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一、引言 目前国内不少单位,在制作大规模集成电路光刻掩模版时,都采用国外的高解象力干版,以直接精缩的办法,为生产线上提供光刻版。这样做,虽然在光刻版的几何图形完整率上得到了有效的保证,但是,高解象力干版感光层不能经受在接触式曝光中的摩擦,它的使用寿命受到很大的限制。在具体应用中,仅通过四次以下的接触式曝光,掩模版面的几何图形便出现损坏,随着光刻次数不断增加,版面的几何图形损坏率激增。同时,由于采用精缩方法直接制作掩模版,生产效率很低,不能很好地满足生产线光刻的需要。 相似文献
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激光直写系统制作掩模和器件的工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
激光直写系统是国际上90年代制作集成电路光刻掩模版的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室从加拿大引进了国内第一台激光直写系统。利用这台系统,通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光,将设计图形直接转移到掩模或硅片上。激光直写系统的应用,可以分成一次曝光制作光刻掩模和多次套刻曝光制作器件两个方面。介绍使用激光直写系统制作光刻掩模和套刻器件的具体工艺,并给出利用激光直写工艺做出的一些掩模和器件的实例 相似文献
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使用传统的微加工技术,如各向异性或各向同性干刻蚀、湿刻蚀只能加工有限形貌的表面,为了克服这一缺点,发展了多层掩模技术、激光三维立体光刻、电子束直接写入技术等许多三维微加工技术。灰度光刻最被看好,它通过灰度掩模把加工光束能量密度分布调制成不同的形状,对光刻胶进行曝光,微型器件一次成形,不需要移动掩模或移动加工晶片,也不需要对光刻胶进行热处理,只需要对掩模版进行一定的编码和标准的光刻设备,容易和其他IC工艺相兼容,实现系统芯片结构的制作。本文分析了它的物理机制、掩模类型、编码过程、约束条件和优化方法。 相似文献
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光刻就是将掩模版上的图形转移到基底的过程,广泛应用于微电子、微机械领域。衍射现象是光刻工艺无法避免的问题,当掩模图形尺寸接近光源波长时,就会产生衍射干涉现象。利用这一现象,可以产生小于掩模图形尺寸的图形。采用严格耦合波分析算法对光刻过程中的衍射干涉做了仿真分析;并用karl suss MA6光刻机实现了基于掩模的干涉光刻实验,通过增加滤光片得到相干光源,增强光刻过程的衍射,形成衍射干涉,掩模版透光区域和部分不透光区域下方的光刻胶得到曝光,利用微米尺度的光栅图形,在光刻胶上产生亚微米的光栅;最后利用干法刻蚀工艺,在硅基底上加工出亚微米尺度光栅。 相似文献
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采用大规模集成电路的多次掩模光刻和刻蚀技术制作二元光学元件阵列是较为传统和实用的制作方法,其工艺过程主要包括:利用光刻技术将设计的掩模版图形转印到有光刻胶的衬底表面;利用刻蚀技术将光刻胶的图形转移到衬底表面,形成所需的表面浮雕结构.在工艺中,光刻胶的行为和特性对衬底的最终图形有着极为重要的作用.光刻和刻蚀两道工序都要求实际图形与掩模版的图形达到很高的一致性,这样才能实现元件被高保真地制作到衬底上.在整个工艺过程中,由于不同光刻胶在甩胶、前烘、曝光、显影、坚膜、刻蚀或腐蚀等工艺中表现不同的行为特性:附着性、均匀性、边缘效应、分辨率、感光度、高温形变、耐刻蚀性等等,使得所制作的器件性能有较大的区别.本文详细研究了不同光刻胶在不同工艺过程中的行为.在二元光学元件的制作中,通过选用不同的光刻胶:在第一次光刻刻蚀台阶较深时,选择粘度系数较大,高感光度,耐刻蚀的厚胶;在套刻中,刻蚀台阶较浅时,选用高分辨率、高陡直度、耐高温的薄胶,最终制作出了性能良好的二元光学元件.(OD2) 相似文献
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本文从实用于大规模集成电路制备的观点出发,对紫外线光刻和电子束光刻图形制作工艺中的问题进行了综述。在紫外线光刻方面,对接触曝光和投影曝光的对比、图形对准精度和正性胶图形的缺陷进行了讨论;对电子束曝光亦进行了讨论,这里包括扫描电子束曝光系统的稳定性、绘图精度、电子束光刻胶特性及其在有掩模制备和芯片直接曝光方面的应用等问题。 相似文献
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一、前言电子束曝光机制作的高精度分离掩模版,精度高。要检查一套版之间的相对套准精度,往往比较困难。若用掩模版比较仪测量,只能测量相对精度,且精度较低,要测到±0.5μm的相对误差,已属不易。采用光刻工艺来检验掩模版的相对套准精度,尽管和器件生产工艺相容好,但测试周期长;而且由于光刻、腐蚀等工艺过程要带来相当可观的精度损失。因此作为一种工艺考核是可以的,而作为掩模版的套准精度就不合适了。 相似文献
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<正> 属微细加工技术的离子束曝光法及电子束曝光法是在真空中处理试料的,它做为平坦而厚的掩模制造方法逐步为人们所认识。把图形光刻在硅片上,其光刻方法正从以往采用的紫外线接触光刻或接近式光刻向缩小投影曝光或反射投影曝光方向转变。您想找到一种适于批量生产的微细图形复印的理想方法吗?笔者认 相似文献
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微透镜阵列的制备已经成为微光学领域的研究热点。利用两次X光移动光刻技术,以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为正光刻胶,在PMMA基板上制造了微透镜阵列,并对其制作原理进行了详细说明。设计了制备微透镜阵列用的掩膜图形,并通过掩膜图形模拟仿真,预测了微透镜在两次移动曝光显影后的形状。第一次X光移动光刻后,理论上会得到半圆柱状三维结构;第一次光刻后将掩膜板旋转90,进行第二次移动曝光光刻,最终在PMMA基板上制备了面积为10 mm10 mm的3030个微透镜阵列,阵列中每个微透镜的直径约248m、厚度约82m。同时也研究了X光曝光量与PMMA刻蚀深度之间的关系。微透镜阵列形貌测试表明此种制备微透镜阵列的新方法是可行的。 相似文献
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以环氧树脂为材料,用简单、低成本的非接触式光 刻法制作多模光波导。通过实验,找出一种可靠有效的有机溶剂作为 显影剂及其相应的显影时间; 并研究了温湿度和旋涂工艺对光波导厚度的影响;以及光刻掩模版透光部分宽度、光刻 掩模版与下包 层之间的间距、曝光光强和曝光时间对光波导宽度的影响。扫描电子显微镜(SEM)对 样品形貌分析表明,脊形光波导表面光滑且侧壁笔直,光波导芯横截面约为 50μm×50μm。采用cut-back法,测出环氧树脂多模光波导的传输损耗为0.1dB/cm@850nm。考虑到 光电集成过程中对光波导的高温冲击,对样品进行了热稳定性试验,获得的最高稳定温 度为210℃。 相似文献
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5.3.2网印工艺
5.3.2.1网印技术
网印技术就是将图形和文字符号,通过光化学方法制成漏孔板,采用刮印板的压力把油墨通过网印板转移到印制电路板所需要的部分,形成完整、真实度较高的图形文字。要完成网印作业需要五个基本条件:网印模版、油墨、橡胶刮板、印制电路板和丝印机(或印台)。当然还有其它辅助工具。现就具体的的质量要求和做法,简述如下: 相似文献
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激光直写系统是制作光刻掩模和ASIC器件的新型专用设备。微细加工光学技术国家重点实验室引进了男内第一台激光直写系统,利用这台系统,通过高精度激光束在光致抗蚀剂上扫描曝光,能够把设计图形直接转移到掩模版或芯片上,本文介绍激光直写系统在ASIC器件制作中的应用和具体工艺。 相似文献