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CCD型束流截面探测器的主要特点是使用电荷耦合器件做传感器,用束流同步光中的可见光成份做为信号源。该探测器同时具有模拟量和数字量两种输出,工作周期短,速度高,不影响束团粒子寿命,在电子储存环物理运行中,是一种有效的探测设备。 相似文献
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本发明涉及一种电离辐射法污水处理设备,包括椭圆容器(1)内置筒形限流管(3),贮源管(6)及放射源^60Co(7),若干环形导流隔板(8),污水进口(4)与沉沙池相连,出水口(5)。本发明还公开了一种电离辐射法污水处理的方法。本发明的污水处理设备和方法是一种结构独特、操作简单、高效、设备投资和处理费低,技术安全可靠,使污水处理达一级排放标准,COD为60mg/L,BOD为20mg/L,无二次污染和污物转移,百分之百灭活细菌,是新一代污水处理设备和方法,可广泛用于各种生活污水、工业污水和中水回用中。 相似文献
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本论文主要分析了SiN4/SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应,叠层栅MOS电容中SiO2为20nm,Si3N4厚度分别为40nm和110nm,通过辐照前后电容CV曲线的对比分析,发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用,同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用.同时也发现叠层栅中Si3N4越厚,将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷. 相似文献
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表面n沟CCD的电离辐射损伤 总被引:1,自引:0,他引:1
本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy时,通过调整“胖零”注入仍可工作。在高剂量辐照期间,不同栅偏压器件的转移效率退化存在较大差异。应用高频和准静态C-V技术分析了参数退化的原因。 相似文献
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近10年来,对于基因组不稳定性和旁效应的研究已成为生物学和放射生物学领域的一个热点。随着对辐射损伤研究的深入,电离辐射引起的非靶效应(如基因组不稳定性、旁效应等)将对与辐射照射有关的危险评价提出新的挑战。本文就体内、外电离辐射诱发的基因组不稳定性,体内、外旁效应以及二者之间的关系做一简要概述。 相似文献
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SOS—CMOS电路的电离辐照响应特性 总被引:3,自引:0,他引:3
本文通过对SOS-CMOS门电路4082进行不同偏置条件下的电离辐照实验,研究了电离辐照环境中引起SOS-CMOS门电路失效的几种重要漏电机制,。探讨了SOS-CMOS电离辐射损伤的最劣辐照偏置条件。 相似文献
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注F MOS电容的电离辐射效应 总被引:6,自引:2,他引:4
对于O_2栅氧化后注F的MOS电容进行了γ射线辐照试验,研究了不同注F剂量MOS电容的电离辐射响应特征。结果表明,注F能抑制辐射感生氧化物电荷和界面态,最佳抑制效果的F注量范围是5×10~(14)—2×10~(16)F/cm~2,且受注F工艺条件制约,少量或过量的F注入无明显抑制辐射损伤的能力。推测F在Si/SiO_2界面和SiO_2中的行为将直接影响MOS器件的辐照效应,而F的行为依赖于F注入的工艺条件。用一定模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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电离辐射诱发的非靶效应及其生物学意义 总被引:1,自引:0,他引:1
辐射诱发的非靶效应包括基因组不稳定性、旁效应、断裂因子以及亲代受照射后的遗传效应。非靶效应在辐射致癌、辐射防护、放射治疗、辐射危险评估以及细胞衰老等方面有重要的生物学意义。本文主要从辐射诱发的基因组不稳定性和旁效应两方面介绍辐射诱发的非靶效应及其生物学意义。 相似文献
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性腺、甲状腺及肾上腺是人体对电离辐射敏感性较高的器官,是辐射防护的重点。本文介绍电离辐射对男性生殖和性腺功能的影响,以及对甲状腺、肾上腺皮质内分泌功能的影响。 相似文献
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