特性。MCzHQZn在器件1中作发光层,器件最大亮度在电压16V时达到3692cd/m2,电压13V时的最大效率为0.90cd/A,发光的峰值波长为564nm;MCzHQZn在器件2中既作发光层又作空穴传输层,器件最大亮度在电压为13V时达到1929cd/m2,电压12V时的最大效率为0.57cd/A,发光的峰值波长也为564nm;MCzHQZn在器件3中作空穴传输层,由NPBx作发光层,器件最大亮度在电压为14V时达到3556cd/m2,电压9V时的最大效率为1.08cd/A,发光的峰值波长为444nm。     

基于BAlq的有机电致发光器件的磁效应

研究了ITO/NPB(40nm)/BAlq(60nm)/BCP(5nm)/LiF(0.8nm)/AI有机电致发光器件(OLED)的磁效应.实验结果表明,磁场在10mT时,器件的效率最大增加了34%,这一结果是由于三线态激子与三线态激子间的相互淬灭产生激发单线态激子从而使单线态激子比率增加,致使电致发光(EL)增强.当磁...     

一种新型蓝色有机电致发光器件及其发光机理

利用5,6,11,12-tetraphenylnaphthacene(Rubrene)超薄层制备了一种蓝光有机电致发光器件(OLED),器件结构为ITO/N,N'-diphenyl-N,N'-bis(1-naphthyl)-(1,18-biphenyl)-4,4'-diamine(NPB)(50nm)/2,9-d...     

周期性多发光层结构单色有机电致发光器件的研究

以具有高离化能的n型小分子材料PBD、BCP作为激子限制层,用交替沉积的方式制备了分别以Alq3/PBD、NPB/BCP为周期结构多发光层的绿光、蓝光器件.周期性多发光层结构的引入大大提高了器件性能,其中,具有双周期3发光层的绿光器件最大亮度和效率分别是常规器件的10.5倍和4.4倍,具有双周期双发光层的蓝光器件最大亮度和效率分别是常规器件的2.75和1.45倍.器件性能提高的主要原因是周期性结构的引入和多发光区域的划分增加了激子产生几率.同时,周期数对器件性能有重要影响.绿光、蓝光器件电致发光(EL)谱谱峰值基本稳定,半高谱宽出现了窄化.     

阴极蒸镀和隔离层对有机发光二极管性能的影响

制备了简单结构的有机发光二极管(OLED)ITO/NPB/Alq3/Al/Ag。实验结果表明,快速蒸镀法制备的Ag阴极越厚,器件性能越差,而慢速蒸镀200nmAg阴极时器件性能也较差。在Alq3与Al阴极之间插入BCP/C60/LiF隔离层后,即使快速蒸镀法制备的Ag厚达280nm,器件的最大电流密度、最大亮度和最大电流效率仍分别高达248.6mA/cm2、5380.7cd/m2和3.52cd/A。隔离层不仅保护NPB和Alq3基本不被玻璃化,还很好地与Alq3和Al阴极匹配,大大提高了器件性能。     

MoO3修饰氧化石墨烯作为空穴注入层影响研究

研究了MoO₃修饰氧化石墨烯(GO)作为空穴注入层的影响。采用旋涂的方法制备了GO, 再真空蒸镀修饰层MoO₃,得到了空穴注入能力强和透过率高的复合薄膜。MoO₃的厚分 别采用0、3、5和8nm。通过优化MoO₃的厚度发现,当MoO₃的厚为5nm时,复合薄膜 的透过率达到最大值,在 550nm的光波长下透光率为88%,且此时采用 复合薄膜作为空穴注入层制备的结构为 ITO/GO/MoO₃(5nm)/NPB(40nm)/Alq₃(40nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的有机电致发光器件(OLED)性能 最佳。通过对OLED进一步的优化,改变Alq₃的厚度,分别取50、60和70nm,测量其电压 、电流、亮度、色坐标和电致发光(EL)光谱等参数发现,当Alq₃的厚为50nm时器件性能最 佳。最终制备了结构为ITO/GO/MoO₃(5nm)/NPB(50nm)/Alq₃(50nm)/LiF(1nm)/Al(100 nm)的OLED,在电压为10V时,最大电流效率达到5.87cd/A,与GO单独作为空穴注入层制备的器件相比,提高了50%。     

基于混合配体Znq(DBM)的单色和白色OLED

以8-羟基喹啉(q)和1,3-二苯基-1,3-丙二酮定向合成了有机小分子配合物Znq(DBM),将其作为发光层制备了单色有机电致发光器件(OLED)。在结构为ITO/m-MTDATA(5nm)/NPB(40nm)/Znq(DBM)(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的器件中,启亮电压为5V,最大亮度达到4 575cd/m2。同时又在器件中引入间隔层BCP,研究其不同厚度对OLED性能的影响。在结构为ITO/m-MTDATA(5nm)/NPB(40nm)/BCP(x nm)/Znq(DBM)(60nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)的器件中,当BCP层厚为0nm时,发光颜色为黄绿色;当BCP层厚为1nm时,发光颜色为白色,色坐标为(0.29,0.33),最大亮度为2 231cd/m2;当BCP层厚为5nm时,发光颜色为蓝色。根据器件结构和性能,讨论了其内部机理。     

High efficiency phosphorescent white organic light-emitting diodes with an ultra-thin red and green co-doped layer and dual blue emitting layers

Phosphorescent white organic light emitting diodes (WOLEDs) with a multi-layer emissive structure comprising two separate blue layers and an ultra-thin red and green co-doped layer sandwiched in between have been studied. With proper host and dopant compositions and optimized layer thicknesses, high-performance WOLEDs having a power efficiency over 40 lm/W at 1000 cd/m² with a low efficiency roll-off have been produced. Through a systematic investigation of the exciton confinement and various pathways for energy transfer among the hosts and dopants, we have found that both the ultra-thin co-doped layer and two blue emitting layers play a vital role in achieving high device efficiency and controllable white emission.     

高亮度微腔有机电致发光器件

为了实现有机电致发光器件(OLED)发射光谱的窄化和高亮度,真空热蒸镀具有不同微腔结构的OLED(MOLED):玻璃衬底/分布式布拉格反射器(DBR)(1～4对的SiO2/Ta2O5层)/ITO/空穴传输层(HTL,α-NPD)/发光层(EML,Alq3:Rubrene或Alq3:Coumarin6)/电子传输层(ERL,Alq3)LiF/Mg/Ag,其中沉积DBR结构采用电子束沉积法。实验表明:该MOLED的发射光谱半波长宽度(FWHM)随DBR层数的增加而减小至最小值10nm;并且在2层DBR时,掺杂Rubrene器件得到更大的电流效率,约20cd/A,最大亮度为2.6×105cd/m2。研究发现,蓝光MOLED能够对自发光产生吸收现象,降低了出光效率。     

Bright green organic light-emitting devices having a composite electron transport layer

A bright green organic light-emitting device employing a co-deposited Al-Alq₃ layer has been fabricated. The device structure is glass/indium tin oxide (ITO)/ N, N′-diphenyl-N, N′- (3-methylphenyl)-1, 1′-biphenyl-4, 4′-diamine (TPD)/tris(8-quinolinolato) aluminum (Alq₃)/ Al-Alq₃/Al. In this device, Al-Alq₃ is used as electron transport layer (ETL). The device shows an operation voltage of 6.1 V at 20 mA/cm². At optimal condition, the brightness of a device at 20 mA/cm² is 2195 cd/m² achieved a luminance efficiency of 5.64lm/W. The result proves that the composite Al-Alq₃ layer is suitable for the ETL of organic light-emitting devices (OLEDs).     

Enhancement of hole injection with an ultra-thin Ag2O modified anode in organic light-emitting diodes

The interface between the organic layer and the Indium Tin Oxide (ITO) layer of an organic light-emitting diode (OLED) is crucial to the performance of the device. An ultra-thin Ag₂O film, used as an anode modification layer, has been employed on ITO surface through the UV-ozone treatment of Ag films. The insertion of this thin film with higher work function enhances the hole injection in the organic light-emitting diode and improves the performance of the devices effectively. The maximum electroluminescence (EL) efficiency of the device with the Ag₂O film is 4.95 cd/A, it is about 60% higher than that of the device without it.     

Carrier radiation distribution in organic light-emitting diodes

This paper is based on the analysis of white organic electroluminescent device electroluminescent spectrum to explain the regular pattern of carrier radiation distribution.It has proved electron that is injected from cathode is satisfied with the regularity of radiation distribution on the organic emitting layer.This radiation distribution is related to several factors,such as electron injection capabilities,applied electrical field intensity,carrier mobility,etc.The older instruction design is ITO/2-TNATA/NPB/ADN:DCJTB:TBPe/Alq3/cathode.Get to change electron injector capabilities through using different cathode and also find electroluminescent spectrum to produce significant changes.Simultaneously,electron radiation quantity has some limitation,and electroluminescent spectrum reflects that spectral intensity does not change anymore when the ratio of cathode dopant to a saturated state on the organic emitting layer.It also shows the same spectrum variational phenomenon while changing the applied electrical field intensity.To put forward of the carrier radiation distribution is good for organic light emitting diode (OLED) luminescence properties analysis and research.     

有机发光器件中空穴注入对负电容的影响

对不同结构的有机发光器件(OLED)进行了电容-电压(C-V)特性测量,研究了不同空穴注入结构对OLED负电容的影响。结果表明,负电容的产生与OLED内部电场的分布有着密切的关系,负电容开始出现的频率与电压的平方根呈指数关系。与超薄的单层空穴注入层相比,掺杂的空穴注入层不仅能降低器件的驱动电压,而且其载流子传输特性和出现负电容时的初始电压对频率有着更强的依赖性。