ITO靶材黑化的因素浅析

本文针对ＩＴＯ导电玻璃生产中的黑化问题进行了分析,并提供一些解决方法。     

ITO玻璃在线等离子体清洗的研究

通过在线等离子体清洗的玻璃基片表面沉积的ITO（或SiO2)膜，不仅具有优良的光电特性，而且提高了膜层在基片上的附着力。与未经在线等离子体清洗的基片沉积的ITO膜相比，膜层附着力提高了3．5倍。此项成果已在ITO膜透明导电玻璃连续生产线上得到应用。     

ITO透明导电玻璃的隔热实验研究

本文介绍了氧化铟锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的隔热和试验结果，给出了具体的温差数据和比例。     

液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ＩＴＯ导电玻璃的需求也日益增，由于ＬＣＤ正向大型化和高精细化发展，因而对ＩＴＯ膜的特性提出了许多新的更为严格的要求，本文综述性介绍透明导电膜制造中最常的ＩＴＯ膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状主。     

用C200H可编程控制器实现ITO透明导电玻璃生产线的自动控制

本文介绍用Ｃ２００Ｈ可编程控制器实现ＩＴＯ透明导电玻璃生产线的自动控制，实现对各系统的高度，自动，手动的控制，实现了对各系统的故障诊断报警。该控制系统可靠性，功能强，查找故障方便。     

ITO靶材的发展现状

1 前言 铟锡氧化物(英语 indium tin oxide)简称ITO。成品ITO陶瓷靶色泽为墨绿色亚光,形状为圆片或矩形片,圆片尺寸一般为φ80mm×6mm以上,矩形片尺寸一般为180mm×160mm×6mm～380mm×380mm×9mm之间,ITO靶的化学成份是In_2O_3-SnO_2,其中In、Sn按重量百分比铟含量要超过80％。     

中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀

多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时，应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺，如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺，存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工，做了大量实验、质谱分析和多项测试研究，成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀，做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。     

液晶显示器用ITO透明导电膜技术现状

随着液晶显示器件（LCD）产业的飞速发展，对作为平板显示器透明电极的ITO导电玻璃的需求也日益增长，并由于LCD正向大型化和高精细化发展，因而对ITO膜的特性提出了许多新的更为严格的要求。本文综述性介绍透明导电膜制造中最常用的ITO膜磁控溅射成膜技术和设备以及靶的现状。     

铅离子注入对玻璃表面ITO膜性能的影响

采用离子注入技术将铅离子注入到ＩＴＯ薄膜玻璃中,用分光光度计,四探针测试仪,硬度计等测定了ＩＴＯ膜注入前后的光学性能,电学性能、机械性能和化学稳定性。结果表明注入后光学、电学性能有所下降,而机械性能和化学稳定性有明显提高。这说明离子注入提高ＩＴＯ薄膜玻璃的耐磨损性和在有腐蚀性气氛下的稳定性。     

ITO粉末制取工艺综述及分析

本文详细介绍了共沉淀制取ITO粉末的工艺技术以及简化的新工艺新技术，同时介绍了有发展前途的涂敷用的ITO粉末制取工艺。     

ITO透明导电玻璃的除霜试验研究

介绍了氧化钢锡（ＩＴＯ）透明导电玻璃的除霜试验结果,并对ＹＦＯ透明导电玻璃应用于汽车挡风玻璃的可能性进行了分析。     

制备ITO薄膜的磁控反应溅射镀膜设备的研制

提出了制备氧化铟锡薄膜（ＩＴＯ）的磁控反应溅射镀膜设备的关键部件的设计原则。给出了该设备的调试结果。     

ITO透明导电薄膜XPS深度剖面分析

介绍了镀制SiO2的ITO透明导电薄膜的性能特点,描述了用X射线光电谱仪对典型产品深度剖面的分析过程,给出了实验结果.     

电致变色热控器件ITO膜层的制备与研究

针对电致变色热控器件的透明导电层开展了ITO薄膜的制备工艺研究,对薄膜制备过程中的几个主要影响因素（溅射压力、氩／氧比例、退火温度等）进行了分析,并测试了薄膜性能,制备的ITO薄膜电阻在100-120Ω／cm左右,在太阳光谱范围的吸收率小于5％,可以满足电致变色器件对透明导电层的要求。     

光谱法控制ITO膜沉积速率

用磁控反应溅射方法制备ＩＴＯ膜时，溅射速率不断变化，并且等离子体也发出较强的具有较宽光谱的光，报导了用调整特征光谱强度来控制溅射速率的新方法，并且以控制ＩＴＯ膜的沉积过程。     

不连续Pt薄膜对ITO薄膜气敏特性的影响

在320℃时,如氧化铟锡(ITO)薄膜暴露在乙醇气氛中则其电阻急剧下降。利用直流平面磁控反应溅射的方法在约1Pa的氧与氩的混合气体中溅射铟锡合金制备了ITO薄膜。如果在ITO薄膜表面沉积一层不连续的Rt膜,薄膜对乙醇蒸汽的检测灵敏度大大提高,而且工作温度下降。本文就制备工艺对薄膜检测灵敏度的影响做了一些探讨,并且对Rt膜的作用进行了讨论。     

俄罗斯爆破器材的发展历程与现状

综述了俄罗斯爆破器材的发展历程与现状。概述了俄罗斯工业炸药从达纳迈特炸药到代表当今世界发展趋势的ANFO炸药和乳化炸药的转变和发展过程 ,并介绍了俄罗斯常用工业炸药的品种、性能。同时 ,还介绍了俄罗斯起爆器材及起爆系统的发展概况。最后 ,提出了世界各国爆破器材今后的发展方向。     

软基片上ITO薄膜的光电特性

利用直流反应磁控溅射技术,室温下在聚脂膜基片上制备了优良的ITO透明导电薄膜．研究了沉积速率,靶基距,氧流量以及厚度对薄膜光电性能的影响．所得薄膜的最低电阻率为4．23×10-4Ω·cm,可见光区平均透射率大于78％．对应于低电阻率（～10-4Ω·cm）和高透射率（～78＄）的反应窗口较文献中已报道的数据明显扩大．     

俄罗斯爆破器材的发展历程与现状

综述了俄罗斯爆破器材的发展历程与现状。概述了俄罗斯工业炸药从达纳迈特炸药到代表当今世界发展趋势的ANFO炸药和乳化炸药的转变和发展过程 ,并介绍了俄罗斯常用工业炸药的品种、性能。同时 ,还介绍了俄罗斯起爆器材及起爆系统的发展概况。最后 ,提出了世界各国爆破器材今后的发展方向。     

FINITE ELEMENT ANALYSIS OF ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM FOR CHIP ON GLASS PROCESS

Anisotropically conductive film (ACF) is a smart electronic packaging material that consumes minimal space for connecting integrated circuit (IC) chips to a liquid crystal display (LCD) panel or printed circuit board. It consists of an adhesive resin and fine conductive fillers such as metallic particles or metal-coated polymer balls. The fillers are compressed and maintain a certain elastic capability while conducted between electrodes. The size of the contact area and the shape of the fillers are important factors in determining conductivity. The process of applying ACF is modeled into three consecutive steps, and the stress and deformation states are studied by finite element analysis in each. In step 1 of the manufacturing process, external load is applied to compress the conductive particles at a temperature of 190°C so that the matrix resin is in a fluid condition. In step 2, an external load is maintained at this temperature to allow the matrix resin to solidify; then, the load is released and the particles spring back to create tensile stresses in the bonding resin matrix. The last step considers the bonded and conducting ACF cooling from 190°C to room temperature. The state of stress and deformation will be readjusted due to different contraction properties between the filler and matrix resin. The results presented in this paper show that changing the thickness of a coated nickel layer does not clearly affect the conductivity of ACF, and the deformation should be greater than 40% for the stability of conductivity.