B位双掺杂类钙钛矿化合物La4BaCu5-x-y-CoxNiyO13+δ的制备

运用改进的柠檬酸络合自燃法合成高纯相的B位双掺杂钙钛矿化合物La4BaCu5-x-yCoxNiyO13+δ,采用DTA-TG,XRD,SEM,BET等基础性测试手段对其物相结构、显微形貌等相关物理化学性质进行了基本的表征分析,利用Treor,Retveld等晶胞精修软件对XRD测试结果进行处理,并得到了一些有意义的结果.     

调节带宽对钙钛矿锰氧化物电荷有序相的影响

用固相法制备了Pr0.45(Ca1-xSrx)0.55MnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0)多晶样品.通过X射线衍射谱、磁化强度-温度曲线、电子自旋共振谱研究了Sr2+替代Ca2+对Pr0.45(Ca1-xSrx)0.55MnO3体系电荷有序(charge ordering,CO)相的影响,结果表明...     

A位和B位Mn掺杂对Sr2Bi4Ti5O18电磁性能的影响

采用固相烧结工艺制备MnxSr2-xBi4Ti5O18(A-SBTi-x,x=0～0.08)和Sr2Bi4MnyTi5-yO18(B-SBTi-y,y=0～0.08)陶瓷样品,对比研究它们的结构和电磁性能.X射线衍射谱显示A位Mn掺杂对材料晶格常数a影响较大:零掺杂时,a=0.3868nm;当Mn摩尔掺量为0.02时,...     

Sm3+掺杂双钙钛矿结构Sr3Sn2O7的应力发光特性

Sr₃Sn₂O₇:Sm³⁺是一种被广泛研究的应力法光材料,但关于Sm³⁺掺杂量的研究仍然存在缺失。本工作采用高温固相法制备Sr_3–xSn₂O₇:x Sm³⁺。在Sr₃Sn₂O₇中掺入少量Sm³⁺后,样品仍然保持着非中心对称的双钙钛矿结构。样品在受到紫外灯激励或应力施加之后,能展现出稳定的光致发光、长余辉和应力发光性能,且这三者的光谱显示出一致性。应力发光来源于Sm³⁺的⁴G_5/2激发态向⁶H_J (J=5/2,7/2,9/2)基态的电子跃迁。通过调控x值对其发光性能进行优化,在x=0.020时性能最好。Sm³⁺掺杂量的变化对应力发光性能的影响,既对现有的相关工作进行了补充,同时...     

双钙钛矿La_2NiMnO_6薄膜的制备及性能表征

通过化学溶液沉积法(CSD)在单晶Si(100)基片上制备了双钙钛矿La2NiMnO6薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等手段研究薄膜的晶形结构、相组成以及结构形貌。运用超导量子干涉仪(SQUID)进行磁性测量,结果表明该样品的居里温度为267K,接近室温,是良好的磁性材料。     

A2B′B″O6型双钙钛矿氧化物的研究进展

双钙钛矿氧化物具有A2B'B'O6结构通式,通常碱土金属离子占据A位,过渡金属或者镧系金属离子占据B位。由于B位离子(B'和B')的组合方式多样化,使得双钙钛矿结构氧化物拥有多种晶体畸变类型,呈现出丰富的强关联物理现象(如庞磁电阻效应、电子相分离、电荷/轨道有序等),这为人们研究电子强关联物理机制提供了一个良好的研究体系。综述了近年来双钙钛矿氧化物的研究进展:首先介绍晶体结构特征、制备方法及微结构表征技术,重点评述了其铁电、铁磁及多铁性方面的研究进展;其次讨论了它们在自旋电子学、铁电光伏及固体燃料电池领域的应用前景;最后指出了目前双钙钛矿氧化物研究需要重点关注的一些问题。     

Cl离子掺杂对钙钛矿薄膜结构及光学性能的影响

有机-无机杂化钙钛矿光吸收层薄膜的结构、形貌及结晶度对电池的光电性能起决定性作用.采用一步溶液法通过改变CH3 NH3 I和PbCl2的摩尔比调控钙钛矿前驱体溶液中Cl离子的掺杂量,从而制备钙钛矿光吸收层薄膜.利用荧光光谱(PL)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及EDS能谱分别对钙钛矿溶液的荧光性能、薄膜的结构、表面形貌及反应后Cl离子的含量进行表征.结果表明,随着CH3 NH3 I和PbCl2的摩尔比的增加,前驱体溶液的荧光强度逐渐减弱(激发波长为325 nm);晶体结构由立方相CH3 NH3 PbCl3转换成了纯的四方相CH3 NH3 PbI3钙钛矿薄膜,晶粒尺寸增大,晶格应变随之增加;表面覆盖率逐渐升高,薄膜表面无针状结构出现;薄膜中Cl离子的含量逐渐减少,改善了薄膜的质量.     

低掺杂Cr破坏La0.4Ca0.6MnO3的电荷有序相

用固相反应法制备了La0.4Ca0.6Mn1-xCroxO3(x=0.00,0.02,0.04,0.06)多晶样品.通过X射线衍射、磁化强度-温度曲线、电子自旋共振谱线研究了Cr3+替代Mn3+对La0 4Ca0.6MnO3磁性质及电荷有序相的影响.结果表明:母体La0.4Ca0.6MnO3磁结构十分复杂,在258 K...     

复合钙钛矿陶瓷的结构与微波介电性能

介绍了复合钙钛矿化合物结构的本质特征，讨论了钙钛矿结构对微波介质陶瓷材料的介电性能（介电常数、介质损耗、频率温度系数）的各种影响因素。     

掺杂对Ni-Mn-O系NTC热敏陶瓷及其电学性能的影响

以Ni0.66Mn2.34O4为负温度系数(negative temperature coefficient,NTC)的热敏陶瓷基体,分别掺入Mg2+、Zn2+、Al3+、Fe3+或Ni2+等不同离子,以考察对结构和电性能的影响.X射线衍射结果表明:所有样品均为单相尖晶石结构,并计算出晶胞参数和近似的阳离子分布.电性能测量结果表明:当掺杂离子进入尖晶石结构B位时,对电阻率有较大影响;当掺杂离子进入尖晶石结构A位时,则对电阻率的影响较小.通过选择合适的掺杂离子可以调节其电性能参数.     

掺杂比与热处理温度对锡锑氧化物结构与电性能的影响

采用水热法制备锡锑氧化物(ATO)纳米粉,利用XRD方法研究不同Sb-Sn掺杂比及热处理温度对ATO结构和电性能的影响.实验结果显示掺杂摩尔分数n(Sb)∶n(Sn)=4%～8%时达到最佳导电性能, 随温度升高, 电阻率降低.     

Sr、Mg与Fe复合掺杂镓酸镧基离子导体的制备与电性能研究

探讨了采用固相反应法合成碱土金属Sr、Mg与过渡金属Fe复合掺杂的镓酸镧基ABO。型氧化物La0.8sSr0.2Ga0.75Mg0.20Fe0.05O2.815（LSGMF）；利用热分析仪、EDS、XRD、SEM、直流四端子法等对LSGMF复合氧化物的形成过程、微区成分、晶体结构、显微组织及导电性等进行研究。分析表明：样品的烧结温度不能低于1300℃；EDS结果证实合成的LSGMF样品中杂质元素很少，纯度较高；XRD分析表明：经1350℃烧结合成的LSGMF样品中出现了LaSrGa3O7和LaSrGaO4等杂相，而经1400℃烧结则获得了单一正交钙钛矿结构；电性能测试结果表明：在400—850℃温度区间，其电导率与温度的关系符合Arrhenius定律，说明合成的复合氧化物LSGMF为氧离子导体，且离子迁移活化能0．6656eV（〈leV）；Sr、Mg和Fe复合掺杂氧化物LSGMF与仅Sr、Mg双掺杂氧化物LSGM相比具有更高的离子电导率，说明少量过渡金属Fe的掺杂，可提高离子电导率。     

纳滤膜的电解质截留率及其带电特性

根据浓差极化模型和非平衡热力学模型,对４种纳滤膜（ＮＦ４０膜、ＮＴＲ７４５０膜、Ｄｅｓａｌ５膜和Ｇ２０膜）在不同浓度（１０～５００ｍｏｌ／ｍ３）的电解质（ＮａＣｌ）溶液体系的透过实验数据进行回归计算,求得膜的反射系数和溶质透过系数。根据ＴｅｏｒｅｌＭｅｙｅｒＳｉｅｖｅｒｓ模型从膜的反射系数估算这些纳滤膜的有效电荷密度并对其进行了电解质浓度的经验关联。结果讨论同时证明了ＴｅｏｒｅｌＭｅｙｅｒＳｉｅｖｅｒｓ模型适用于纳滤膜的带电特性评价     

CdO基稀磁半导体纳米薄膜的制备及性质

利用水热法和旋涂工艺制备Co2+掺杂CdO基稀磁半导体纳米薄膜,研究样品的微观结构及电磁性能等。结果表明:样品是具有岩盐矿结构的CdO晶体结构,薄膜中粒子的平均粒径约20nm,且随Co摩尔(下同)掺量的增加而减小。样品中Co离子为正二价,属替位掺杂;样品呈现出明显的室温铁磁性,饱和磁矩随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量为4.33%时达到最大值。样品的电导率随Co2+掺量的增加先减小后微弱增大,在Co2+掺量约为6%时达到最小值。磁电阻效应测量结果表明:样品呈现出室温的正磁电阻效应,磁电阻随Co2+掺量的增加先增大后减小,在Co2+掺量约为7%时达到最大值。利用Ruderman-Kittel-Kasuya-Yoshida(RKKY)机制、间接超交换机制和直接超交换机制等模型合理解释样品的铁磁性起源和磁电阻效应产生的物理机制。     

PZN－PFN－PFW系陶瓷的介电性质和钙钛矿相的稳定作用

研究了Ｐｈ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）ｘ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）０．６４－ｘ（Ｆｅ２／３Ｗ１／３）０．３６Ｏ３（ＰＺＮ－ＰＦＮ－ＰＦＷ）系陶瓷中ＰＺＮ含量与焦录石相形成间的关系，以及少量添加剂对钙钛矿相的稳定和介电性能的影响。在该系中仅添加０．１５ｗｔ％ＭｎＣＯ３就可制备１００％钙钛矿型结构的陶瓷。文中报导了该系组成的相关系和介电性质。钙钛矿结构的陶瓷介电常数高，电容温度系数较低。     

晶体结构对LaGaO3基固体电解质电性能的影响

用Raman光谱和直流四电极法分别研究了La0.9Sr0.1Ga0.9Mg0.1O2.9(LSGM1010),LaGa0.8Mg0.2O2.9(LMG20)和La0.8Sr0.2Gao2.9(LSG20)的晶体结构和离子电导率。Raman分析显示LSGM1010和LGM20具有对称性较高的菱方钙钛矿结构,而LSG20具有低对称性的斜方钙钛矿结构.电性能测试发现LSGM1010和LGM20有相近的离子电导率,而且都比LSG20在相同的温度下高近一个量级。结构分析发现在掺杂LaGaO3中高对称性的晶体结构有利于获得高的离子电导率。在光电子能谱(XPS)分析的基础上对产生这种现象的物理原因进行了解释。     

高能球磨对Pr_6O_(11)和Y_2O_3掺杂ZnO压敏电阻微观结构和电学性能的影响

利用高能球磨法制备Pr6O11、Y2O3掺杂ZnO压敏电阻,并对球磨时间对微观结构、物相组成及电学性能的影响进行了研究和分析。高能球磨有利于微观组织的均匀化和晶粒的细化,从而提高了电学性能。当球磨时间从0到10 h时,烧结后的ZnO晶粒尺寸变化从8.7到4.0μm,坯体烧结密度变化从5.40到5.62 g/cm3。最佳的制备工艺为球磨时间为7.5 h,烧结温度为1100℃,其对应的电学性能分别为:电位梯度(V1mA)是542 V/mm,漏电流(IL)是2.88μA,非线性系数(α)是47。     

铁掺杂对锰酸镧锶体系磁电性质的影响

通过测量样品的X射线衍射、电阻率-温度(p-T)曲线及磁电阻-温度(MR-T)曲线,研究了Fe掺杂对La0.67Sr0.33Mn1-xFexO3(0≤x≤0.200)陶瓷体系磁电性质的影响.结果表明:在x=0时,样品呈典型的铁磁金属性,随着Fe含量的增加,样品p-T曲线存在金属一半导体转变峰,并且该峰随Fe替代量的增加向低温方向移动.在x=0.200时,在实验温区观察不到金属-半导体转变峰.在高铁含量时只能在低温观察到磁阻效应.这些现象主要是由于样品中的Mn3 被Fe3 所替代,部分Mn3 -O2-Mn4 铁磁双交换作用键被打断,样品中的铁磁与反铁磁作用的相互竞争以及样品内部电子局域化所形成的极化行为等因素影响所致.