碲镉汞物理与化学钝化界面的AES研究

采用化学和物理方法分别在Hg1-xCdxTe (MCT)表面制备了阳极氟化膜、CdTe、ZnS和类金刚石薄膜(DLC)钝化层.采用俄歇光谱(AES)和红外透射光谱(IR)研究了这些钝化层与MCT之间的界面特性.结果表明与阳极氟化膜和CdTe膜相比,ZnS和DLC膜能较好地抑制MCT组元的外扩散.ZnS层中的Zn和S 易于向MCT内部扩散,而且发现在ZnS层中有O的存在,这可能是由于ZnS易与空气中水份发生作用所致.而DLC中C向MCT内表面扩散较少.MCT表面沉积DLC薄膜后红外透过率较ZnS有明显的提高.     

碲镉汞衬底上沉积类金刚石薄膜的界面分析

采用等离子增强化学气相法 (PECVD)在碲镉汞 (MCT)衬底上沉积纳米颗粒的类金刚石薄膜 (DLC) ,对DLC MCT界面进行了俄歇电子能谱 (AES)分析 ,并与离子溅射法 (IS)沉积的ZnS MCT界面比较 ,结果表明DLC和ZnS薄膜都能较好地抑制MCT中HgTe的分解 ,在一定程度上阻挡了MCT中Hg的外扩散 .相对于ZnS中的S而言 ,DLC的C在MCT中的内扩散深度较小 (前者为 4 0 0 ,而后者仅为 2 0 0 ) .红外透射光谱结果表明DLC膜比ZnS膜具有更好的抗反射效果     

射频磁控溅射GaP薄膜的光学性能

采用射频磁控溅射方法在ZnS衬底上制备了不同工艺参数下的GaP薄膜,并通过FTIR分析了工艺参数对GaP薄膜红外透过率的影响规律.利用优化后的工艺参数成功地制备了厚为10.5 μm的GaP膜,根据膜系设计结果制备了DLC/GaP膜系.实验表明,GaP厚膜与基体结合性能较好,光学性能亦有所改善;DLC/GaP膜系的红外增透效果良好,在8～11.5 μm波段平均透过率净增5.69%,足以满足8～11.5 μm增透要求.     

用于红外光学窗口的多层保护膜

采用GexC1-x（碳化锗）、BP（磷化硼）和-Si（非晶硅）作为高折射率材料,DLC（类金刚石）作为低折射率材料,在ZnS（硫化锌）、GaAs（砷化镓）、Ge（锗）等常用红外光学窗口表面研制了用于长波红外（8～12 m）波段的GexC1-x/DLC、BP/DLC及-Si/DLC系列多层保护膜。通过对比试验,研究了多层红外光学窗口保护膜的光学性能、显微硬度及海洋环境适应性。结合红外窗口及膜系材料特性,对试验结果进行了分析讨论。结果表明:GexC1-x/DLC多层红外保护膜具有最佳的光学性能,BP/DLC多层红外保护膜在海洋环境下具有最佳的保护效果。     

非金属掺杂类金刚石膜的研究进展

非金属掺杂类金刚石(DLC)膜可以优化纯类金刚石膜的一些性能.例如:掺磷DLC膜电阻率小,还可以明显提高其血液相容性;掺氮DLC膜不仅电阻率小,可作为半导体材料.还具有热稳定性好的优点;掺氟DLC膜在憎水性、耐蚀性、热稳定性和降低介电常数等方面更为优异;硅掺杂使膜中氢含量减少、内应力减小、粗糙度和摩擦系数降低.对非金属掺杂DLC膜的进展做了概括及分析,展现出其广泛的应用前景.     

飞秒激光沉积红外窗口类金刚石增透保护膜

脉冲激光沉积法是一种制备类金刚石膜(DLC膜)的新技术.总结了脉冲激光法制备DLC膜在激光源、脉宽、沉积气氛及薄膜掺杂等方面的发展趋势.建立了飞秒脉冲激光沉积DLC膜系统,在不同的沉积条件下(如:真空、氧气氛、掺硅等)开展了实验研究,阐明了不同沉积条件对DLC膜性能的影响规律.在硅、锗红外窗口上镀制了工程实用的DLC增...     

长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜,结合HgCdTe器件工艺,成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析,获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜/ZnS界面电学特性参数.并通过获得的界面参数,计算了阳极氧化和ZnS的双层钝化膜的表面复合速度.并对MIS器件的变温C-V特性进行了实验和分析.     

基于8-11μm红外窗口系统中减反射与保护膜的研制

随着现代军事空间技术的快速发展,对红外探测器的要求越来越高。同时,对红外光学元件的要求也越来越苛刻。主要研究了硫化锌(ZnS)基底表面减反与保护膜的制备技术,采用介质膜与硬膜复合方法,通过对不同材料的对比分析,最终选取碳化锗(Ge1-xCx)材料作为介质膜与DLC 类金刚石保护膜的过渡层。利用电子束与离子源辅助沉积技术制备介质膜;磁控溅射技术制备过渡层碳化锗;化学气相沉积技术制备DLC 类金刚石保护膜,解决了介质膜与类金刚石保护膜应力匹配的问题,并通过对多种沉积工艺的整合,得到了一套稳定的工艺制备流程。最终在硫化锌基底上制备出的减反射与保护膜平均透过率达到92%,硬度符合要求。     

激光在硅基底沉积类金刚石膜的光学应用

研究了氧气氛和掺硅对类金刚石(DLC)膜性能的影响机理.采用飞秒激光烧蚀石墨靶材,通过氧气氛、掺硅和离轴平移旋转等技术,在硅基底上镀制出比传统工艺透过率、硬度、附着力和稳定性等性能更优的无氢DLC膜.实验验证了随着氧气氛压强的增大,样片透过率先增大后减小,存在一个最佳气压(2 Pa).并且掺硅有助于改善DLC膜的性能,掺硅量也存在一个最佳值.在3-5 μm波段,正面镀DLC膜、背面镀普通增透膜的硅红外窗口的平均透过率≥91.7%,DLC膜的纳米硬度高达40～50 GPa.且通过军标规定的高温、低温、湿热、盐雾、重摩擦等环境实验.满足光学窗口工程应用的要求.     

650nm反射10.6μm透射的薄膜干涉滤光片

针对波长为650nm和10.6μm的激光器,选用了ZnS和YbF<,3作为膜料,采用离子辅助沉积技术,在多光谱ZnS基底上制备了650nm反射10.6μm透射的薄膜干涉滤光片.通过对膜系设计和优化工艺参数的研究,解决了膜层牢固性,改善了薄膜的激光损伤阈值,并给出了综合测试结果和实测光谱曲线.     

ArF excimer laser induced CVD of aluminum oxide films

The authors have demonstrated photochemical deposition of aluminum oxides from Trimethylaluminum (TMA) and N₂O by using a pulsed ArF excimer laser (193 nm). Both TMA and N₂O are efficiently photodissociated by the 193 nm light. The films are grown on Si and InP wafers contained in a low pressure flowing cell with a heated substrate. The incident laser beam is focused and parallel to the substrate surface. Typical deposition rates are 80–150 A/min. Stripes of aluminum oxide 30 mm wide are uniformly grown on 7.5 cm Si-wafers. The film composition and purity have been investigated using Auger and Infra-red spectroscopy analysis. Surprising results are the relatively low concentration of carbon. Refractive index and thickness have been determined by an ellipsometer. Typical values for the films are 1.54–1.62. Metal-oxide-semiconductor capacitors have been fabricated and characterized. The C-V curves for n-InP/aluminum oxide have clockwise hysteresis, and minimum loop width is less than 0.5 V. The surface state densities are 1 × 10¹¹ cm^-2 eV⁻¹ at the mid band gap.     

新型结构碳材料——碳纳米针

采用钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)设备,以氢气和甲烷作为反应气源,制备了一种新型结构碳材料--碳纳米针.通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对其形态结构和成份进行了分析研究,结果表明,该种新型结构碳材料具有与碳纳米棒、碳纳米丝相似的性质,而且由于这种碳纳米针独特的结构,更适用于作为扫描探针显微镜的电子探针,从而使得其在某些领域(如电子源探针、扫描探针显微技术、纳米电子器件等)具有潜在的应用前景.     

CO2激光治疗腋臭与传统手术治疗腋臭的对比观察

本文采用二氧化碳激光治疗 14 0例腋臭病人。 14 0例患者术后 1个月痊愈 10 0例 ,2个月内痊愈 2 0例 ,2个月以上痊愈 10例 ,仅 5例术后仍有不良气味。本组病例与同期行外科手术治疗的 14 0例腋臭患者比较 ,二氧化碳激光治疗腋臭具有痊愈快 ,无并发症的优点 ,值的推广。     

一种新型结构碳材料——碳管套碳纳米丝

以氢气和甲烷为气源,利用钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MW PCVD)系统制备了一种新型结构碳材料——碳管套碳纳米丝,用扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对它的形态结构和成份进行了分析。这种新型结构碳材料,具有与碳纳米管、碳纳米丝相似的性质,并在某些领域(如电子源探针、纳米电子器件等)具有很好的应用前景。     

中红外完全光子带隙Ge反蛋白石三维光子晶体的制备

采用溶剂蒸发对流自组装法将单分散二氧化硅（SiO2）微球组装形成三维有序胶体晶体模板。以锗烷（GeH4）为先驱体气,用等离子增强化学气相沉积法向胶体晶体的空隙中填充高折射率材料Ge。酸洗去除二氧化硅微球,得到Ge反蛋白石三维光子晶体。通过扫描电镜、X射线衍射仪和傅立叶变换显微红外光谱仪对锗反蛋白石的形貌、成分和光学性能进行了表征。结果表明：Ge在SiO2微球空隙内填充致密均匀,得到的锗为多晶态,锗反蛋白石为三维有序多孔结构。锗反蛋白石的测试光谱图有明显的光学反射峰,表现出光子带隙效应。测试的完全光子带隙位于中红外3.4µm处,测试的光学性能与理论计算基本吻合。     

Precise nanofabrication with multiple ion beams for advanced circuit edit

Gallium focused ion beam (Ga-FIB) systems have been used historically in the semiconductor industry for circuit edit. Significant efforts have been invested to improve the performance of Ga-FIB. However, as the dimensions of integrated circuits continue to shrink, Ga-FIB induced processes are being driven to their physical limits. A helium ion beam offers high spatial resolution imaging as well as precise ion machining and sub-10 nm nanofabrication capabilities because the probe size can be brought to as small as 0.25 nm. However, it is limited by its relatively low material removal rate. Recently, the new Zeiss Orion-NanoFab microscope provides multiple ion beams (He, Ne and Ga as an option) into one platform and promotes the further studies of He and Ne induced deposition and etching processes to compare with a Ga ion beam. Because of the mass difference between He, Ne and Ga ions, the interactions of ions with sample surface and precursor molecules result in different sputtering rates, implantation and deposition yields. This presentation gives an overview of our current studies using this new platform to deposit or mill nanostructures for circuit edit.     

经皮激光椎间盘汽化减压术联合复方倍他米松对66例腰椎间盘突出症的疗效观察

目的:观察经皮激光椎间盘汽化减压术联合复方倍他米松椎间孔注射对腰椎间盘突出症的临床疗效。方法:将66例腰椎间盘突出症患者随机分成观察组和对照组,各33例。观察组给予经皮激光椎间盘汽化减压术联合复方倍他米松椎间孔注射,对照组给予复方倍他米松注射液骶管注射。两组均采取每周治疗1次。分别于治疗3次后、治疗3月后采用临床疾病诊断依据治疗好转标准及视觉模拟评分法(VAS)评分比较两组的临床疗效。结果:治疗3次后观察组有效率为96.97%;对照组有效率为72.72%,两组比较差异有统计学意义(P0.05);治疗3月后观察组有效率为93.94%;对照组有效率为69.70%,两组比较差异有统计学意义(P0.05)。结论:经皮激光椎间盘汽化减压术联合复方倍他米松椎间孔注射能加速腰腿疼痛症状的改善,可提高腰椎间盘突出症的临床疗效。     

Copper chemical vapor deposition from Cu(hexafluoroacetylacetonate)trimethylvinylsilane

Copper chemical vapor deposition using Cu-hexafluoroacetylacetonate (hfac) trimethylvinylsilane (TMVS) as precursor was performed in a cold-wall low pressure chemical vapor deposition (CVD) reactor. The design and operation of the reactor are described. Copper deposition on thermal SiO₂, W, and CoSi₂ substrate surfaces was investigated over the temperature range of 160–300°C and pressure range of 10–1000 mTorr. The activation energies of Cu CVD were determined to be 13.33 and 11.54 kcal/mole for the W and CoSi₂ substrates, respectively. The dependence of film resistivity, grain size, and growth rate on deposition pressure and temperature were also investigated. The film uniformity was found to be better than ten percent over a 4-inch diameter substrate. Experimental results also show that selective deposition can be achieved at a pressure of 10 mTorr within the temperature range of 160–200°C. In addition, hydrofluoric acid dipping was found to modify the SiO₂ surface and influence the copper deposition on it.     

关于CO2激光深熔焊接的临界功率密度

采用ＣＯ_２激光焊接１Ｃｒ１８Ｎｉ９Ｔｉ，激光深熔焊接的临界平均功率密度不仅随光斑大小而变化，而且与功率密度分布有关，而光斑内的最高功率密度却基本相同，提示应以光斑内的最高功率密度作为描述激光深熔焊接临界功率密度的依据。     

一种用于激光蒸发产生团簇束的高速脉冲气阀

报道一种双线圈弹簧结构脉冲气阀的成功研制。产生的气体脉冲宽度（ＦＷＨＭ）小于２００μｓ，在不加Ｓｋｉｍｍｅｒ时气体脉冲峰值强度为２×１０２２ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ／ｓｒ·ｓ。气阀的主要性能与国外用激光蒸发／分子束技术产生簇束的有代表性的实验室所用的同类气阀相比并不逊色。