AlGaAs/GaAs双异质结激光器退化的研究

观察了室温下工作的DH激光器退化现象,发现在短时间内退化的器件,除阈值升高外尚伴随着微分量子效率下降。对热稳定性良好,并对于较长时间(>250小时)阈值上升率(△J_(th)/J_(th)千小时)小于3％的器件,高温老化证明它们的寿命都能超过万小时量级。     

5000小时室温连续激射GaAs/AlGaAs双异质结激光器

一、引言 半导体激光器采用双异质结构(DH),对有源层内的注入载流子及辐射光场进行限域,使得阈电流密度迅速下降为～1×10~3安培/厘米~2,1970年实现了室温连续激射。双异质结激光器是光纤通讯和精密测距的较理想光源,但急待解决稳定性和可靠性问题。自从对DH激光器退化机理有了比较清楚了解之后,激光器寿命基本上每年提高半个至一个数量级。到1976年美国Bell公司通过升温加速老化试验推断激光器寿命可望达到100万小时。也已采用多种方式制作各     

AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结光致发光仿真研究

分析了AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结的光致发光特性。根据理论及仿真结果,确定了GaAs发光的最优能带结构为双异质结P-AlGaAs/P-GaAs/P-AlGaAs或者N-AlGaAs/N-GaAs/ N-AlGaAs,并且异质结两边能带渐变。基于所选结构,研究了能带渐变及层宽对发光效率的影响。研究结果表明,外体区吸收层的能带渐变,且外体区激发层的能带不变,发光区域的载流子最多,发光能量值最大。激励光源的波长不同,各层有不同的最优宽度,为器件的整体优化提供了依据。AlGaAs/GaAs/AlGaAs渐变异质结的光致发光研究为高效率器件如太阳电池、发光二极管等的实用化设计、研制提供了有价值的参考。     

AlGaAs双异质结激光器的镜面退化

据美《J·A·P》杂志1979年8月刊报导:日本电气公司中央研究所的 H·yonezu 和 K·E ndo 等人新近研究了没有镜面保护的A1GaAs 双异质结激光器的镜面退化机理和相应的激射特性变化。在恒定的光功率下工作时,镜面退化分为三个阶段,即第Ⅰ阶段、第Ⅱ阶段和第Ⅲ阶段。第Ⅰ阶段叫初期退化阶段。对此进行了详细的研究。初期退化的速率比较快。初期退化伴随着自发辐射强度降低,脉冲阈值电流增加以及脉冲外微分量子效率降低。已弄清,初期     

GaAs-AlGaAs双异质结激光器的实用化封装

设计、研制了激光器实用化封装管壳,作了光纤耦合封装，利用芯径φ=60μ、数值孔径NA=0．14、球端光纤与条宽为15μ的GaAs-AlGaAs~异质激光器直接藕合，效率η=80％。     

高速GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管集成电路

叙述了几种用GaAs/GaAlAs异质结双极晶体管制造的高速集成电路。在这些集成电路中根据GaAs/GaAlAs异质结双极晶体管的优良性能,把电路的开关时间做得很短。简单地讨论了影响电路速度的几个因素。     

GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱

基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,随着测量磁场的增大,能带带隙则发生了红移现象;它们均与GaAs/AlGa...     

集成电路用的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管

利用分子束外延(MBE)和离子注入来制造隐埋宽禁带发射区的GaAs/AlGaAs异质结双极晶体管。倒置型的电流增益约为100,表明了这种技术用于I~2L型数字集成电路的可行性。     

光纤通讯用的GaAs—AlGaAs双异质结(DH)激光器的研制

本文报导了一种光纤通讯用的质子轰击条型GaAs—AlGaAs DH激光器。该器件的室温工作寿命已达到10000小时,同时器件的特性可重复,在一个60mm~2面积上的外延晶片上可获得100支以上闽值电流小于120mA的CW工作器件。器件在9.6km无中继34.368Mb/S光纤传输系统中试用显示出响应快、工作稳定的优点。     

5000小时室温连续激射GaAs/GaAlAs双异质结激光器

简述了所研制的质子轰击条形双异质结激光器的结构和工艺。在直流正向电流下对激光器性能进行了测试分析,大部分激光器的阈电流I为50～150毫安,微分量子效率η_d为30～70％,部分激光器得     

GaAs/AlGaAs量子级联激光器

利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm，腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K，81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW．     

GaAs/AlGaAs量子级联激光器

利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.     

在光电集成电路中起双极晶体管和注入激光器作用的GaAs/AlGaAs双异质结器件

研制成一种起横向注入激光器作用的GaAs/AlGaAs双异质结双极晶体管(DHBT)。DHBT的外延层用金属有机物汽相外延法(MOVPE)生长。实验揭示室温下晶体管的电流增益大约是10,脉冲光激射阈值为230mA。     

正向压降法测量GaAs双异质结激光器热阻

本文简述用正向压降法测量GaAs DH激光器热阻的原理和方法。我们的实验证明,GaAs DH激光器的正向压降对温度的变化系数β=△V_正/△T在一定的温度范围内,在固定电流下,是与温度无关的常数,其值较大,在1～3毫伏/℃范围内。这种方法,精度较高,设备简单,测量方法简单,在一般的生产单位和实验室里容易实现。     

大光腔AlGaAs掩埋异质结窗口激光器

大光腔掩埋异质结窗口激光器已经制成。在这种激光器中,只是透明的AlGaAs 波导层延伸到反射镜面,而激活层不延伸到反射镜面。这种激光器的阈值电流和微分量子效率,可与通常的激活区延伸到激光器反射镜面的大光腔掩埋异质结激光器相媲美。其它无窗口同类激光器,由于镜面突然损伤而功率下降,然而,窗口激光器已在脉冲条件下以下降时的三倍功率运转。     

GaAs/GaAlAs双异质结激光器退化的研究(摘要)

我们观察了室温下工作的DH激光器的退化现象,发现在短时间内退化的器件除阈值升高外尚伴随着微分量子效率的下降。这些器件中观察到了暗线缺陷的形成。还有一些较快退化的器件则只有阈值的上升,而量子效率基本上不变。观察到这些器件中往往出现腔面的损伤。对热稳定性良好并于较长时间(>250小时)阈值上升率(△J_(th)/J_(th)千小时)小于3%的器件,高温老化证明它们的寿命都能超过万小时量级。     

GaAs/AlGaAs多量子阱激光器

用国产的分子束外延设备生长出多量子阱激光器结构,在室温下,其宽接触阈电流密度为3000A/cm~2,质子轰击条形器件单管最佳阈值电流为128mA,单面连续输出功率可大于22mw,在一定注入范围内可单纵模工作,最高单面微分量子效率达34％,激射波长在8590～8640埃之间,远场光强分布呈单峰,在室温附近的特征温度T_o为202K.对外延材料和器件的初步研究表明,AlGaAs材料特别是掺杂的AlGaAs材料质量不理想是导致激光器阈电流密度不够低的可能原因.     

高效率和大功率AlGaAs/GaAs激光器

下面是最近为光通信或唱片播放系统实际应用需要研制的,输出功率高达10mW的AlGaAs/GaAs激光器。为了进行光学记录,将需要25mW以上更高输出功率的激光器。从光学调准和热沉上的装配技术观点看,结朝上的激光器尽管热阻增加,但仍是比较理想的。在此,我们介绍一种高效率和高输出功率的AlGaAs/GaAs SBH激光器,其正面输出功率和量子效率分别为60mW和50%。     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管,器件直流电流增益大于20,电流增益截止频率fT大于30GHz,最高振荡频率fmax大于50GHz,连续波功率测量表明：在1dB增益压缩时,单指HBT可以提供100mW输出功率,对应的功率密度为6.67W/mm,功率饱和时最大输出功率112mW,对应功率密度为7.48W/mm,功率附加效率为67%．