一种新型的有机电双稳薄膜及其极性记忆效应

报道了一种新的高稳定的有机分子(SCN)可以和铜构成具有电双稳态特性的金属有机络合物.由这种材料制成的薄膜,在室温6V电压作用下可以从高阻态转变成低阻态,其跃迁时间小于20ns,并具有极佳的热稳定性.因此可望用于制作电子器件,如一次写入存储器(WORM)等.进一步的研究还发现,在适当的工艺条件下,SCN能够与Cu和Al一起构成Cu-SCN-Al结,这种结具有极性记忆效应,即只能被单向驱动.     

有机电双稳材料与器件的研究进展

由于有机分子材料和聚合物材料本身的各种优良性质,用其取代传统的无机半导体材料来修饰电信号具有非常广阔的研究前景.本文简要介绍了近年来有机电双稳材料与器件在电存储方面的研究进展,并讨论了有机电双稳器件(OEBD)目前存在的问题以及今后发展的方向.     

一种制备金属有机电双稳薄膜的新方法

提出了一种真空蒸发和电化学反应相结合的技术来制备金属有机络合物电双稳薄膜的新方法。利用该方法制备的Ag—TCNQ薄膜具有均匀的电双稳特性,其跃迁闽值电压4．5V,跃迁时间小于20ns。同时该方法还兼顾了真空反应蒸发方法表面平整度高和化学溶液法化学配比严格的优点。因而该方法在微电子器件、分子电子器件和海量存贮器的制备中有着广泛的应用前景。     

一种可擦写可读出的有机电双稳器件

本文报道一种可连续可逆转换的有机电双稳薄膜器件,Al/TPR-1/Al/TPR-1/Al,其中TPR-1为有机分子材料,利用真空蒸发-紫外原位聚合的方法制作成膜.在器件中,两层交联的有机物中间夹一层很薄的铝膜.该器件在较低电压(＜3V)作用时呈现高阻状态,阻值大于108Ω;而在较高电压(约5V)作用时,则为低阻态,阻值约为105Ω.两种状态的电阻值比为103～105.高低阻态均可通过一个较小的电压(1V)读出,并且低阻态可以用反向电压"擦除",回到高阻.     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机（有机-有机）络合物，分别称为MCA＋TCNQ和BBDN＋TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜，在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns，因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在1．6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。     

两种具有电双稳态的全有机络合物

首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机络合物，分别称为ＭＣＡ＋ＴＣＮＱ放ＢＢＤＣ＋ＴＣＮＱ。它们可在真空中制备成薄膜。在数伏电压的作用下，从高电阻至低电阻的跃迁时间小于１００ｎｓ，因此可作为一次写入的存储器材料，根据我国目前最小刻线宽度的水平，可望在１．６ｃｍ＾２的ＳｉＯ２平面上做出６４Ｍｂ的存储器。     

K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同.但不同的是,在300K以上,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性.因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景.     

一种可擦写可读出的分子基电双稳器件

报道一种可以连续可逆转换的分子基电双稳薄膜器件Ag/BN4/Al,其中BN4为分子材料.该器件在较强电场(约为6 V)作用下表现为高阻态("0"态),阻值大于105 Ω;而在较弱的电场(＜2 V)作用下则为低阻态("1"态)，阻值约为102 Ω，两种状态的阻抗比103～105.改变外加电场的大小，器件的两种状态随之发生多次转变，转换次数可超过103.高阻态和低阻态的状态信息还可以用一个小电压脉冲(0.2 V)来读取.这种简单器件具有可擦写可读出功能，可用于制作分子基开关和分子基存贮器.     

纳米晶粒Ag—TCNQ络合物薄膜的制备及电双稳特性

以物理气相沉积方法将TCNQ和Ag制备的金属有机络合物薄膜，在一定的工艺条件下可做到构成薄膜的晶粒直径为40nm左右，粗糙度也为纳米量级，同时在大气及室温条件下，在STM电场的作用下薄膜可从高阻态转换为低阻态作用点的直径为为70nm.     

一种新型的电流互感器极性测试仪的研制

介绍了一种用于检测电流互感器极性的便携式新型智能仪器.装置基于直流法,利用数字采样获取电气参量,并以Atmel公司生产的ATmega8L高性能单片机为核心,将原来的测试设备集成于一体,为现场检验提供极大的便利.     

一种新型磷光铜(I)配合物及其高效绿光有机电致发光器件

研制出了一种新型的Cu(Ⅰ)配合物[Cu(DPEphos)(PyPPN)]BF4 (CuL1L2),其中二DPEphos和PyPPN分别表示(2-二苯基膦基)苯基醚和吡啶并[1′,2′∶2,3] 吡嗪[5,6-f] 1,10-菲罗啉,并制备了结构为ITO(20)/2-TNATA (20nm)/NPB(40nm)/CBP∶8% CuL1L2(30nm)/BCP(20nm)/Alq3(20nm)/ LiF(1nm)/ Al(100nm)的掺杂式有机发光二极管(OLED).掺杂式器件在530nm处有较强的金属配合物三重态的绿光电致磷光 (ELECTROPHOSPHORESCENCE,EPL)发射,最大亮度为2388cd/m2,在电流为0.1mA时,器件的最大电流效率达到11.4cd/A,据我们所知,该OLED器件的EL性能是目前报道Cu(Ⅰ)磷光配合物的EPL器件中最高的.     

K（TCNQ）薄膜的制备及其电双稳特性

在真空环境下，首次利用固态化学置换反应制备了K（TCNQ）薄膜，其分子结构与已报道过的K（TCNQ）单晶、多晶相同。但不同的是，在300K以上，K（TCNQ）薄膜具有可逆的双稳特性。因此预计在光电开关和电双稳存储器方面具有广泛的应用前景。     

一种有机掺杂体系的光致发光及薄膜电致发光研究

将具有薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）性能的有机络合染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）掺以染料罗丹明６Ｇ（Ｒ６Ｇ），用真空热蒸发的方法获得了峰值波长５７５ｎｍ的黄色直流电致发光（ＥＬ）。通过对不同掺杂浓度的粉末，溶液，薄膜样品及电致发光器件的光谱及寿命测量和对比，证实了能量传递的存在并初步探讨了可能的途径。同时发现掺杂器件ＥＬ谱的形状随驱动电压升高发生明显的改变，基质（Ａｌｑ３）的发射（相对于掺杂剂Ｒ６Ｇ的发射）明显增强，对这一现象产生的原因作了分析，并由此讨论了有机掺杂ＴＦＥＬ中复合，发射区域等问题。     

一种具有电双稳特性的聚合物薄膜

发现了在室温下具有电双稳特性的聚合物材料聚对萘二甲酸乙二酯(PEN)。通过真空蒸发方法制备的PEN薄膜,其表面晶粒尺寸小于100nm,粗糙度也为纳米量级,而且具有较高的热稳定性。在3．5V电压作用下,PEN薄膜可从高阻状态跃变到低阻状态,跃迁时间小于20ns。该材料有可能用于大容量存储器的制作。     

一种基于聚丙烯孔洞型铁电驻极体薄膜的新型传感器

采用聚丙烯孔洞型铁电驻极体薄膜作为机电转换材料,将其层叠封装制成压力传感元件,并设计电荷放大器将其输出信号放大,用无线发射模块/无线信号接收模块连以信号处理模块,做成无线传感器。这种无线传感器可用于报警、运动监测。     

一种新型的光学增透膜——DLC及改性DLC薄膜

光学增透薄膜是一种很重要的光学材料，传统的MgF2和ZnS增透膜具有强度低的缺陷，已经不能满足现代科技进步的需要。回顾了近年来关于DLC薄膜和CN薄膜光学性能的研究情况，讨论了改性的DLC薄膜用做增透膜的可行性。从理论和实践两个方面进行了探讨，结果表明DLC薄膜和CN薄膜在光学增透领域具有广阔的应用前景。     

一种新型高助剂含量的薄膜复合用胶粘剂

复合软包装的优点更加明显，其应用范围也不断扩展。除食品外，在药品、化妆品、日用品、化学品、武器、涂料、精密仪器、仪表、成套设备上都开始广泛使用。同时，随着包装内容物的不同，其对包装材料的要求也越来越多样化，例如要求材料具有呼吸性、柔软性、刚挺性、滑润性、阻燃、抗静电、抗冲击、导电、绝缘、防细菌、防老化、防辐射、易降解等等不一而足，也就是要求材料具有功能性。其解决方法多是在薄膜制造过程中加入各种功能性助剂得到功能性薄膜，将各种功能性薄膜进行复合从而得到多功能的包装材料。     

一种性能可调的新型节能材料——电致变色膜

本文介绍了一种性能可调的新型节能材料－－电致色薄膜，描述了以其为核心的全固态灵巧窗结构、工作原理和光学调节性能，回顾了电致色材料，离子存储层和固态锂离子导体及其性质，并展望了这种新型节能材料的应用。     

一种电可擦写可读出的有机薄膜存储器件

报道一种具有可逆电双稳特性的有机薄膜存储器件.器件采用三明治夹层结构Ag/DBCN/Al,DBCN为有机分子材料的简称.这种薄膜器件可以通过改变外加电场的大小来控制所处的状态,表现出高电压区(＞6V)为高阻态(＞106Ω),低电压区(1～2V)为低阻态(～103Ω)的特性,外电场消失时其状态能够长时间保持稳定(超过3个月),还可以用小电压脉冲信号(＜0.5V)来读取其状态信息.此外还发现该器件具有良好的耐热稳定性.     

一种性能可调的新型节能材料－电致变色膜

本文介绍了一种性能可调的新型节能材料—电致色薄膜，描述了以其为核心的全固态灵巧窗结构、工作原理和光学调节性能，回顾了电致色材料、离子存储层和固态锂离子导体及其性质，并展望了这种新型节能材料的应用。