一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应

报道了一种新的高稳定的有机分子(SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物.由这种材料制成的薄膜,在室温6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态,其跃迁时间小于20ns,并具有极佳的热稳定性.因此可望用于制作电子器件,如一次写入存储器(WORM)等.进一步的研究还发现,在适当的工艺条件下,SCN能够与Cu和Al一起构成Cu-SCN-Al结,这种结具有极性记忆效应,即只能被单向驱动.     

有机纳米整流器的STM研究

金属有机络合物Ag TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下 ,当电压达到某一阈值后可以从高阻态跃迁至低阻态。在一定的条件下 ,在低阻态的保持时间很短 ,且高低阻态间的转换可以重复。由于它们都是有机材料 ,根据这种特性 ,提出了一种新型有机纳米整流器的设想 ,并成功地制作了输出可控的有机纳米整流器的原型。     

有机纳米整流器的STM研究

金属有机络合物Ag-TCNQ的薄膜在STM针尖电场的作用下，当电压达到某一阀值后可以从高阴态跃迁至低阻态。在一定的条件下，在低阻态的保持时间很短，且高低阻间的转换可以重复。由于它们都是有机材料，根据这种特性，提出了一种新型有机纳米整流器的设想，并成功制作了输可控的有机纳米整流器的原型。     

具有非易失存储功能的可逆有机电双稳器件

报道一种能够在室温下具有可逆电双稳特性，并实现非易失信息存储功能的有机薄膜器件。器件为简单的三层结构，Al/HPYM/Ag，HPYM为一种有机分子材料，通过真空热蒸发法制成薄膜作为信息存储介质。该器件可通过正向及反向电压脉冲的激发而实现高阻态（“0”态）、低阻态（“1”态）的转变，相当于信号的写入和擦除。当外电场撤除时，其状态信息可以长时间保持，并且被小电压脉冲读取，两种导电态的阻值比约为10^5。     

一种可擦写可读出的分子基电双稳器件

报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4/Al,其中BN4为分子材料.该器件在较强电场(约为6 V)作用下表现为高阻态("0"态),阻值大于105 Ω;而在较弱的电场(＜2 V)作用下则为低阻态("1"态)，阻值约为102 Ω，两种状态的阻抗比103～105.改变外加电场的大小，器件的两种状态随之发生多次转变，转换次数可超过103.高阻态和低阻态的状态信息还可以用一个小电压脉冲(0.2 V)来读取.这种简单器件具有可擦写可读出功能，可用于制作分子基开关和分子基存贮器.     

纳米晶粒Ag—TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜，在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右，粗糙度也为纳米量级，同时在大气及室温条件下，在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态作用点的直径为为70nm.     

一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件

报道一种具有可逆电双稳特性的有机薄膜存储器件.器件采用三明治夹层结构Ag/DBCN/Al,DBCN为有机分子材料的简称.这种薄膜器件可以通过改变外加电场的大小来控制所处的状态,表现出高电压区(＞6V)为高阻态(＞106Ω),低电压区(1～2V)为低阻态(～103Ω)的特性,外电场消失时其状态能够长时间保持稳定(超过3个月),还可以用小电压脉冲信号(＜0.5V)来读取其状态信息.此外还发现该器件具有良好的耐热稳定性.     

纳米尺度的Ag（TCNQ）薄膜的电特性

研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ）在STM针尖下的电特性，观察在纳米尺度下Ag(TCNQ）从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象，阻态间的跃迁可以重复进行，其阈值电压比交叉电极“三明治”结构的情况要低得多。另外，研究了Ag(TCNQ）电存储特性，包括写入，读出和擦除特性，结果表明Ag(TCNQ）可以作为超高密度的随机存储器的材料。     

单一有机材料PAN的电双稳特性及其应用

发现单一有机材料１－（２呢啶偶氮）－２－萘酚（ＰＡＮ）在室温下即具有电双真空中的薄膜，两边在数伏电压的作用下，即可从高阻态变为代阻态，且跃迁时间小于１０ｎｓ。由此可用为功能材料用于非易失性存贮器和过电压保护器等。     

CdSe量子点/PVK复合电双稳器件的制备及载流子输运性能研究

报道一种基于CdSe量子点/聚乙烯基咔唑有机无机复合电双稳器件,通过对量子点浓度的控制使器件在室温下可以通过正向偏压和负向偏压脉冲激励下实现高阻态与低阻态的相互转变,相当于存储器件的写入功能与擦除功能,并且可实现重复的“读-擦-读-写”操作.对电流-电压曲线和电容-电压曲线展开讨论,验证器件的载流子捕获与释放机制,阐述载流子在该器件的输运机制.     

纳米晶粒Ag-TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜,在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右,粗糙度也为纳米量级。同时在大气及室温条件下,在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态,作用点的直径约为70nm。     

一种可擦写可读出的有机电双稳器件

本文报道一种可连续可逆转换的有机电双稳薄膜器件,Al/TPR-1/Al/TPR-1/Al,其中TPR-1为有机分子材料,利用真空蒸发-紫外原位聚合的方法制作成膜.在器件中,两层交联的有机物中间夹一层很薄的铝膜.该器件在较低电压(＜3V)作用时呈现高阻状态,阻值大于108Ω;而在较高电压(约5V)作用时,则为低阻态,阻值约为105Ω.两种状态的电阻值比为103～105.高低阻态均可通过一个较小的电压(1V)读出,并且低阻态可以用反向电压"擦除",回到高阻.     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机（有机-有机）络合物，分别称为MCA＋TCNQ和BBDN＋TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜，在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns，因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在1．6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。     

界面势垒对有机铁电共聚物铁电开关性能的影响

界面势垒对有机铁电共聚物铁电开关性能的影响李杰祝生祥（同济大学波耳固体物理研究所·２０００９２）１前言ＰＶＤＦ是一种有机大分子聚合物，ＰＶＤＦ及其共聚物具有强压电性［１，２］。这种有机压电、铁电材料，作为机电转换换能器，已获得广泛的应用［３］。有机压...     

PAR薄膜阻抗转变规律的研究

采用真空蒸发的方法制备了PAR薄膜，研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性。发现薄膜在从高阻向低阻转变时会经历一个短暂的具有非线性阻抗的中间态，并且在整个转变过程中存在一种能量效应，即当外加电压超过某一值时，完成转变所需的能量不变。     

基于新型红色材料的有机发光二极管

对一种名为N，N－双－[4-2-(4-二氰甲烯基－6－甲基）－4H－吡喃－2－基]乙烯基]苯基苯胺的新型有机红色材料（BDCM）进行了薄膜发光行为的研究，此材料的一个三苯胺（给电子基）和两个二氰甲烯吡喃（受电子基）所形成的较好空间位阻和强荧光发射能力，使得其固体薄膜具有很高的红色荧光量子产率。所构成ITO／CuPc/DPPP/BDCM/Mg:Ag的红色薄膜电致发光器件，在外加19V直流电压时达到582cd/m^2的发光亮度，同时，此器件的发光色度具有不随所加电流密度变化而改变的特点，表明此材料有很好的电子传输和红色发射性能。     

单一有机材料PAN的电双稳特性及其应用

发现单一有机材料 1 (2吡啶偶氮 ) 2 萘酚 (PAN)在室温下即具有电双稳特性。在真空中制成的薄膜 ,两边在数伏电压的作用下 ,即可从高阻态变为低阻态 ,且跃迁时间小于 10ns。由此可作为功能材料用于非易失性存贮器和过电压保护器等     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机络合物，分别称为ＭＣＡ＋ＴＣＮＱ放ＢＢＤＣ＋ＴＣＮＱ。它们可在真空中制备成薄膜。在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于１００ｎｓ，因此可作为一次写入的存储器材料，根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在１．６ｃｍ＾２的ＳｉＯ２平面上做出６４Ｍｂ的存储器。     

PAR薄膜阻抗转变规律的研究

采用真空蒸发的方法制备了PAR薄膜,研究了不同外电路参数下薄膜的电双稳特性。发现薄膜在从高阻向低阻转变时会经历一个短暂的具有非线性阻抗的中间态,并且在整个转变过程中存在一种能量效应,即当外加电压超过某一值时,完成转变所需的能量不变。     

蚯蚓在污水土壤处理中的生存条件

蚯蚓的食物构成对利用蚯蚓去处理有机污染物非常重要。从污染控制的观点，用在有机污染物生物处理中的重要参数碳氮比（Ｃ／Ｎ）来描述蚯蚓食物（即有机污染物）的构成更为合适。本试验采用回归正交法去安排试验，并且发现，对蚯蚓存活的最佳Ｃ／Ｎ比应大于３３。